本發明公開了一種自驅動仿生視覺?觸覺融合傳感器陣列及其制備方法，涉及仿生智能感知技術領域，該傳感器陣列，包括柔性襯底和至少一個傳感單元。柔性襯底包括通過彈性介質相對間隔設置的第一柔性襯底和第二柔性襯底。傳感單元集成了光電突觸晶體管和摩擦...

本發明屬于異構通信網絡安全技術領域，公開了一種基于多跳注意力超圖卷積的異構通信網絡物理層安全資源聯合分配方法、系統、設備及介質，其方法為：更新節點特征矩陣定義超圖卷積的傳播算子，再根據超邊種類和傳播算子，更新多跳節點特征矩陣進行注意力聚...

本發明公開了一種基于多特征交叉表示與注意力融合機制的Tor網站指紋識別方法，通過獲取用戶在Tor網絡中的網頁訪問過程所產生的原始流量軌跡數據；基于原始流量軌跡數據，分別生成方向聚合矩陣、間隔聚合矩陣和圖像結構特征；將方向聚合矩陣、間隔聚...

本發明公開了一種可重構避障式微波無線功率傳輸系統，包括上位機、控制電路以及可重構超表面單元；所述上位機用于計算可重構超表面產生高彎曲度艾里波束的相位分布，并進一步離散化1?bit產生0?1編碼比特流；所述控制電路用于將上位機產生的比特流...

本發明公開了一種基于多聚焦圖像融合的空間目標大轉角ISAR成像方法，包括：沿高度維對待測目標所在的空間區域進行空間劃分得到多個子空間，并確定目標回波信號在每個子空間內的相位誤差項，其中，所有子空間互不重疊；根據每個子空間的相位誤差項分別...

本發明公開了一種采集刺激原位集成的電容耦合型有源神經電極陣列及其制備方法；該電極陣列包括柔性襯底及其上的多個神經電極單元；該神經電極單元包括：兩處硅納米膜、柵介質層、金屬層和電容耦合介質層；其中，兩處硅納米膜位于柔性襯底上，柵介質層覆蓋...

本發明提出了一種基于改進模式濾波法的球面近場天線測量方法，實現步驟為：計算待測天線的球面波模式展開系數；基于改進模式濾波法對球面波模式展開系數進行模式濾波；計算天線的遠場方向圖。本發明在基于改進的模式濾波函數對球面波的模式展開系數進行模...

本發明公開了一種拼接鈣鈦礦太陽電池組件及其制備方法，組件包括：鈣鈦礦電池單元，鈣鈦礦電池單元由若干個呈陣列方式排布的鈣鈦礦電池拼接而成，沿第一方向相鄰兩個鈣鈦礦電池之間的交疊區域為第一熔接連接區，沿第二方向相鄰兩個鈣鈦礦電池之間的交疊區...

本發明公開了一種基于加權掃描策略SSM的腹腔鏡視頻語義分割方法，方法包括將待分割的腹腔鏡圖像輸入腹腔鏡視頻語義分割網絡模型，以使模型輸出分割預測結果；其中初始模塊對腹腔鏡圖像進行初始特征提取，得到初始特征；雙分支編碼器基于初始特征通過局...

本發明公開了一種基于人工智能技術的半導體摻雜材料勢函數建模方法，構建了半導體摻雜材料DFT擬合訓練數據庫和DFT驗證數據庫，不僅涵蓋了基礎未摻雜原子構型，更融合了包含對應缺陷類型的不同摻雜場景的原子構型。基于DFT擬合訓練數據庫中訓練組...

本發明公開了一種基于RK3588的實時目標跟蹤方法及系統，解決了現有技術中圖像處理模塊存在的不易集成、輸出頻率低、實時性差等問題，實現了融合不同算法的推理結果，并實時輸出目標的脫靶量信息；該方法包括：對待處理的圖像數據，并行執行基于深度...

本發明公開了一種陣列天線波束賦形的非規則子陣劃分設計方法，包括：基于預設的子陣集合和陣列天線陣面，構建非規則子陣劃分陣面的關聯數學模型，子陣集合包括多個非規則候選子陣，關聯數學模型用于表征多個非規則候選子陣與天線陣面中所有陣元的歸屬關系...

本發明具體涉及一種實現用戶固有身份信息綁定的匿名憑證標識安全構造方法，屬于密碼學與安全多方計算領域。包括：用戶基于固有身份信息生成Pedersen承諾并經UIP簽名；利用委員會公鑰加密身份信息，生成輔助掩碼及零知識證明；委員會驗證后，各...

本發明提供一種基于雙曲狀態空間模型的自動調制識別方法，包括以下步驟；步驟1：對無線通信信號進行統一的數據預處理；步驟2：基于預處理后的數據構建基于雙曲空間的自動調制識別模型；步驟3：為基于雙曲空間的自動調制識別模型定義誤差損失函數；步驟...

本發明公開了一種基于多邊形插值的天線罩電性能區間分析方法，包括：生成天線罩誤差參數集合、實際角度組合和采樣角度組合，計算透射系數的真實多邊形區間和采樣多邊形區間；通過對采樣多邊形區間進行頂點重采樣得到頂點均勻分布的重采樣多邊形區間；隨后...

本發明公開了一種基于序列連續性的ISAR圖像旋轉速度估計方法，該方法依托SeqFormer網絡架構，結合可分解實例查詢機制與跨幀特征建模策略，充分挖掘相鄰幀間的旋轉一致性與幾何關聯性。本發明通過在多幀圖像間建立旋轉動態約束，實現了對目標...

本發明公開了一種雙極化毫米波寬帶可重構超表面天線陣列，由nXn個1?bit寬帶可重構單元排列構成；1?bit寬帶可重構單元沿Z軸方向，從上至下依次設置輻射貼片層、介質層一、直流饋電層一、黏合層一、直流饋電層二、介質層二、黏合層二、金屬地...

本發明公開了一種硅終端金剛石與氮化硼集成的CMOS器件及方法，涉及半導體器件技術領域，CMOS器件包括集成于同一金剛石襯底層且間隔設置的NMOS器件和PMOS器件，NMOS器件位于金剛石襯底層的第一區域，PMOS器件位于金剛石襯底層的第...

本發明公開一種基于幀計算3D刺激閃爍周期的?SSVEP?VR?腦機接口方法及系統，通過幀計算3D小球閃爍周期，能夠更準確、更穩定地實現3D小球閃爍。依托?Unity?引擎與?VR?技術搭建含中央抗疲勞注視點的半球狀?3D?刺激界面，經線...

本發明屬于超寬帶定位技術領域，尤其涉及一種剛度引導的非對稱彈性勢能UWB魯棒定位方法，該方法將定位殘差抑制問題重構為物理系統的平衡問題，通過引入虛擬錨節點將標量殘差映射為具有方向信息幾何位移矢量，并構建連續可微的非對稱彈性勢場，實現對正...