一種用于操縱包含像素的圖像的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。一組處理器單元根據(jù)圖像中的文本創(chuàng)建具有可改變的文本屬性的可編輯文本。該組處理器單元利用根據(jù)圖像中的文本所創(chuàng)建的可編輯文本為圖像形成文本層，其中，可編輯文本位于文本層中的與文本在圖像中的位置相...

在晶片上提供VTFET。背側(cè)電力輸送網(wǎng)絡(luò)位于晶片的背側(cè)上。第一背側(cè)觸點(diǎn)連接到VTFET的底部源極/漏極區(qū)和背側(cè)電力輸送網(wǎng)絡(luò)的第一部分。第二背側(cè)觸點(diǎn)連接到VTFET的頂部源極/漏極區(qū)和背側(cè)電力輸送網(wǎng)絡(luò)的第二部分。

提出了用于管理在量子比特之間耦合的技術(shù)和耦合器。第一可調(diào)諧耦合器量子比特(TCQ)可以包括第一頻率模式和第二頻率模式。第二TCQ可以包括第三頻率模式和第四頻率模式。第一TCQ可以基于第一頻率模式來(lái)被選擇性地耦合到第一量子比特，并且基于第...

提供了用于緩解在量子處理器中的缺陷的影響的方法和系統(tǒng)。一種緩解系統(tǒng)包括具有多個(gè)量子比特的量子處理器。該系統(tǒng)包括發(fā)光源陣列。每個(gè)發(fā)光源與量子處理器上的量子比特對(duì)準(zhǔn)。該系統(tǒng)包括控制器，該控制器被配置為接收對(duì)量子比特的選擇并且使來(lái)自該發(fā)光源陣...

提供了用于訓(xùn)練數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)和模型選擇的技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，該技術(shù)涉及用第一查詢來(lái)查詢第一語(yǔ)言學(xué)習(xí)模型，其中第一語(yǔ)言學(xué)習(xí)模型生成對(duì)第一查詢的文本輸出響應(yīng)，生成文本輸出響應(yīng)的分組，其中分組包括多個(gè)n元連續(xù)項(xiàng)，基于第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)和第二訓(xùn)練數(shù)據(jù)生成...

一種系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品在正在液體的表面之下工作的機(jī)器的上方的該表面處執(zhí)行視聽檢查。視聽檢查包括將表面波運(yùn)動(dòng)饋送到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中、將氣泡形成模式饋送到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中、將氣泡尺寸饋送到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中以及將水下聲學(xué)信息饋送到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的每一者。該...

一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括：使用存儲(chǔ)在包括電阻處理單元（RPU）交叉開關(guān)陣列的第一矩陣中的第一組隱藏權(quán)重來(lái)執(zhí)行深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（DNN）的隨機(jī)梯度下降（SGD）的梯度更新。包括第二組隱藏權(quán)重的第二矩陣被存儲(chǔ)在數(shù)字介質(zhì)中。考慮符號(hào)改變（斬波器...

提供了用于緩解在量子處理器中的缺陷的影響的方法和系統(tǒng)。一種緩解系統(tǒng)包括量子處理器，該量子處理器包括多個(gè)量子比特。該系統(tǒng)包括可以被調(diào)諧以產(chǎn)生不同波長(zhǎng)的光脈沖的發(fā)光源。該系統(tǒng)包括帶通濾波器陣列。每個(gè)帶通濾波器與量子處理器上的量子比特對(duì)準(zhǔn)，并...

本文提供了用于使用人工智能的域自適應(yīng)語(yǔ)音識(shí)別的方法、系統(tǒng)(126)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括：通過(guò)使用基于人工智能的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換模型(104)來(lái)處理與輸入語(yǔ)音數(shù)據(jù)相關(guān)的音素序列，生成語(yǔ)言數(shù)據(jù)候選集合(302)，每個(gè)語(yǔ)言數(shù)據(jù)...

本發(fā)明的實(shí)施例涉及單片堆疊場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SFET)處理方法及產(chǎn)生的具有雙中間電介質(zhì)隔離(MDI)分隔的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的非限制性實(shí)施例中，形成了第一納米片，并在所述第一納米片上方垂直堆疊第二納米片。在所述第一納米片的溝道區(qū)域和所述第二納米...

半導(dǎo)體芯片器件包括具有后端線層和背側(cè)功率輸送網(wǎng)絡(luò)的襯底。輸入功率線電耦合到背側(cè)功率輸送網(wǎng)絡(luò)。虛設(shè)晶體管位于具有模擬或數(shù)字電路元件的電路中。功率選通晶體管位于虛設(shè)晶體管與模擬或數(shù)字電路元件之間的電路中。來(lái)自功率輸入線的功率通過(guò)虛設(shè)晶體管從...

一種存儲(chǔ)器裝置，包括襯底及形成于該襯底上的垂直堆疊鐵電電容器。當(dāng)施加恒定電壓時(shí)，第一鐵電電容器具有與第二鐵電電容器不同的電容輸出。第一電極和第二電極與垂直堆疊的鐵電電容器電接觸。在一些實(shí)例中，第一鐵電電容器中的第一電容器板和第二鐵電電容...

改進(jìn)基于云的邏輯卷管理系統(tǒng)在執(zhí)行鏡像寫入操作時(shí)的運(yùn)行時(shí)和發(fā)現(xiàn)恢復(fù)性能。利用結(jié)合了主動(dòng)MWCC策略和被動(dòng)MWCC策略的各方面的鏡像寫入一致性檢查MWCC策略來(lái)更有效地確保數(shù)據(jù)被正確地從邏輯卷的第一副本鏡像到邏輯卷的第二副本(以及潛在地被鏡...

一種磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備包括：磁性隧道結(jié)（MTJ）堆疊；自旋軌道轉(zhuǎn)矩（SOT）層，其位于MTJ堆疊下方；以及電介質(zhì)柱，其位于SOT層和MTJ堆疊下方。SOT層具有臺(tái)階形輪廓。

公開了一種用于保護(hù)區(qū)域不被破壞的電路基板結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)包括電路基板，其中頂部防破壞包封和底部防破壞包封中的至少一個(gè)覆蓋電路基板的受保護(hù)區(qū)域中的組件。頂部防破壞包封和底部防破壞包封被粘合地結(jié)合到電路基板的表面，并且撕裂起始點(diǎn)被添加到電路基...

通過(guò)記錄對(duì)于針對(duì)休眠和睡眠沒(méi)有懲罰的任務(wù)的用戶偏好；以及為電池功率分配閾值，來(lái)選擇供休眠的任務(wù)，在該閾值處為休眠和睡眠中的至少一個(gè)選擇任務(wù)。電池功率的閾值的分配包括考慮用戶對(duì)硬件資源的當(dāng)前使用和按電池段的電池健康。基于對(duì)于沒(méi)有懲罰的任務(wù)...

提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：包括多個(gè)底部源極/漏極(S/D)外延區(qū)域的底部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，包括多個(gè)頂部S/D外延區(qū)域的頂部FET，直接設(shè)置在底部FET和頂部FET之間的接合電介質(zhì)層，以及有利地從底部FET的多個(gè)底部S/D外延區(qū)域...

由自動(dòng)封裝器系統(tǒng)接收從圖形用戶接口GUI接收的信息和用戶管理的命令行模式的列表，其中，自動(dòng)封裝器系統(tǒng)與分析工作流服務(wù)相關(guān)聯(lián)。由自動(dòng)封裝器系統(tǒng)生成包括參數(shù)空間的模塊，參數(shù)空間具有在用戶管理的命令行模式的列表中使用的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)和選項(xiàng)，其...

本說(shuō)明書描述了一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。執(zhí)行第一比較測(cè)試以確定未知對(duì)象是否屬于對(duì)象類的第一子類。響應(yīng)于確定未知對(duì)象不屬于第一子類，通過(guò)確定是否存在除第一子類和第二子類之外的附加子類來(lái)確定未知對(duì)象是否是第二子類的實(shí)例。響應(yīng)于確定存在附加子類，...

識(shí)別圖像內(nèi)的難區(qū)分實(shí)體可以包括由圖像過(guò)濾器生成多個(gè)梯度，每個(gè)梯度對(duì)應(yīng)于由成像器捕獲的圖像的多個(gè)像素中的一個(gè)。可以在圖像中搜索可能的重復(fù)模式。響應(yīng)于基于所述多個(gè)梯度檢測(cè)到所述圖像內(nèi)的可能的重復(fù)模式，可生成一數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，該數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)包括對(duì)應(yīng)于所...