一種二氧化錫和氧化錳的復合藍光發光材料的制備方法，屬于電子材料技術領域，涉及無機發光材料。本發明采用氨水和可溶性無機氧化錫與可溶性無機氧化錳在混合溶液下產生的水解反應，生成均勻、棕褐色的氫氧化錫和氫氧化錳的復合溶膠；然后采用水熱反應得到...

一種具有階梯狀緩沖層結構的ＭＥＳＦＥＴ，屬于功率半導體器件技術領域。該器件通過刻蝕外延緩沖層，使緩沖層呈現階梯狀，進而使得在緩沖層上外延生長的有源層具有變化的溝道厚度。所述緩沖層厚度最大的部分出現在柵電極正下方，而柵電極兩側下方的緩沖層...

本發明涉及鎖離合狀態采集電路的控制方法。當集成鎖離合狀態采集電路的射頻識別電子標簽或采用鎖離合狀態采集電路的射頻識別裝置處于射頻識別場內時，其控制方法包括步驟：步驟（ａ）：射頻識別電子標簽或射頻識別裝置進入射頻識別場，射頻識別電子標簽的...

本發明涉及鎖離合狀態采集電路及采用該鎖離合狀態采集電路的射頻識別裝置。鎖離合狀態采集電路包括鎖離合信號開關（Ｓ１）、第一電阻（Ｒ１）、第二電阻（Ｒ２）、第三電阻（Ｒ２）、第四電阻（Ｒ４）、ＰＭＯＳ管（Ｔ１）、三極管（Ｔ２）、第五ＮＭＯＳ...

本發明涉及鎖離合狀態采集電路及集成該鎖離合狀態采集電路的射頻識別電子標簽。包括開關（Ｓ１）、第一ＮＭＯＳ管（ＭＲ１）、第二ＮＭＯＳ管（ＭＲ２）、第三ＮＭＯＳ管（ＭＲ３）、第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）、ＰＭＯＳ管（Ｔ１）、三極管（Ｔ２）、第五...

該發明屬于單載波頻域均衡（ＳＣ－ＦＤＥ）傳輸技術中的過采樣接收方法。包括：對接收到的發射信號進行濾波處理，以所發符號頻率２－６倍的整數倍進行過采樣，去除循環前綴，時頻變換處理，信道均衡，頻時變換處理及信號解調還原為比特信號。該發明針對發...

本實用新型屬于射頻通信及微電子機械技術中一種繞軸芯線扭轉振動的射頻微機電式諧振器，包括在頂層設有圓柱形凹槽的抗干擾絕緣層及接地電容上極板、電介層、接地電容下極板、底板的基板，含輸入端和輸出端的驅動電極，設于圓柱形凹槽底部的偏置電極及設于...

一種疊層片式濾波器及其制備方法，屬于電子元器件技術領域。該濾波器由疊層片式電容和疊層片式磁芯電感復合而成；所述疊層片式磁芯電感由多層表面印刷了導體線的鐵氧體膜片層疊燒結而成；所述疊層片式電容包括的端電極與地電極之間是復合介質材料，所述復...

一種聚芳醚腈和三氧化二鋁復合的絕緣導熱材料及其制備方法，屬于絕緣導熱高分子材料領域。所述絕緣導熱材料包括４０～７０％質量份數的聚芳醚腈和３０～６０％質量份數的三氧化二鋁；所述三氧化二鋁的目數在６５０～７０００目之間，且表面包裹有含有機鏈...

該發明屬于合成孔徑雷達（ＳＡＲ）無模糊多普勒中心頻率測定方法，包括：距離向脈沖壓縮，獲取初始斜率，頻域、時域轉換并獲取序列的波形熵，確定最小波形熵，確定無模糊多普勒中心頻率。該發明利用合成孔徑雷達回波在距離時間、方位時間域的幾何特征及移...

本發明提供了一種在ＭＩＭＯ通信系統定位中的角度估計方法，屬于電子技術領域，通過最小均方誤差（ＭＭＳＥ）算法估計信道沖激響應后，再通過計算不同發射天線到同一接收天線（或同一發射天線到不同接收天線）的信道沖激響應的相位差得到信道出射（或入射...

本發明公開了ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ數字時序電路在線檢測容錯系統及方法。本發明中被檢測容錯的時序電路分割為組合邏輯和時序邏輯，分別先后對組合邏輯和時序邏輯進行三模冗余和多數表決掩蓋故障，得到冗余時序電路；冗余時序電路在物理結構上分為三個獨立的...

本發明提供了一種基于視覺認知的功率控制方法。首先，基站獲取無線信道的視覺場景信息，然后對獲得的圖像信息進行目標圖意的識別提取，得到信道環境的功率損耗，并根據功率損耗實時的對移動臺用戶進行功率控制。采用本發明的方法，可以提前調整功率以適應...

一種Ｖ型微帶曲折線慢波結構，屬于微波真空電子技術領域，涉及行波管放大器件。包括由金屬底板（３）、介質層（２）和平面金屬線（１）形成的微帶傳輸線結構；其特征在于，所述介質層（２）位于金屬底板（３）與平面金屬線（１）之間；所述平面金屬線（１...

一種有源鉗位同步整流正激變換器，屬于電子技術領域。該變換器包括直流輸入電源、輸入電容、主變壓器Ｔ１、同步整流電路、濾波電路、電壓采樣電路、光耦反饋電路、ＰＷＭ控制電路和有源鉗位電路；所述同步整流電路由整流管及其驅動電路和續流管及其驅動電...

一種集成微帶環行器，屬于電子技術領域。包括微波介質基片上的金屬底電極、納米線鐵磁復合介質、絕緣層和微帶環行器Ｙ結；所述納米線鐵磁復合介質由鐵磁金屬納米線和三氧化二鋁復合而成，其中三氧化二鋁具有納米級多孔結構，而鐵磁金屬納米線是經電鍍工藝...

次級電流采樣的電流型多路輸出ＤＣ－ＤＣ開關電源，屬于電子技術領域。該開關電源主變壓器Ｔ１次級側至少包括兩路輸出電路，在對其中一路輸出電路的輸出電壓進行電壓采樣的同時，在該輸出電路的整流續流電路和與該輸出電路相連的主變壓器Ｔ１的次級繞組之...

含芳醚腈鏈段的雙酚Ａ型雙鄰苯二甲腈樹脂、固化物及其制備方法，屬于高分子材料領域。本發明以雙酚Ａ與２，６－二氯苯腈為原料進行親核取代反應，以無水碳酸鉀或無水碳酸鈉為催化劑，在強極性溶劑／甲苯混合液中形成一種羥基封端的雙酚Ａ型低聚物中間體，...

該發明屬于金屬基薄膜熱電偶及其生產方法。其熱電偶包括待測金屬基板及設于其頂面的ＮｉＣｒＡｌＹ合金過渡層，過渡層以上依次為金屬鋁層、ＡｌＮ層、ＡｌＮ陶瓷絕緣層、熱電偶薄膜電極組以及氧化鋁保護層；其生產方法為待測金屬基板的處理，制備帶ＮｉＣ...

本發明涉及應力增強的ＣＭＯＳ晶體管結構，一種具有應力增強特性的互補金屬氧化物半導體ＣＭＯＳ晶體管結構，它的特征是在溝道下方引入應力集中因子４０／４２，從而增強溝道區的應力。該結構應與相關的應力引入方法配合使用，如雙應力層技術，嵌入式源漏...