本發明的課題是提供可以形成具有高耐熱性、不包含腐蝕性原子的鍍敷基底層，進一步在其制造中也可以實現低成本化的作為非電解鍍的前處理工序使用的新的基底劑。解決手段是一種基底劑，其用于通過非電解鍍處理在基材上形成金屬鍍膜，其包含：(A)聚合性化...

本發明提供電荷傳輸性組合物，其包含：包括式(1)的聚噻吩衍生物的電荷傳輸性物質、氟系表面活性劑、金屬氧化物納米粒子、和溶劑。(R

由式(4)[R

提供由式(1)表示的苯胺衍生物。[式中，R

本發明的課題是提供包含聚合物的新的壓印用光固化性組合物。解決手段是一種壓印用光固化性組合物，其包含下述(a)成分、下述(b)成分、下述(c)成分、下述(d)成分和下述(e)成分。(a)：一次粒徑為1nm～100nm的進行了表面修飾的二氧...

本發明的課題是將多價金屬、多價金屬離子、其帶電性金屬氧化物膠體粒子不是通過1種螯合樹脂而是通過組合了特定螯合樹脂的金屬吸附劑從溶解或分散了待純化材料的組合物中除去，獲得被高純度化了的純化材料組合物。解決手段是一種金屬吸附劑，是用于除去包...

通過向活性硅酸水溶液中添加成為陰離子源的化合物和作為堿源的氨，并在規定的溫度下進行加熱，來提供金屬雜質少的、細長粒子形狀的膠體二氧化硅粒子分散于溶劑中而成的硅溶膠的制造方法。一種硅溶膠制造方法，所述硅溶膠通過動態光散射法測得的平均粒徑(D

通過向硅溶膠中添加成為陰離子源的化合物和作為堿源的氨，并在規定的溫度下進行加熱，來提供金屬雜質少的、細長的粒子形狀的膠體二氧化硅分散于溶劑中而成的硅溶膠的制造方法。一種硅溶膠的制造方法，所述硅溶膠通過動態光散射法測得的平均粒徑(D

本發明的課題是提供在晶片的研磨工序中進行激光標記周邊部的隆起的消除的研磨用組合物、以及使用了該研磨用組合物的研磨方法。解決手段是一種研磨用組合物，其用于消除帶有激光標記的晶片的激光標記周邊部的隆起，該研磨用組合物包含水溶性化合物、螯合劑...

本發明的課題是提供形成下述抗蝕劑下層膜的組合物，上述抗蝕劑下層膜在將光致抗蝕劑組合物、不同的抗蝕劑下層膜疊層時不容易發生混合，通過提高聚合物的熱回流性從而改善了燒成時對圖案的填充性。解決手段是一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含含有結構...

本發明的目的是提供通過用具有含有硫原子和氮原子的官能團的螯合樹脂對包含金屬雜質的被精制烷氧基硅化合物進行處理，從而被精制烷氧基硅化合物對螯合樹脂的吸附量少，并且能夠使金屬雜質減少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解決手段是用具...

本發明涉及用于將環氧樹脂中的金屬雜質除去的金屬吸附劑以及金屬除去方法。本發明在不使作為半導體制造工序所使用的抗蝕劑下層膜形成用組合物而使用的環氧樹脂吸附、改性的情況下，將金屬雜質從溶解了被精制材料的組合物中除去，從而獲得被高純度化了的精...

本發明的課題是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用組合物，其在高低差基板上在不需要將含硅被覆膜在高溫下固化燒成的情況下進行光固化，從而不會使存在于下層的進行了光固化的有機下層膜的平坦化惡化，因此在平坦化性高的有機下層膜上形成平坦化性高的含硅...

本發明的目的在于，提供一種樹脂組合物，該樹脂組合物提供維持耐熱性優異、延遲低、柔韌性優異、且透明性也優異之類的優異的性能，并且能容易地從支承基材、在支承基材上形成的剝離層剝離、作為柔性顯示器基板等柔性裝置基板的基膜具有優異的性能的塑料薄...

本發明的課題是提供，具有即使在應用于高折射率的基材的情況下，涂膜也不產生干涉條紋而可以確保高透明性的微小粒徑，并基本上抑制了由紫外線引起的激發的無機氧化物粒子，此外提供含有這樣的粒子的涂布組合物以及具有由該涂布組合物形成的固化膜的光學構...

本發明的課題是提供適合作為用于形成液晶顯示元件、有機EL顯示元件等所使用的圖案狀絕緣性膜的材料、像素間壁材料，并可以形成在固化后也維持良好的圖像并且即使在進行了UV臭氧處理后也具有高疏油性，即使不進行氧等離子體等處理，基板也具有高親液性...

本發明的課題是提供可以形成透明性、硬度、耐擦傷性、密合性、進一步耐候性也優異的固化膜，并且該組合物本身的穩定性也優異的涂布組合物以及具有由該涂布組合物形成的固化膜的光學構件。解決手段是下述涂布組合物、以及具有由該組合物形成的固化膜的光學...

本發明提供一種包含供電子性聚合物(D)及吸電子性聚合物(A)的組合物，供電子性聚合物(D)具有由下述式(1a)表示的結構單元，下述式(1a)中的Y

本發明提供固化膜形成用組合物，其能夠以比較低溫和短時間的條件形成作為取向材使用、并在其上配置聚合性液晶的層時顯示出優異的液晶取向性、光透過性和耐溶劑性的固化膜。本發明是一種固化膜形成用組合物，含有作為(A)成分的具有麥克爾加成供體部位的...

本發明提供尤其是干蝕刻速度高的抗蝕劑下層膜、該抗蝕劑下層膜形成用組合物、抗蝕劑圖案的形成方法、和半導體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，含有具有至少1個二硫醚鍵的2官能以上化合物、3官能以上化合物和/或反應生成物、以及溶劑。...