本發明公開了一種交織多址系統(IDMA)中的一種迭代定時同步電路及方法，方法步驟為：步驟一、由IDMA系統的基站端利用其迭代檢測過程中的信噪比-方差演進技術對不同用戶的時偏進行估計；步驟二、將各個用戶的時偏信息反饋到相應用戶的發送端；步...

一種功率半導體器件的3D-RESURF結終端結構，屬于功率半導體器件技術領域。本發明在功率半導體器件的結終端耐壓區【即：與器件有源區相連的P型重摻雜區(12)和結終端遠端的N型重摻雜電場截止環(17)之間的N層(16)】的頂部引入一層P...

一種基于邊緣梯度方向金字塔直方圖的虹膜識別方法，屬于計算機圖像處理技術領域。本方法針對虹膜樣本圖像和待識別虹膜圖像首先對歸一化的虹膜圖像進行去噪和灰度校正；然后采用水平方向和垂直方向的sobel算子提取邊緣像素點、并保留強邊緣點；再按邊...

微波等離子體汽車發動機點火器，屬于微波應用技術領域，涉及汽車發動機點火裝置。本實用新型提供了七種不同結構的微波等離子體汽車發動機點火器，利用四分之一同軸諧振腔的末端電壓幅度最大的電磁學原理，在激發器末端實現極高的電場強度，內導體末端的尖...

該發明屬于薄膜傳感器領域中以待測的渦輪發動機葉片等作為基板的薄膜傳感器的生產方法。包括合金基板的表面處理，在合金基板上沉積NiCrAlY合金過渡層，金屬鋁的析出，濺射金屬鋁層，氧化處理，設置Al2O3陶瓷絕緣層，設置薄膜傳感器功能層及A...

一種基于改進的ASM算法的人臉特征定位方法，屬于計算機視覺和圖像處理技術領域。包括如下步驟：特征點的手動標定；上、下模型的統計形狀和局部灰度模型的建立；上、下模型中特征點的獨立搜索匹配；能量函數約束的綜合模型實例生成。本發明針對傳統AS...

一種體內電導調制增強的溝槽型絕緣柵雙極型晶體管(Trench?IGBT)，屬于功率半導體器件技術領域。本發明在常規Trench?IGBT器件結構的基礎上，在器件P-基區和N-漂移區之間引入介質層，有效的阻止了正向導通時P-基區對N-漂移...

一種基于邊緣檢測的集裝箱號碼定位方法，屬于圖像處理技術領域。本發明利用原始集裝箱箱號圖像的灰度信息，經中值濾波后，分別對灰度圖像采用Sobel算子進行水平方向邊緣檢測和垂直方向邊緣檢測，然后根據水平方向的邊緣圖和垂直方向的邊緣圖利用集裝...

本發明屬于計算機視覺技術領域，公開了一種復雜場景的顯著區域檢測方法。本發明的方法具體包括：對輸入圖像進行小波變換；建立多尺度圖像；特征提取；特征疊加。本發明基于人類大腦視覺信息處理機制，在現有的Itti模型基礎上提出了一種復雜場景的顯著...

本發明屬于計算機視覺技術領域，公開了一種基于多特征的目標物體輪廓檢測方法。包括：濾波處理；提取圖像的局部特征；計算各個特征下的抑制權重；制取抑制后的輪廓圖像；二值化處理。本發明采用一組不同朝向的濾波器對輸入圖像進行濾波處理，得到各個朝向...

一種晶閘管型發光二極管的開路保護器，屬于電子技術領域。由一個晶閘管和連接于晶閘管的陽極和控制極之間的電子開關組成；所述晶閘管和電子開關可集成于同一芯片，構成集成晶閘管型發光二極管的開路保護器。該開路保護器與發光二極管并聯使用，當發光二極...

本發明提出了一種新的多模多待手機RAT間切換過程中的信道參數共享裝置和方法，本發明利用當前處于CONNRECTED狀態/模式的RAT中獲取的信道參數，用于新的進入CONNRECTED狀態/模式的其它RAT的信道估計初始參數設置，從而有效...

本發明屬于化學電源領域，具體涉及鋰離子電池用錫鈦薄膜負極的磁控濺射制備方法。其特征在于，使用純錫和純鈦兩個靶交替濺射或者共濺射制備錫鈦薄膜，然后在室溫至300℃間保持0-6h退火處理。在兩靶交替濺射方法中，交替次數大于1時，根據首先濺射...

本發明提供一種在不增加硬件成本以及MAC控制復雜度的基礎上，使用OFDM對上行數據流進行調制的正交頻分復用無源光網絡系統。本發明中上、下行傳輸都采用OFDM調制。對上行數據進行OFDM調制，各個ONU用分配到的承載有效上行數據的頻帶的在...

本發明提出一種空時CPM信號的調制、解調方法，通過調制前對CPM信號進行預處理的空時CPM信號調制方法，使得接收端能夠將接收到的CPM信號能夠以線性信號方式進行解調，以降低解調復雜度低。在對發送序列進行CPM調制之前，先進行調制前的預處...

本發明公開了一種風光儲輸綜合發電站有功功率分配方法，該方法基于動態優化目標及其約束條件構建的目標優化分配模型，根據風光儲輸綜合發電站設定功率pset，考慮風光儲資源特性，通過對風光儲輸綜合發電站中風電場、光伏電站、儲能電池進行動態的、統...

本實用新型涉及一種扇形諧振腔結構的半導體微環激光器，包括激光輸入輸出波導，與激光輸入輸出波導耦合連接的環形諧振腔，所述環形諧振腔呈扇形結構，所述環形腔包括：兩個反射鏡面，所述兩個反射鏡面中尺寸較大的鏡面的形狀呈拋物面，尺寸較小的鏡面的形...

一種帶狀電子注行波管多級降壓收集極，屬于真空電子技術領域。包擴多級依次降壓的電子收集電極，主體收集電極包括依次相連的電子注通道、過渡腔體和橢圓柱腔體，后一級電子收集與前一級電子收集電極相比，其電子注通道截面尺寸逐漸增大、離心率逐漸減小，...

一種基于N型外延層的BCD集成器件及其制造方法，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在同一襯底上集成了高壓nLDMOS器件、高壓nLIGBT器件、低壓PMOS器件、低壓NMOS器件、低壓PNP器件和低壓NPN器件，各器件制作于P型襯底表面...

一種記憶淺槽隔離局部應力的MOS器件柵的形成方法，屬于半導體器件領域，尤其涉及關于柵的形成方法來記憶淺槽隔離區(STI)引入到金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)溝道區的應力。它的特征是先在MOSFET的柵電極區淀積流體性質的柵材料...