由通式Ｐｂ＃－［α］［｛Ｎｉ＃－［ｗ／３］Ｎｂ＃－［１－（ｗ／３）］｝＃－［ｘ］Ｔｉ＃－［ｙ］Ｚｒ＃－［ｚ］］Ｏ＃－［３］表示的壓電陶瓷組合物。Ｂ點(diǎn)變量ｘ、ｙ和ｚ位于三元圖解的預(yù)定區(qū)域中。所述Ｎｉ－Ｎｂ摩爾比例變量滿足關(guān)系０．８５≤ｗ＜...

本發(fā)明在即使形成薄層狀及多層結(jié)構(gòu)或采用Ａｇ含有率高的內(nèi)部電極材料的情況下，也能夠得到具備較高的壓電ｄ常數(shù)，且可抑制絕緣電阻劣化等可靠性下降的層疊型壓電部件。由通式ＡＢＯ＃－［３］表示的ＰＺＴ系鈣鈦礦型復(fù)合氧化物形成了壓電陶瓷基體的層疊型...

一種在使芯片元件移動(dòng)時(shí)能防止歪倒或位置偏移、并在搬送中防止鉤掛在頂板面的凹凸部的芯片元件的搬送保持裝置。在轉(zhuǎn)臺(tái)（２）上形成收容芯片元件（Ｗ）的收容孔（２ａ）并形成吸引保持該芯片元件（Ｗ）的吸引通路（１５），在吸引保持在收容孔（２ａ）內(nèi)的...

一種玻璃陶瓷組合物，其特征在于，含有ＴｉＯ↓［２］：５～７５重量％、ＣａＴｉＳｉＯ↓［５］；５～７５重量％以及玻璃：１５～５０重量％。

一種Ｓｉ太陽電池的背面電極形成用導(dǎo)電漿，其特征在于，含有Ａｌ粉末、玻璃熔塊、有機(jī)展色料、以及對(duì)該有機(jī)展色料難溶性或不溶性的粒子，該粒子是有機(jī)化合物粒子或碳粒子中的至少一種。

一種超聲波接合方法，系向接合構(gòu)件施加超聲波振動(dòng)、使其與被接合面接合，其特征在于，　　　　所述接合構(gòu)件的超聲波振動(dòng)方向的兩側(cè)面由附加所定超聲波振動(dòng)的附加構(gòu)件和夾持構(gòu)件所夾持，　　　　所述夾持構(gòu)件利用從所述附加構(gòu)件經(jīng)由接合構(gòu)件傳遞的超聲波振...

一種電子零件的試驗(yàn)方法，是設(shè)定由老化溫度、老化電壓以及老化時(shí)間決定的規(guī)定的負(fù)荷量，加上與所述負(fù)荷量等量的負(fù)荷對(duì)電子零件進(jìn)行老化的電子零件的試驗(yàn)方法，其特征在于，包含　　　　將具有負(fù)電阻溫度特性的電子零件放置在低于老化溫度的規(guī)定溫度下，使...

一種層疊型電子元器件，其特征在于，包括　　　　層疊體，所述層疊體具有將電氣絕緣性的多個(gè)絕緣層與沿所述絕緣層間的特定界面形成的內(nèi)部導(dǎo)體膜沿厚度方向?qū)盈B的結(jié)構(gòu)，以及　　　　設(shè)置在露出在所述層疊體外部的面上的外部導(dǎo)體膜；　　　　沿所述絕緣層間...

在一種電子元件裝置中，底板上電子元件的電極和各配線通過凸起用超聲波振動(dòng)集體結(jié)合在一起。所述配線包括與超聲波振動(dòng)方向基本平行的配線和與超聲波振動(dòng)方向基本垂直的配線。位移抑制層設(shè)置在與超聲波振動(dòng)方向基本垂直的配線下的部分中的底板內(nèi)。

提供了一種用于測(cè)量具有第一和第二外部電極位于第一和第二相對(duì)端處的片形電子部件的電特性的裝置。保持具有第一和第二外部端子電極２和３指向接納腔５的第一和第二開口端６和７的電子部件４的保持件１４具有屏蔽層１５，它在第一和第二測(cè)量端子９和１０之...

提供了一種在其一主表面上具有電極的電路元件和在其一主表面上具有連接凸起電極和識(shí)別凸起電極的基片。用引線接合法，在連接凸起電極和識(shí)別凸起電極上形成連接凸起和識(shí)別凸起。根據(jù)由光學(xué)設(shè)備拾取識(shí)別凸起的圖象，檢測(cè)識(shí)別凸起的位置，并根據(jù)檢測(cè)到的識(shí)別...

本發(fā)明提供了一種具有極佳結(jié)晶度和極佳電性能的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件中包括一個(gè)具有極佳表面平滑度的ＺｎＯ薄膜。主要含有ＺｎＯ的ＺｎＯ基薄膜（一個(gè)ｎ型接觸層６，一個(gè)ｎ型覆蓋層７，一個(gè)活性層８，一個(gè)ｐ型覆蓋層９，和一個(gè)ｐ型接觸層１０）通過Ｅ...

本發(fā)明提供一種能防止空氣裹入陶瓷基板和樹脂層間的界面上、并能防止陶瓷基板和樹脂層間剝離的層疊型電子元器件及其制造方法。準(zhǔn)備在一個(gè)主表面上形成一直延伸到側(cè)面的第１種溝槽７ａ的陶瓷基板１Ａ、和含有半固化狀態(tài)的熱固化樹脂的樹脂片１０Ａ，將樹脂...

一種制造電子部件的方法，其中，在樹脂密封部分中幾乎不會(huì)出現(xiàn)空隙以及特性隨時(shí)間的退化，并且可以降低成本，通過將安裝在公共安裝襯底（１１）上的ＳＡＷ元件（２）和樹脂膜（１２）放入具有阻氣性的袋（１３）中，并利用袋（１３）內(nèi)外之間的壓力差，使...

本發(fā)明涉及一種具有厚膜電極作為外電極的多層陶瓷電子器件，如多層壓電器件。根據(jù)本發(fā)明的一種多層陶瓷器件包括安置在壓電陶瓷體１上的外電極３ｂ，所述壓電陶瓷體１含有內(nèi)電極２ｄ和２ｅ。外電極３ｂ由燒結(jié)體形成，其中Ａｇ柵格６整個(gè)嵌埋在主要由Ａｇ組...

已有的復(fù)合陶瓷基板，由于整個(gè)復(fù)合陶瓷基板隨著母基板的撓曲而撓曲，因此在安裝著從動(dòng)零部件和主動(dòng)零部件等安裝零部件的陶瓷基板情況下，這些安裝的零部件不能夠隨著陶瓷基板的撓曲而撓曲，表面裝配零部件的外部連接用端子有可能從陶瓷基板的電極上脫落，...

主要組分具有通式｛（１－ｘ）（Ｋ↓［１－ａ－ｂ］Ｌｉ↓［ｂ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｃ－ｄ］Ｔａ↓［ｃ］Ｓｂ↓［ｄ］）Ｏ↓［３－ｘ］（Ｍ１↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］）↓［ｎ］Ｍ↓［２］Ｏ↓［３］｝（其中Ｍ１為Ｃａ，Ｓｒ或Ｂａ，Ｍ２為Ｔ...

紅外線傳感器（１）的制造方法，該方法包括以下步驟：制備一體形成有第一電極（２３ａ）及兩個(gè)或以上由低熱傳導(dǎo)率制成的具有預(yù)定高度的支撐部（２２ａ和２２ｂ）的基座（２０），所述第一電極和支撐部設(shè)置在基座（２０）的其中一個(gè)主表面；制備熱電元件（...

壓電陶瓷組合物的組成以組成式（Ｐｂ↓［（ａ－ｂ）］Ｍｅ↓［ｂ］）｛（Ｎｉ↓［（１－ｃ）／３］Ｚｎ↓［ｃ／３］Ｎｂ↓［２ｄ／３］）↓［ｚ］Ｔｉ↓［ｘ］Ｚｒ↓［（１－ｘ－ｚ）］｝Ｏ↓［３］表示，前述Ｍｅ為選自Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ的至少１種元素，...

提供一種不僅能防止內(nèi)部電極間的電荷遷移而且在重復(fù)施加溫度變化時(shí)也難以產(chǎn)生極化度減小造成的劣化的、使用疊層型壓電體的壓電元件。其中，壓電元件（１）在以壓電層為中介疊積連接第１電位的第１內(nèi)部電極（３ｂ、３ｄ）和連接與第１電位不同的第２電位的...