一種具有空穴阻擋層的絕緣柵雙極型晶體管，屬于功率半導體器件技術領域。本發明在傳統IGBT結構的基礎上，在器件的N-漂移區內引入一到多層連續或不連續的N+空穴阻擋層，N+空穴阻擋層的引入有效的減緩了正向導通時N-漂移區內少子空穴向發射極的...

一種具有體電極的溝槽柵型絕緣柵雙極型晶體管，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在傳統溝槽柵型絕緣柵雙極型晶體管中引入溝槽型多晶硅體電極，通過優化體電極上的電壓，可以改善傳統溝槽柵型絕緣柵雙極型晶體管電場在溝槽柵下集中的缺點，有效的降低了...

一種深槽側氧調制的平面型絕緣柵雙極型晶體管，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在常規電場阻止平面型絕緣柵雙極型晶體管結構中引入由P型浮空層、深槽二氧化硅氧化層和深槽體電極構成的深槽體電極結構，實現一個額外電場的引入，幫助橫向耗盡N-pi...

一種改進的平面絕緣柵雙極型晶體管，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在傳統平面非穿通型絕緣柵雙極型晶體管中引入體電極結構，所述體電極結構位于兩個P型基區5之間的N-漂移區中，由體電極二氧化硅氧化層所包圍的和凹槽型多晶硅體電極組成。通過優...

本發明公開了一種應用于擴頻通信系統的信號檢測方法，它是根據不同信道的特性在接收端將接收信號劃分為若干個子序列或子矩陣，通過提取每一子序列或子矩陣的發射數據和導引值并分別求均值的方法得到每一子序列或子矩陣的發射數據估計值和信道估計值，再利...

一種基于MOS控制的增強型GaN異質結場效應晶體管，屬于功率半導體器件技術領域。包括單片集成的低壓MOS管和耗盡型GaN異質結場效應晶體管；其中，MOS管的漏極和耗盡型GaN異質結場效應晶體管的源極相連；二者的柵極互連，或者GaN異質結...

一種基于P型外延層的BCD集成器件及其制造方法，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在同一襯底上集成了高壓nLDMOS器件、高壓nLIGBT器件、低壓PMOS器件、低壓NMOS器件、低壓PNP器件和低壓NPN器件，各器件制作于P型襯底表面...

一種應變動態隨機存儲器存儲單元結構及制作方法，涉及半導體材料中應變增強晶體管結構及制作方法，特別是DRAM存儲單元的結構及制作方法。本發明提供的DRAM存儲單元包含有開關MOS晶體管9和單元電容10，其特征在于在單元電容10所在區域引入...

本發明公開了一種槽型功率MOSFET器件，涉及半導體功率器件和射頻功率器件技術領域。通過N+槽區縱向穿過襯底直到器件底部，將表面N+源區、源極金屬場板和底部N+源接觸區連通形成等勢體，源極從器件底部引出。這不僅消除了源極的外延線電感，降...

本發明公開了一種基于磁控光纖參量振蕩器的全光3R再生裝置，包括了光波分復用器、高非線性光纖或磁光高非線性光纖、光解復用器、光放大器、分光器、磁光控制單元。基準光信號通過磁控光纖參量振蕩器形成高功率的光時鐘信號，并與待整形的同步多波長信號...

一種增強型AlGaN/GaN?HEMT器件及其制造方法，屬于半導體器件技術領域。器件包括位于襯底表面的AlGaN/GaN異質結和柵、源、漏電極結構，其中柵介質薄膜材料中具有F離子或Cl離子固定負電荷。本發明通過在柵介質薄膜中引入F離子或...

本發明公開了一種機電設備的動態預防性維護方法，該方法包括步驟：故障預測；故障診斷；動態生成預防性維護方法；預防性維護績效評估及結果反饋。該方法充分考慮了各類故障模式在機電設備全生命周期各階段的預防性維護內容、預防性維護方式、故障危害程度...

本發明涉及一種新的抗抑郁復方制劑的配方以及制備方法。設計了一種由人參皂苷、纈草和Omega-3(或魚油)共同組成新型抗抑郁復方制劑，以及確定了該復方制劑的配比和制備方式。該復方制劑在實驗中被證實具有抗抑郁作用，具有安全可靠、成本低廉的特...

本發明公開了一種高速移動環境下的信道估計方法，該方法利用基于基擴展模型的信道估計方法得到導頻符號位置處的信道估計值，然后計算導頻符號位置處基于基擴展模型的信道估計方法所對應的最優時間域內插系數，最后使用得到的導頻符號位置處的信道估計值和...

一種功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在完成功率器件正面制作工藝之后，先在功率器件正面金屬圖形表面涂覆一層有機硅樹脂，有機硅樹脂經預熱固化之后，再進行功率器件背面制作工藝，待背面工藝完成之后...

ZnFe2O4鐵氧體薄膜制備方法，屬于電子材料技術領域。本發明包括下述步驟：1)ZnFe2O4鐵氧體靶材的制備：采用氧化物陶瓷工藝，以Fe2O3、ZnO為原料，按分子式ZnFe2O4配料，球磨，烘干后預燒；二次球磨烘干，加入10％的聚乙...

一種帶狀電子注行波管多級降壓收集極，屬于真空電子技術領域。包擴多級依次降壓的電子收集電極，主體收集電極包括依次相連的電子注通道、過渡腔體和橢圓柱腔體，后一級電子收集與前一級電子收集電極相比，其電子注通道截面尺寸逐漸增大、離心率逐漸減小，...

一種投影儀用光學引擎，屬于投影顯示技術領域。RGB三基色激光光源產生的激光分別經三個光束耦合器輸出三組陣列光；勻光系統包括三個準直透鏡陣列，每個準直透鏡陣列由光學長度為1/4節距的漸變折射率透鏡單元組成；三組陣列光分別經三個準直透鏡陣列...

本實用新型公開了一種用于波導信號功率檢測的傳輸式檢波器，包括含小孔和波導的下腔體，基片和標準SMA接頭，所述基片粘在下腔體的槽中，基片的一端伸入下腔體的小孔中，所述基片上的檢波器電路的輸出連上標準SMA接頭的探針。這里基片的電路形式可以...

一種具有高K介質槽的半導體功率器件，屬于功率半導體器件技術領域。器件包括半導體襯底、半導體襯底上的半導體漂移區、半導體漂移區上的有源區和槽柵結構；所述半導體漂移區包括導電類型相同的第一、第二半導體區，所述第二半導體區的摻雜濃度高于第一半...