一種鈦酸鋇系半導體瓷器組合物，其特征在于，以鈦酸鋇或其固溶體為主成分，還添加含有半導體化試劑和添加劑的鈦酸鋇系半導體瓷器組合物中，前述主成分ＢａＴｉＯ↓［３］中一部分Ｂａ被１～２５摩爾％的Ｃａ、１～３０摩爾％的Ｓｒ和１～５０摩爾％的Ｐｂ...

本發明提供了一種壓電陶瓷以及制備該壓電陶瓷元件的方法，該方法包括下述步驟：＄（１）混合各個組分以形成至少包含Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ和Ｎｂ的氧化物的混合物；＄（２）煅燒上述的混合物以得到煅燒產物；＄（３）粉碎上述的煅燒產物并加入以ＣｕＯ計...

本發明涉及一種含有陶瓷化合物和錳的壓電陶瓷組合物。陶瓷化合物是主要組分，它可用通式（Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］）Ｂｉ↓［２］Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［９］表示。在該式中，Ｍ是二價金屬元素，而ｘ滿足０≤ｘ≤０．３。當折算為ＭｎＣＯ↓［３］時，錳的...

本發明提供了一種形成布線圖案的工藝，包含步驟：通過光掩膜使抗蝕劑曝光，所述光掩膜具有線寬等于或小于分辨極限的圖案；并使曝光后的抗蝕劑顯像，以形成抗蝕劑圖案，它的表面上具有槽凹陷，凹陷未達到抗蝕劑圖案的背面。抗蝕劑可以是正抗蝕劑，其中抗蝕...

本發明提供了一種形成布線圖案的方法，其特征在于包含步驟：在基片上形成具有抑制收縮效應的抗蝕圖案；通過烘焙抗蝕圖案使氣體從抗蝕圖案中釋放；在基片和抗蝕圖案上形成電極材料薄膜，同時將基片的溫度保持在低于抗蝕圖案的烘焙溫度；并通過將抗蝕圖案從...

本發明提供了一種形成介質薄膜圖案的方法，包含步驟：通過汽相淀積方法，在其上具有抗蝕圖案的基片上淀積介質薄膜，其中將ＣｅＯ＃－［２］，Ｓｍ＃－［２］Ｏ＃－［３］，Ｄｙ＃－［２］Ｏ＃－［３］，Ｙ＃－［２］Ｏ＃－［３］，ＴｉＯ＃－［２］，Ａｌ...

極化處理壓電材料的方法。測定由１８０°旋轉而獲得的最大極化強度△ｆ＃－［１８０ｍａｘ］，比較作為目標值的剩余極化強度△ｆ與最大極化強度△ｆ＃－［１８０ｍａｘ］。如果△ｆ≤△ｆ＃－［１８０ｍａｘ］，確定使極化強度△ｆ完全由１８０°旋轉而獲...

一種壓電陶瓷組合物，它包括由通式（Ｃａ↓［１－ｘ］Ｍｌ↓［ｘ］）Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］表示的主要組分，其中Ｍ１是除Ｃａ之外的二價金屬和Ｂｉ之外的三價金屬中的一種金屬，０＜ｘ≤０．３；以及作為輔助組分的錳，其量按ＭｎＣＯ↓［...

一種無鉛的壓電陶瓷組合物，該組合物包括以通式（Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｍ１↓［ｘ］）Ｂｉ↓［２］（Ｎｂ↓［１－ｙ］Ｗ↓［ｙ］）↓［２］Ｏ↓［９］表示的主要組分，Ｍ１是除Ｓｒ之外的二價金屬和除Ｂｉ之外的三價金屬中的一種金屬，０＜ｘ≤０．３，０＜ｙ...

本發明提供一種靜磁波器件，它可以在施加一種恒定的外磁場下同時工作于多個頻帶。它包含：襯底；以及位于襯底上的第一和第二磁性石榴石單晶薄膜，第一和第二層具有不同的磁飽和。比較好的是，構成磁性石榴石單晶薄膜的其中一層的厚度小于靠近襯底的另一層...

一種用具有比常規產品更高耐熱性和壓電特性的壓電陶瓷制成的壓電蜂鳴器。壓電蜂鳴器１０具有金屬板１２，依次形成于金屬板１２上的壓電陶瓷１４和電極１６。形成壓電陶瓷的壓電陶瓷組合物中用通式Ｐｂ↓［Ａ］［（Ｔｉ↓［ｘ］Ｚｒ↓［１－ｘ］）↓［ａ］...

本發明提供了一種用于電子部件的封裝，包含其側表面上具有至少一個凹部的基片，所述基片的上表面和底表面上具有電極，還具有設置在所述凹部內的導電圖案，從而上表面上的電極通過所述導電圖案電氣連接到底表面上的電極。封閉的側壁具有確定了一個適合于接...

本發明的目的是提供能制造壓電陶瓷燒結體的壓電陶瓷材料，這種壓電陶瓷燒結體具有設計窄帶濾波器所需的機電耦合系數小、諧振電阻小和諧振頻率對溫度依賴性小之類的性能，該壓電陶瓷材料含有用通式（Ｐｂ↓［ａ］Ｓｒ↓［ｂ］）（Ｚｒ↓［ｃ］Ｔｉ↓［ｄ］...

一種壓電元件，包含多個由含有Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔｉ，和Ｏ的壓電材料構成的壓電層，至少３個相對的振動電極，每一個設置在壓電層之間，以及形成在振動電極重疊的區域中的能量約束區域，能量約束區域平行于振動電極的平面，并激勵ｎ次諧波縱向厚度振動。能量約...

一種含Ｗ的燒結壓電陶瓷材料以及使用該材料的壓電轉換器，Ｗ化合物或Ｗ氧化物在這種材料中的分離受到抑制。該陶瓷材料含有鈦酸鉛作為主組分；含Ｍｎ氧化物或含Ｍｎ化合物、含Ｗ化合物或含Ｗ氧化物作為輔助組分；含Ｓｉ氧化物或含Ｓｉ化合物作為添加組分。...

一種主要包括ＣａＢｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］或其它具有層狀鈣鈦礦晶體結構，在常溫下顯示鐵電性的化合物的陶瓷組合物。將該組合物樣品置于氧化鋁燒箱中，其中分散有粉末氧化鋯，以防止咬住，樣品上放置氧化鋁蓋板。然后加熱至高于陶瓷組合物熔...

一種壓電陶瓷材料具有優良的機械強度、優良的耐化學物質性能和優良的耐濕性。本發明的壓電陶瓷材料含有氧化鉛，其中在透射電子顯微鏡下觀察到的并由許多構成燒結壓電陶瓷材料而且彼此相鄰的晶粒所限定的封閉區主要由無定形相構成。

將絕緣電極設置在作為表面安裝元件的多層元件的安裝表面上，以便與安裝表面上的其它元件絕緣。對于施加到絕緣電極的焊劑，施加范圍能夠安全地限定在絕緣電極內的區域。

本發明揭示一種壓電陶瓷及其制造方法。這種壓電陶瓷包括以鈦酸鉛為主要成分，以ＷＯ↓［３］表述的鎢相對于所述主要成分的重量約占０．１到５％，并且構成所述壓電陶瓷的７５％以上的結晶粒子，粒徑分布在０．２μｍ到０．８μｍ的范圍內。這種壓電陶瓷即...

提出一種高載流子遷移率半導體薄膜的制造方法和配用該方法制造的半導體薄膜的磁電轉換元件。將硅單晶襯底的溫度升至２７０℃～３２０℃，用電子束加熱型真空蒸發法形成銦緩沖層，接著形成由銻與銦組成的原始籽晶層。將硅單晶襯底的溫度升至４６０℃～４８...