基片和壓電諧振器連接強度和電氣可靠性得到改善的壓電元件。壓電諧振器包括帶圖形電極的絕緣基片。壓電諧振器安裝在基片上。支承構件粘合在壓電諧振器的波節點上。支承構件的第一平面被第一片支承材料粘合在壓電諧振器的振動電極上；第二平面被第二片支承...

一種熱電紅外傳感元件，它能提高且容易改變相對檢測靈敏度，還可降低成本。該傳感元件包括具有預定厚度且熱電層和內電極交替層疊的熱電元件。內電極垂直其長度方向的端部邊緣交替地暴露于熱電無件的兩個端面，且外電極分別與諸內電極的端部邊緣相連。傳感...

本發明提供一種熱電紅外傳感器器件（１０），包含由熱電材料制成的基片（１２），該基片有一個主平面和一個剩下的主平面，由一個主平面接收紅外線，一在所述基片的這塊主平面上形成梳形電極（１４），并且基片（１２）被梳形電極（１２）極化，其特征在于...

一種帶有導線的樹脂成型品的制造方法，系將通過導線框架連接部８ａ而連接多根導線端子３～７的導線框架８配置在模具內，在將熔化樹脂注入空腔并使其硬化而形成樹脂成型部２時，在所述空腔外，將熔化樹脂注入用相鄰的導線端子３～７與導線框架連接部８ａ所...

提供了一種半導體陶瓷，其沖擊擊穿電壓很高，且幾乎不層狀開裂。在此具有正電阻－溫度特性的半導體陶瓷中，如此設定一晶粒的晶粒內電阻與晶粒之間的晶粒間電阻（它們確定具有正電阻－溫度特性半導體陶瓷電阻值）之比值，從而該晶粒內電阻小于半導體陶瓷電...

相對于主要組分，將約０．０６－５．０％重量（按ＭｏＯ↓［３］計）的鉬次要組分加入到含Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ和Ｏ的壓電陶瓷組合物的主要組分中。次要組分較好加入到煅燒后的主要組分中，然后將所得的混合物燒成，產生燒結的壓電陶瓷組合物。加入次要組分提...

本發明所揭示的是壓電陶瓷組合物，它包含（Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］）Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］，或（Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］）↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］為基本組分，其中Ｍ至少是一種...

本發明提供一種介電陶瓷組合物，它包括１００份（重量）由（ＢａＯ）＃－［ｍ］.ＴｉＯ＃－［２］＋Ｍ＃－［２］Ｏ＃－［３］＋Ｒ＃－［２］Ｏ＃－［３］＋ＢａＺｒＯ＃－［３］＋ＭｇＯ＋ＭｎＯ（其中Ｍ＃－［２］Ｏ＃－［３］代表Ｓｃ＃－［２］Ｏ＃－...

本發明揭示一種壓電振動裝置，這種壓電振動裝置能夠抑制諧振部分之間的干擾，得到滿意的諧振特性，而且其中的部件具有足夠的機械強度。在這種壓電振動裝置中，多個諧振部分設置在壓電基片上，并且這樣的設置縫隙，使所述縫隙從壓電基片的一側延伸到壓電基...

一種制造樹脂模制插件產品的方法能防止產生樹脂毛邊。該方法包括以下諸步驟：準備一樹脂注塑模，該模有一在其上設有一凹部的內壁的空腔；準備一金屬構件，該金屬構件待被放于空腔內并與樹脂整體模制在一起，該金屬構件有一配合于樹脂注塑模的凹部中的金屬...

本發明提供了鈦酸鋇半導體陶瓷，它具有在室溫下較低的電阻率和較高的耐壓，能完全滿足提高耐壓的要求。鈦酸鋇半導體陶瓷的平均陶瓷顆粒尺寸控制至大約０．９μｍ或更小。通過這樣的控制，陶瓷具有在室溫下較低的電阻率和較高的耐壓，完全滿足目前提高耐壓...

一種壓電諧振器，包括基件，所述基件包括多個層疊的壓電層和內部電極。相鄰的壓電層沿不同方向極化，而在它們之間設置有內部電極。在基件的一個側面上設置凹槽，并在凹槽的兩側每隔一個露出內部電極。在內部電極未露出部分設置絕緣薄膜。在基件凹槽的兩側...

一種壓電元件，包含其上設置有圖案電極的基片。壓電諧振器放置在基片上。壓電諧振器產生縱向振動，并包含基件。外部電極設置在形成在基件的一個側面上的凹槽的兩側。在基件沿縱向的中心處，由導電材料制成的支承件設置在外部電極上。支承件通過導電粘合件...

一種制造具有壓電基片和設置在所述壓電基片上的叉指式換能器的聲表面波器件的方法，包括下述步驟：在壓電基片上形成由無機材料或有機材料制成的覆蓋層，以覆蓋所述叉指式換能器，以及由激光蝕刻覆蓋層，以調節聲表面波器件的工作頻率。

本發明涉及一種諧振元件的制造方法，包括以下步驟：制備層疊體；在形成有絕緣薄膜的大致整個表面上形成外部電極；在形成所述外部電極的表面上形成多個凹槽，并平行于所述凹槽地切割層疊體；其中所述第一列中第一組所述開口設置在每一個所述內部電極的交替...

本發明提供了一種組合物，該組合物主要包含下式表示的組合物：（１－ｎ）（Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］－ｎＭ１Ｍ２Ｍ３Ｏ↓［３］其中Ｍ１代表三價金屬元素，如Ｂｉ；Ｍ２代表單價...

本發明提供了一種壓電陶瓷組合物，該組合物主要包含下式表示的組合物：（１－ｎ）（Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］－ｎＭ１Ｍ２Ｏ↓［３］其中Ｍ１代表二價金屬元素，如Ｍｇ；Ｃａ、Ｓ...

本發明提供了一種半導電陶瓷，其絕緣強度為８００Ｖ／ｍｍ或更大，并且室溫的電阻率為１００Ω.ｃｍ或更小，室溫的電阻率大致上沒有歷時變化。半導電陶瓷由經燒結的含鈦酸鋇的半導體材料制成，其中半導電陶瓷的平均顆粒尺寸為１．０μｍ或更小，在陶瓷的...

一種含鈦酸鉛的壓電陶瓷組合物，它具有優良的諧振頻率溫度穩定性，適用于濾波器、振蕩器等，還提供一種用該壓電陶瓷組合物的壓電元件。包括含ＰｂＴｉＯ↓［３］的陶瓷材料的壓電基片在正反面帶有振蕩電極。在組成滿足０．０２≤ｘ≤０．１６和０．１５≤...

本發明提供了一種紅外傳感器，包含：管座；安裝在管座的一側上的熱電元件；轉換電路，用于將熱電元件中產生的電荷轉換為信號；和多個引線端子，它們延伸到管座的另一側延伸，并電氣連接到轉換電路，通過堵塞將引線端子固定到管座上。