一種應力穩定的MOS晶體管的柵的制造方法，屬于半導體器件領域，尤其涉及關于MOS晶體管的柵的制造方法，來固定鍺硅源漏或鍺硅虛擬襯底引入到MOS晶體管溝道區的應力。它的特征是先在MOS晶體管的柵電極區域淀積原子無序排列的硬度較小的柵材料，...

本發明提供一種在呼叫建立過程中，被叫用戶能進行主動選擇其接入網絡的呼叫建立方法以及實現該方法的無線異構網絡系統。無線異構網絡的反向呼叫建立方法將異構網絡的呼叫建立和垂直切換相結合，使得被叫用戶能在呼叫建立過程中能通過反向呼叫的方式，主動...

本發明公開了一種適用于嚴酷環境下的傳感器網絡系統設計方法，采集野外數據的無線傳感器節點均與Sink節點相連，Sink節點通過GPRS或公安350M數字集群專網與監控中心進行數據通信，無線傳感器節點之間采用Zigbee通信協議，為無線傳感...

本實用新型涉及通信技術，特別涉及一種手機和無繩電話子機的一體化移動通信設備。本實用新型公開了一種移動電話固定電話一體機，既有移動電話的功能，又能夠無線接入固定電話網絡，完成固定電話通信業務。本實用新型的技術方案是，移動電話固定電話一體機...

本發明涉及光纖傳感器。本發明公開了一種基于相位敏感光時域反射法和偏振敏感光時域反射法相結合的光纖擾動探測方法及其分布式光纖傳感系統，以提高光纖擾動的探測精度和可靠性。本發明的光纖擾動探測方法，包括以下步驟：ａ．向光纖注入具有確定偏振態的...

本發明涉及一種在砷化鎵基片上外延生長鈦酸鍶薄膜的方法。包括如下步驟：步驟1：對GaAs基片做表面處理形成原子級平整的Ga原子為終結面的清潔表面；步驟2：將步驟1處理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延設備的真空腔體中；...

本發明公開了一種可信802.11DSR鄰節點探測方法，當網絡中任一節點擬發送單播報文且又尚未獲取下一跳鄰節點MAC地址時，可將源路由、網絡層確認請求以及報文內容封裝于802.11廣播幀中發送。下一跳節點收到該廣播幀后，則回送封裝有網絡層...

本發明提供一種能夠簡單且有效地實現無線異構網絡統一化位置管理的無線異構網絡系統以及無線異構網絡統一化位置管理方法。本發明無線異構網絡系統，包括各異構網絡、用戶終端、統一化移動性管理數據庫、對應每一個異構網絡設置的上層網關，上層網關包括位...

本發明公開了一種OFDM/OQAM系統及其時頻同步方法。時頻同步方法包括：粗同步估計步驟，用于估計接收到的基帶接收信號幀序列的頻偏估計值；頻偏補償步驟，用于將粗同步估計步驟得到的頻偏估計值對接收到的基帶接收信號幀序列進行頻偏補償，得到r...

本發明公開了一種基為M1＝{2n-1，2n+1，2n}和M2＝{2n-1，2n+1，22n+1}的余數系統(RNS)的后向轉換(R2B)裝置及方法，它是將RNS數轉換為二進制整數。在本發明中，首先根據M1和M2的特點，即它們有共同的一組...

本發明公開了一種基于余數系統的矩陣求逆裝置及方法，它是通過特定的余數基，將傳統的基于二進制補碼數值表征系統的矩陣求逆的運算劃分為多個并行獨立的數據通道,以減小系統復雜度和關鍵路徑時延。基于此，本發明公開的基于余數系統的矩陣求逆運算結構包...

本發明公開了一種基于層次型IP網絡坐標系統的節點間時延預測方法，其特征在于，包括以下步驟：A通過系統模型和實測時延確定節點的全局坐標；B選取實測時延值位于[0ms，Nms]內的參考節點，N＜100，并依據參考節點時延信息確定節點的局部坐...

本發明屬于網絡安全領域中對帶保護殼的惡意軟件進行脫殼處理的方法，包括初始化處理，獲取加殼惡意軟件的原始入口點參數和斷點位置參數，獲取輸入表，待脫殼軟件的轉儲及脫殼后軟件的獲取。該發明將可用于惡意軟件加殼保護的殼特征參數作為鑒別惡意軟件殼...

本發明公開了一種基于余數系統的快速傅立葉變換系統，其通過特定的余數基，將傳統的基于二進制補碼數值表征系統的快速傅立葉變換的運算和存儲單元劃分為多個并行獨立的數據通道，以減小系統復雜度和關鍵路徑時延。基于此，本發明公開的基于余數系統的FF...

Turbo均衡是指利用Turbo碼的譯碼原理進行迭代譯碼，將Turbo碼的前級譯碼結構替換為SISO均衡器，將均衡器輸出的外信息輸入譯碼器進行譯碼并將譯碼外信息反饋到前端進行迭代譯碼。本發明提出了一種減小Turbo均衡計算復雜度的改進方...

本發明利用光子帶隙結構的磁可調特性實現了一種新型的磁光調制開關裝置，它主要由偏振控制器、磁光子帶隙材料、磁場產生裝置、驅動電路和調制開關電路等組成。該裝置可以通過對光子帶隙結構的設計來實現模擬或數字信號的磁光調制、磁光開關以及可調濾波等...

該發明屬于網絡安全技術領域中針對惡意軟件軟件保護殼的殼特征提取方法；包括對有殼保護的軟件初始化處理，斷點位置參數的提取，原始入口點參數的預提取，輸入表數據的獲得及原始入口點參數的驗證，殼特征輸出。該發明首先提取用于獲取輸入表的斷點位置參...

一種具有橫向復合緩沖層結構的LDMOS器件，屬于功率半導體器件技術領域。本發明在現有的LDMOS器件漂移區內的導電通道區域引入橫向復合緩沖層結構。該橫向復合緩沖層結構由橫向間隔排列的N型摻雜柱區和P型摻雜柱區構成，且N型摻雜柱區和P型摻...

本發明公開了一種Booth編碼器以及基于該Booth編碼器的模(2n-1)乘法器。本發明是針對現有的模(2n-1)乘法器耗費資源，速度較低而提出的。其中，Booth編碼器由Booth譯碼器和Booth選擇器組成，Booth譯碼器包括第一...

本發明公開了一種高階曲率補償的帶隙基準電壓源，具體包括啟動電路、輔助基準電路與指數曲率補償電路、對數曲率補償電路和電流疊加電路。本發明的基準電壓源通過輔助基準電路與指數曲率補償電路在低溫區采用了指數曲率補償，通過對數曲率補償電路在高溫區...