一種用于時(shí)間反演通信的缺陷地結(jié)構(gòu)亞波長(zhǎng)天線陣列，屬于無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域。由多個(gè)相同的天線單元層疊而成，相鄰兩個(gè)單元天線之間的間距小于1/2工作波長(zhǎng)λ。介質(zhì)基板正面的金屬貼片包括形狀為同心矩形環(huán)簇的輻射單元，同心矩形環(huán)簇中，最大矩形環(huán)的周長(zhǎng)...

一種無(wú)線移動(dòng)終端用時(shí)間反演亞波長(zhǎng)陣列天線，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。由間距在1/40～1/2波長(zhǎng)之間的多個(gè)天線單元層疊而成。每個(gè)天線單元由位于矩形介質(zhì)基片正反兩面金屬貼片構(gòu)成；正面金屬貼片包括中間的橢圓形輻射單元和彼此相連的第一矩形金屬貼片和第...

該發(fā)明公開了一種對(duì)近場(chǎng)目標(biāo)信號(hào)來(lái)波方向進(jìn)行測(cè)定的方法，包括將待監(jiān)控區(qū)域分成若干個(gè)小區(qū)域、并以其中心點(diǎn)該小區(qū)域坐標(biāo)，利用均勻線形陣接收設(shè)定頻率的信號(hào)；選取任一陣元為基準(zhǔn)陣元、并將所處位置作為坐標(biāo)原點(diǎn)，將各坐標(biāo)點(diǎn)相對(duì)于基準(zhǔn)陣元的方向角度和距...

本實(shí)用新型公開了一種電流采樣電路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一電阻，其特征在于，還包括第一單端輸出運(yùn)算放大器，第二單端輸出運(yùn)算放大器，第三單端輸出運(yùn)算放大器，第一雙端輸出運(yùn)算放大器，第二雙端輸出運(yùn)算放大器，第...

本發(fā)明公開了一種數(shù)字視頻指紋提取方法，通過(guò)提取視頻片段序列視覺感知特征的視頻切片，分析視頻切片的頻域特征，有效利用視頻內(nèi)容間的時(shí)空相關(guān)性，利用二維離散小波變換(2D-DWT)變換對(duì)視頻切片進(jìn)行處理，提取二維離散小波變換變換中的水平細(xì)節(jié)分...

本發(fā)明公開一種基于Android的操作系統(tǒng)快速啟動(dòng)方法。包括備份過(guò)程和快速啟動(dòng)過(guò)程，所述備份過(guò)程包括步驟：進(jìn)入Android操作系統(tǒng)的用戶界面程序；用戶將Android操作系統(tǒng)從普通運(yùn)行模式切換到系統(tǒng)備份模式；生成快速啟動(dòng)的內(nèi)存映像；將...

一種功率MOS器件低熱阻封裝結(jié)構(gòu)，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明結(jié)合硅芯片倒裝橋夾技術(shù)和常規(guī)TO封裝技術(shù)，采用倒裝散熱結(jié)構(gòu)，使得功率MOS器件產(chǎn)生的熱量直接流向金屬熱沉，解決了功率MOS器件常規(guī)TO封裝所帶來(lái)的熱阻過(guò)大的問題；同時(shí)橋...

本發(fā)明公開了一種跨域工作路徑及其保護(hù)路徑的計(jì)算方法，通過(guò)對(duì)當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)PCE通信協(xié)議擴(kuò)展，并依據(jù)定義的特定入口邊界節(jié)點(diǎn)對(duì)，在標(biāo)準(zhǔn)PCE通信協(xié)議增加了路徑對(duì)(Path?Pair)對(duì)象，把計(jì)算出的路徑對(duì)添加到路徑響應(yīng)消息中對(duì)應(yīng)路徑對(duì)ID下，然...

該發(fā)明屬于通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域中的系統(tǒng)二進(jìn)制確定無(wú)速率碼的譯碼方法。包括：信號(hào)接收及常規(guī)處理，幀的檢測(cè)處理，譯碼處理及譯碼結(jié)果的處理。該發(fā)明首先對(duì)全部原始幀進(jìn)行檢測(cè)，若均為正確幀，則向發(fā)射機(jī)反饋確認(rèn)信號(hào)；否則接收下一個(gè)編碼幀，然后將所有原始...

本實(shí)用新型公開了一種高壓電平位移電路。針對(duì)現(xiàn)有的高壓電平位移電路不能同時(shí)減小電路版圖面積和解決電路存在輸出初始狀態(tài)不定的問題，本實(shí)用新型提出了一種高壓電平位移電路，包括脈沖產(chǎn)生電路、脈沖整形電路、第一偏置電路、箝位電路、LDMOS管、第...

本發(fā)明公開了一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括襯底、陽(yáng)極層、陰極層、設(shè)置在陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，有機(jī)功能層包括發(fā)光層；通過(guò)將藍(lán)色磷光染料摻雜在具有空穴傳輸特性的寬帶隙主體基質(zhì)中，將互補(bǔ)磷光染料摻雜在具有電子傳輸兼空穴阻擋特性的主體...

本發(fā)明公開了一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括襯底、陽(yáng)極層、陰極層、設(shè)置在陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸兼激子阻擋層、藍(lán)色磷光發(fā)光層、間隔層、互補(bǔ)磷光發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸兼激子阻擋層的三線態(tài)能級(jí)不...

本發(fā)明公開了一種有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底、陽(yáng)極層、陰極層、設(shè)置在陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，有機(jī)功能層至少包括電子給體層和電子受體層，其特征在于，所述電子受體層為具有島狀微結(jié)構(gòu)的ZnO層，所述電子給體層為小分子p型半導(dǎo)體材料或聚...

本發(fā)明提供了一種雙磷光染料以不同方式蒸鍍的白光有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法，該有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)包括：襯底，位于襯底表面的第一電極層，位于第一電極層上的功能層，位于該功能層上面的第二電極層；該功能層至少包含有發(fā)光層，可以包含有電子傳輸層、...

本發(fā)明公開了一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，自下而上依次包括顏色轉(zhuǎn)換層、導(dǎo)電基板或者襯底、第一電極層、有機(jī)功能層和第二電極層，所述有機(jī)功能層包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，其特征在于，所述發(fā)光層為藍(lán)光發(fā)光層或綠光發(fā)光層或藍(lán)光和綠光共同摻雜...

本發(fā)明公開了一種光電子器件的封裝方法，對(duì)光電子器件采用薄膜封裝方法進(jìn)行封裝，薄膜封裝層包覆光電子器件，薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜封裝材料薄層和紫外光固化樹脂薄層交替重疊組成，所述紫外光固化樹脂包括以下組份：環(huán)氧化十八碳共軛三烯-9，11，13...

本發(fā)明公開了一種光電子器件的封裝方法，對(duì)所制備的器件采用薄膜封裝方法進(jìn)行封裝，薄膜封裝層包覆光電子器件，其特征在于，薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜封裝材料薄層和紫外敏感材料層交替重疊組成，所述紫外敏感材料為自由基型紫外光敏感劑和陽(yáng)離子型紫外光敏感...

一種用于集成電路輸出級(jí)ESD保護(hù)的SCR結(jié)構(gòu)，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。包括兩種類型的SCR結(jié)構(gòu)。第一類SCR結(jié)構(gòu)集成了2個(gè)等效的PMOS和2個(gè)等效的NMOS，提供PS、PD模式和VDD-VSS之間的ESD防護(hù)；其中PMOS連接于集成電路輸出口...

本發(fā)明公開了一種余數(shù)系統(tǒng)的后向轉(zhuǎn)換方法及裝置，是基于基為{2n，2n-1，2n-1-1}的余數(shù)系統(tǒng)的后向轉(zhuǎn)換方法及裝置，將RNS數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制整數(shù)。本發(fā)明公開的基為{2n，2n-1，2n-1-1}的R2B轉(zhuǎn)換系統(tǒng)包括模減法器模塊、數(shù)據(jù)預(yù)...

本發(fā)明公開了一種基為{2n，2n-1，2n-1-1}的余數(shù)系統(tǒng)(RNS)的2n縮放裝置，包括模2n-1和模2n-1-1加法器、n比特普通二進(jìn)制加法器、符號(hào)檢測(cè)模塊、選擇器、以及循環(huán)移位、按位取反等一些簡(jiǎn)單的邏輯操作。該實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單明了，...