本發(fā)明公開了一種紅外焦平面陣列的行選通電路，包括行選控制信號(hào)發(fā)生器及其控制連接的分別位于每個(gè)像素單元（Ｒｓ）兩端、各自對應(yīng)的二個(gè)選通開關(guān)，其特征在于：紅外焦平面陣列每列中第２Ｋ和２Ｋ＋１個(gè)像素單元共同連接一個(gè)一側(cè)選通開關(guān)、而第２Ｋ－１和...

本發(fā)明公開了一種用于微測輻射熱計(jì)的氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：①清洗襯底，吹干后備用；②利用化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、弧光放電系統(tǒng)、激光燒蝕沉積系統(tǒng)反應(yīng)器當(dāng)中的一種，通過金屬催化劑誘導(dǎo)，在清潔襯底的表面直接反應(yīng)生長網(wǎng)狀、或交...

本發(fā)明公開了一種有機(jī)／無機(jī)復(fù)合發(fā)光二極管，包括：襯底；位于襯底表面的第一電極層；位于第一電極層上的功能層；位于該功能層上面形成的第二電極。該功能層至少包含有電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。該發(fā)光層至少包含一個(gè)無機(jī)量子點(diǎn)發(fā)光層，所述量子點(diǎn)...

本發(fā)明公開了一種固體鉭電解電容器，包括鉭陽極體、位于鉭陽極體表面的Ｔａ２Ｏ５（五氧化二鉭）電介質(zhì)被膜、位于Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜上的導(dǎo)電層、在導(dǎo)電層上被覆的石墨層和銀涂層，其特征在于，所述導(dǎo)電層為長度方向垂直于鉭陽極體表面的碳納米管陣列和...

本發(fā)明公開了一種固體鉭電解電容器，包括鉭陽極體、位于鉭陽極體表面的Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜、位于Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜上的導(dǎo)電層、在導(dǎo)電層上被覆的石墨層和銀涂層，其特征在于，所述導(dǎo)電層為復(fù)合碳納米管和導(dǎo)電高分子材料的混合體系，所述復(fù)合碳納米管...

本發(fā)明公開了一種固體鉭電解電容器，包括鉭陽極體、位于鉭陽極體表面的Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜、位于Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜上的導(dǎo)電層、在導(dǎo)電層上被覆的石墨層和銀涂層，其特征在于，所述導(dǎo)電層為導(dǎo)電高分子層、ＺｎＯ種子層和ＺｎＯ納米線陣列層的組合層，...

本發(fā)明公開了一種固體鉭電解電容器，包括鉭陽極體、位于鉭陽極體表面的Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜、位于Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜上的導(dǎo)電層、在導(dǎo)電層上被覆的石墨層和銀涂層，其特征在于，所述導(dǎo)電層是摻雜了磁性碳納米管且磁性碳納米管的長度方向垂直于鉭陽極體...

本發(fā)明公開了一種固體鉭電解電容器，包括鉭陽極體、位于鉭陽極體表面的Ｒａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜、位于Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜上的導(dǎo)電層、在導(dǎo)電層上被覆的石墨層和銀涂層，其特征在于，所述導(dǎo)電層為復(fù)合碳納米管和導(dǎo)電高分子材料的混合體系，所述復(fù)合碳納米管...

本發(fā)明公開了一種固體鉭電解電容器，包括鉭陽極體、位于鉭陽極體表面的Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜、位于Ｔａ２Ｏ５電介質(zhì)被膜上的導(dǎo)電層、在導(dǎo)電層上被覆的石墨層和銀涂層，其特征在于，所述導(dǎo)電層為復(fù)合碳納米管和導(dǎo)電高分子材料的混合體系，所述復(fù)合碳納米管...

本發(fā)明涉及一種基于能量擴(kuò)展的迭代抗多音干擾通信方法。所述通信方法包括發(fā)射過程（１）、多音干擾及背景噪聲產(chǎn)生過程（２）和接收過程（３），所述接收過程（３）包括步驟：（３１）．串并轉(zhuǎn)換；（３２）．提取多音干擾信號(hào)；（３３）．重構(gòu)多音干擾信號(hào)...

本實(shí)用新型涉及一種空間行波管收集極輻射散熱器。包括一個(gè)金屬套筒和位于金屬套筒外表面的至少兩個(gè)金屬翼片，其特征在于，所述金屬翼片具有至少一個(gè)開槽，開槽后的金屬翼片的表面積不少于開槽前的金屬翼片的表面積。本實(shí)用新型的有益效果：由于對空間行波...

本發(fā)明制備應(yīng)變溝道ＣＭＯＳ的等效應(yīng)變記憶方法是涉及集成電路的制作，特別是通過等效應(yīng)變記憶方法引入的應(yīng)變技術(shù)，分別為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管ＣＭＯＳ中的ＮＦＥＴ與ＰＦＥＴ器件提供張應(yīng)變與壓應(yīng)變。該發(fā)明提供的記憶方法是通過表面剪切應(yīng)...

本發(fā)明公開了一種體硅刻蝕和金硅鍵合復(fù)合工藝方法，包括以下步驟：首先在第一硅片上形成金的掩模圖形，然后利用金掩模對第一硅片進(jìn)行干法刻蝕或者濕法腐蝕，形成體硅微結(jié)構(gòu)，最后將第二硅片置于上述已形成圖形結(jié)構(gòu)的第一硅片上，進(jìn)行金硅鍵合。本發(fā)明巧妙...

本發(fā)明公開了一種黑硅ＭＳＭ光電探測器，包括單晶硅襯底，其特征在于，在所述單晶硅襯底表面設(shè)置有作為光敏區(qū)的黑硅薄膜層，在所述黑硅薄膜層設(shè)有叉指電極，叉指電極下方設(shè)有勢壘層，在沒有設(shè)置叉指電極的區(qū)域設(shè)置有鈍化層。該器件具有寬的光譜響應(yīng)范圍和...

本發(fā)明公開了一種將非認(rèn)證密鑰交換協(xié)議轉(zhuǎn)化為認(rèn)證的密鑰交換協(xié)議的方法，采用數(shù)字簽名方式，設(shè)ＤＳｉｇ＝（Ｇｅｎ，Ｓｉｇ，Ｖｅｒ）為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字簽名算法，其中Ｇｅｎ是密鑰生成算法，Ｓｉｇ是簽名算法，Ｖｅｒ是簽名驗(yàn)證算法，Ｇｅｎ為用戶Ｕｉ產(chǎn)生...

本發(fā)明公開了一種光電二極管，包括導(dǎo)電基板或者襯底，陰極層、陽極層、Ｎ型ＺｎＯ形成層和有機(jī)光活化層，其特征在于，所述Ｎ型ＺｎＯ形成層包括ＺｎＯ種子層和ＺｎＯ豎直排列納米線陣列，所述陰極層設(shè)置在導(dǎo)電基板或襯底表面，所述ＺｎＯ種子層設(shè)置在陰極...

本發(fā)明公開了一種電極材料，是采用金屬釩薄膜作為與氧化釩或者摻雜氧化釩薄膜接觸的引出電極，并將該種材料用作基于氧化釩或者摻雜氧化釩薄膜的探測器、傳感器、光開關(guān)等器件的電極材料。金屬釩薄膜的熱導(dǎo)率僅為ＮｉＣｒ的三分之一，這有利于降低像素單元...

本發(fā)明公開了一種機(jī)械可調(diào)π相移周期結(jié)構(gòu)帶通濾波方法及采用該方法的帶通濾波器。它包括一個(gè)π相移的周期性的施力裝置以及光纖。施力裝置由周期結(jié)構(gòu)的夾持底板與夾持蓋板組成，光纖放入所述的夾持底板的Ｖ形齒狀結(jié)構(gòu)中，夾持蓋板與所述的放置光纖的夾持底...

一種基于添零方式的ＣＩ－ＯＦＤＭ通信方法，屬于通信技術(shù)領(lǐng)域。傳統(tǒng)的ＣＩ－ＯＦＤＭ系統(tǒng)在添加保護(hù)間隔時(shí)采用循環(huán)前綴（Ｃｙｃｌｉｃ?Ｐｒｅｆｉｘ，ＣＰ）方式來消除符號(hào)間干擾，而在接收端移去了循環(huán)前綴的數(shù)據(jù)，但這種處理方式將導(dǎo)致一部分接收信息...

本發(fā)明公開了一種低阻高ＴＣＲ非晶硅薄膜電阻結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括玻璃襯底１、非晶硅薄膜２、矩形電極３，先在玻璃襯底１上沉積非晶硅薄膜２，隨后在非晶硅薄膜２上制備矩形電極３，電極結(jié)構(gòu)分布如同形成形狀像兩只手的手指交叉狀，即叉指狀，形成一個(gè)...