本發(fā)明涉及用于汽車后橋或主減速器總成驅(qū)動試驗(yàn)的十字滑塊聯(lián)軸器，包括第一半聯(lián)軸器、第二半聯(lián)軸器和兩者之間的中間十字滑塊，所述第一半聯(lián)軸器、中間十字滑塊和第二半聯(lián)軸器上均具有中心孔，所述第一半聯(lián)軸器上的中心孔用于插裝連接驅(qū)動裝置的驅(qū)動軸，所...

具有多泄放通道可控自鉗位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ復(fù)合橫向功率器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)和功率集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將功率變換器的主開關(guān)管與ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型襯底上，二者采用共用陽極結(jié)構(gòu)；其中的ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件完成對...

具有多泄放通道可控自鉗位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ復(fù)合縱向功率器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)和功率集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將功率變換器的主開關(guān)管與ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型襯底上，二者采用共用陽極結(jié)構(gòu)；其中的ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件完成對...

本發(fā)明涉及一種Ｐ型Ｍｎ－Ｓｉ基硅化物熱電材料的制備方法。所述的Ｐ型熱電材料是以Ｍｎ、Ｓｉ的塊材為基本組成，Ｒｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ元素為取代元素，通過感應(yīng)懸浮熔煉、球磨和真空熱壓的方法制備而成。所述的Ｐ型熱電材料具有較高的熱電優(yōu)值ＺＴ，最...

本發(fā)明公開了一種異常呼叫的檢測方法，設(shè)置粗檢門限時間，若用戶的一個話路空閑時長和一個相鄰的話路占用時長之和大于粗檢門限時間，則對于該被叫號碼不存在異常呼叫。同時，在本發(fā)明中，還利用粗檢測哈希表來對呼叫信令數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，當(dāng)一直未出現(xiàn)用戶的...

本發(fā)明公開了一種基于多名單的異常呼叫過濾方法，采用基于白名單、灰名單以及黑名單的多名單匹配過濾，能夠及時中斷異常呼叫，并快速為合法用戶，即正常呼叫建立連接。此外，本發(fā)明還采用灰名單狀態(tài)處理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)灰名單內(nèi)狀態(tài)的自動更新。同時，基于多名...

本發(fā)明公開了一種認(rèn)知無線網(wǎng)絡(luò)中的雙門限合作感知方法，通過以下步驟：１、本地壓縮感知恢復(fù)信號，在本發(fā)明中，通過壓縮感知將整個寬帶頻譜恢復(fù)出來，這樣可以使用低速率Ａ／Ｄ轉(zhuǎn)換器，從而降低了硬件要求。２、確定子頻帶，將壓縮感知恢復(fù)出來的寬帶頻譜...

本發(fā)明公開了一種Ａｄ?Ｈｏｃ網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下的多路徑路由方法，在Ａｄ?Ｈｏｃ網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)有的加入累積時延參數(shù)選擇路徑保證端到端時延的方法的基礎(chǔ)上，提出了一種新的多路徑路由方法來提供ＱｏＳ保障。該路由方法包括兩部分：１、將累積時延作為選擇路徑的接入控...

本發(fā)明公開了一種合作頻譜感知中認(rèn)知用戶節(jié)點(diǎn)的選擇方法，通過各認(rèn)知用戶節(jié)點(diǎn)進(jìn)行本地感知，獲得主用戶不存在和存在時本地檢測能量然后計算出對主用戶節(jié)點(diǎn)存在與不存在的信任度函數(shù)值，發(fā)送到簇頭節(jié)點(diǎn)；簇頭節(jié)點(diǎn)計算各認(rèn)知用戶節(jié)點(diǎn)兩兩之間的關(guān)于主用戶節(jié)...

本發(fā)明公開了一種基于軟件無線電的通信系統(tǒng)終端設(shè)備，由物理層處理模塊、上層處理模塊和通用接口模塊組成。物理層處理模塊的基帶處理模塊實(shí)現(xiàn)物理層信號的基帶和中頻的處理，射頻收發(fā)模塊根據(jù)配置的不同通信協(xié)議和標(biāo)準(zhǔn)，選擇不同的射頻收發(fā)模塊，以實(shí)現(xiàn)射...

本發(fā)明公開了一種認(rèn)知網(wǎng)絡(luò)中的功率控制方法首先將主用戶所能承受的最大干擾功率值Ｉｍａｘ融入功率控制方法當(dāng)中，使得干擾溫度能夠直接影響效用函數(shù)ｕｊ（ｐｊ，ｐ－ｊ）中代價系數(shù)的變化，進(jìn)而影響到整個效用函數(shù)ｕｊ（ｐｊ，ｐ－ｊ），然后，通過迭代計...

本發(fā)明針對３ＧＰＰ?ＬＴＥ下行系統(tǒng)，提出了一種３ＧＰＰ?ＬＴＥ下行系統(tǒng)中基于導(dǎo)頻信號的信道估計方法，采用時頻二維聯(lián)合維納迭代濾波的信道估計方法，該方法基于線性最小均方誤差（Ｌｉｎｅａｒ?Ｍｉｎｉｍｕｍ?Ｍｅａｎ－Ｓｑｕａｒｅ?Ｅｒｒｏｒ...

本發(fā)明公開了一種認(rèn)知網(wǎng)絡(luò)中基于壓縮感知的寬帶信號分離方法，由于很多寬帶信號可能是稀疏的，以奈奎斯特速率進(jìn)行采樣需要很多采樣點(diǎn)數(shù)。因此，本發(fā)明提出了三步法來分離寬帶信號，第一步先進(jìn)行壓縮感知重構(gòu)主用戶信號ｒｊ（ｔ），得到恢復(fù)信號第二步對恢...

一種氧化錳表面改性的氧化鋅納米棒材的制備方法，屬于無機(jī)功能材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明首先利用氫氧化鈉與醋酸鋅和醋酸錳混合水溶液的絡(luò)合反應(yīng)，生成氫氧化鋅和氫氧化錳的復(fù)合溶膠；然后將復(fù)合溶膠體系轉(zhuǎn)入水熱釜中，利于水熱反應(yīng)直接制備氧化鋅納米棒材的同...

一種氧化硅基半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，屬于無機(jī)化學(xué)材料技術(shù)領(lǐng)域。該方法將經(jīng)水熱晶化發(fā)制備的半導(dǎo)體無機(jī)氧化物納米顆粒分散到氧化硅溶膠中，再采用旋涂法或提拉法鍍膜得到氧化硅基半導(dǎo)體納米薄膜。該方法操作簡單、成本低廉，適合于大規(guī)模生產(chǎn)；所制備...

一種可控自鉗位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ復(fù)合橫向功率器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)和功率集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將功率變換器的主開關(guān)管與ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型襯底上，二者采用共用陽極結(jié)構(gòu)，其中所述ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件的控制電極與共...

一種薄層ＳＯＩ復(fù)合功率器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在單片ＳＯＩ襯底上至少集成了一個高壓ＰＭＯＳ器件、一個高壓ＮＭＯＳ器件和一個低壓ＣＭＯＳ晶體管。所述高壓ＰＭＯＳ器件和高壓ＮＭＯＳ器件表面具有在寬度方向上交錯排列的ｐ型雜質(zhì)表...

一種可控自鉗位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ復(fù)合縱向功率器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)和功率集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將功率變換器的主開關(guān)管與ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型襯底上，二者采用共用陽極（或共用金屬陽極）結(jié)構(gòu)，其中所述ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ...

本發(fā)明涉及一種消除電子擺振的渦流位移檢測方法及其裝置，包括依次連接的信號發(fā)生模塊，用于產(chǎn)生固定頻率的正弦激勵信號并將其輸入渦流探頭線圈模塊；磁化模塊，用于磁化被測對象并使被測對象達(dá)到磁飽和狀態(tài)；響應(yīng)信號產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生響應(yīng)信號并將該響...

本發(fā)明涉及可以去除偽直流模式的微波管高頻電路有限元仿真方法，包括以下步驟：Ａ．根據(jù)微波管高頻電路內(nèi)的電磁場邊值問題，將電位移矢量為零作為電場約束方程，并得到電場約束方程的積分形式，同時通過有限元法的標(biāo)準(zhǔn)變分原理得到電磁場邊值問題的泛函方...