一種用于負電源電壓的薄層ＳＯＩ集成功率器件，屬于半導體功率器件領域。本發明在ＳＯＩ層上至少集成了ｎＬＩＧＢＴ、ｐＬＤＭＯＳ和ｎＬＤＭＯＳ中的兩種或三種高壓器件，同時還可集成低壓ＭＯＳ器件；不同的器件之間通過埋氧層和與埋氧層相連的介質隔離...

一種高壓功率器件結構，屬于半導體功率器件技術領域。所述高壓功率器件結構的重復單元結構包括２Ｎ個器件元胞、第一金屬電極和第二金屬電極；第一金屬電極為條狀結構，具有Ｘ個金屬引出端；２Ｎ個器件元胞平均分成兩排，分別位于第一金屬電極兩側；第二金...

一種用于集成電路芯片ＥＳＤ保護的低壓ＳＣＲ結構，屬于電子技術領域。包括兩類低壓ＳＣＲ　ＥＳＤ保護器件，第一類器件集成了２個Ｎ阱二極管和２個ＮＭＯＳ，其中Ｎ阱二極管連接于Ｉ／Ｏ和ＶＤＤ之間，ＮＭＯＳ連接于ＶＤＤ和ＶＳＳ之間，且Ｎ阱二極管和...

本發明公開了一種數據快速捕獲與過濾轉發裝置，數據由數據捕獲內核模塊進入，然后由數據過濾模塊進行判斷，根據數據過濾模塊的判斷結果，進行相應的處理：對于無需進行分析處理的數據，直接送至數據轉發內核模塊進行數據轉發；對于需要進行分析處理的數據...

該發明屬于兩跳中繼站無線通信方法。包括初始化信道質量閥值，資源塊的分配，鏈路數據的分配、緩存及閥值的調整，剩余資源塊的處理，中繼用戶傳輸速率的判斷，第二跳資源塊的分配，第一、第二跳資源塊的綜合分配，直連用戶傳輸速率的判斷，判斷第二跳資源...

本發明公開了一種超高深寬比微型氣相色譜柱及其ＭＥＭＳ加工方法，該微型氣相色譜柱包括多層硅和玻璃，形成一個底層，若干個中間層和一個頂層，利用干法刻蝕技術在各個中間層中形成圖案相同的鏤空的垂直溝槽，而在底層和頂層中形成半刻蝕的垂直溝槽，以硅...

本發明公開了一種可用于在大尺寸硅片上制備ＭＥＭＳ結構的金屬薄膜濕法刻蝕裝置及工藝，其主要內容是：將圖形化的硅片置于特殊設計的夾具上，在腐蝕過程中，硅片浸沒于刻蝕液內，夾具在電機帶動下緩慢勻速旋轉；同時采用高純氮氣輕微攪拌刻蝕液。觀察和監...

本發明公開了一種基于多節點協作的主動式光突發競爭避免方法，由邊緣節點產生探測幀，核心節點接收并處理探測幀，并將信息通過反饋幀傳遞給上游節點，從而使上游節點盡早地主動調整那些以“繁忙”節點為下游節點的突發數據包的傳輸路徑，使這些突發數據包...

本發明涉及石墨烯電致發光顯示器件及其制造方法。石墨烯電致發光顯示器件，包括發光層和介質層以及位于發光層和介質層兩側的下平板電極和上平板電極，其特征在于，所述下平板電極和上平板電極采用石墨烯。本發明還提供了石墨烯電致發光顯示器件的制造方法...

一種基于ＰＳＭ調制模式的自適應電壓調節器，屬于電力電子技術領域，用于負載處理器（ＣＰＵ或ＤＳＰ）電源電壓的自適應在線調節。該自適應電壓調節器采用延遲線復制負載處理器的關鍵路徑，采用負載處理器工作時鐘的Ｎ分頻信號作為延遲測試信號，用觸發器...

一種基于優化ＰＳＭ調制模式的自適應電壓調節器，屬于電力電子技術領域，用于負載處理器（ＣＰＵ或ＤＳＰ）電源電壓的自適應在線調節。該自適應電壓調節器采用延遲線復制負載處理器的關鍵路徑，采用負載處理器工作時鐘的Ｎ分頻信號作為延遲測試信號，用觸...

基于光學偏置的超寬帶高速調制器設計方法，屬于光通信技術領域，涉及集成光學和光波導技術。利用具有較低介電常數和較低損耗因子的有機聚合物設計脊型光波導結構，并且滿足單模傳輸條件。本發明運用路徑非對稱這種光學偏置方法實現馬赫曾德爾調制器的偏置...

基于內嵌共面波導結構的行波型光調制器，涉及電光調制器波導和電極的設計技術，屬于光通信技術領域，涉及集成光學和光波導技術。要解決的技術問題是增強聚合物電光調制器的推挽效率，提高重疊因子，增大調制帶寬，實現高速調制。本發明的行波型電光調制器...

新型無線功率因子實時監測系統的設計，屬于電子信息技術領域，涉及無線系統傳輸技術。發明內容由功率因子計算電路，無線通信系統以及圖形用戶界面三部分設計組成的新型無線功率因子實時監測系統，具有以下優勢：（１）遠端電路包括硬件電路巧妙設計以及修...

本發明公開一種基于過剩光載流子的可調延遲線：控制振鏡的偏轉和偏置電壓的大小，實現延遲時間的連續可調。包括泵浦激光器１、振鏡２、振鏡驅動器３、凸透鏡４、光電探測器５、檢測激光器６、正電極７、半導體材料８、負電極９和可調電壓源１０。泵浦激光...

本發明涉及汽車驅動橋總成主錐螺母與凸緣同步對接的轉接頭裝置，所述轉接頭裝置包括轉接頭內筒、剖分式壓蓋和轉接頭外筒；所述轉接頭內筒和轉接頭外筒均具有內孔，所述轉接頭內筒的內孔具有與主錐螺母外徑相嚙合的形狀；轉接頭內筒的外圓周表面的中部具有...

該發明屬于微波器件中的大功率固體波導衰減器，包括散熱片，導熱油儲油杯，波導體及等腰梯形密封腔、設于密封腔內的由等腰梯形金屬片分隔成的隔離腔及位于各隔離腔內的等腰梯形衰減片，設于密封腔兩側與儲油杯連通的導熱油進、出管（口）以及充滿密封腔的...

一種Ｖ型微帶曲折線慢波結構，屬于微波真空電子技術領域，涉及行波管放大器件。包括由金屬底板（３）、介質層（２）和平面金屬線（１）形成的微帶傳輸線結構；其特征在于，所述介質層（２）位于金屬底板（３）與平面金屬線（１）之間；所述平面金屬線（１...

本發明公開了一種低復雜度的維納濾波信道估計方法，該方法根據無線移動通信系統的特點以及信號、無線信道相關特性，對維納濾波時間域內插系數進行近似簡化，得到展開簡化后的維納濾波時間域內插系數。利用展開簡化后的維納濾波時間域內插系數計算出的維納...

水下主動電場成像裝置，屬水下成像技術領域。本裝置由發射器１，接收器２，數據采樣器３，數據處理器４四部分組成，所說的發射器由信號發生器（１－１）和發射電極（１－２）組成。所說的接受器由接受電極（２－１）和接受電路（２－２）組成。本裝置有以...