AI平臺用于開發對患有產生克隆的腫瘤的患者的組合療法。包括至少兩個擾動的組合療法能夠靶向由于抗性和/或進化而逃避治療干預的克隆(包括亞克隆)。用從至少一個具有與感興趣克隆相似的特征的細胞系獲得的擾動數據來訓練AI平臺。經訓練的AI平臺預...

公開了一種用于配置針對網絡設備的波束成形的方法。在一個實施例中，這種方法包括創建支持波束成形的網絡設備被放置在其中的區域的地圖。該方法在交互式顯示設備上，在地圖上顯示網絡設備。該方法在該交互式顯示設備上，在地圖上顯示從網絡設備發出的一個...

一種用于將第一襯底鍵合到第二襯底的設備包括：可加熱安裝載臺，其被配置為在面向上的表面上容納第一半導體襯底并且在該第一半導體襯底上容納第一半導體材料堆疊體；可加熱鍵合頭，其被配置為在面向下的表面上容納第二半導體襯底并且在第二半導體襯底上容...

公開了包括用于偏置量子位設備的柵極的半導體設備電路（100）以及用于操作該設備的方法的實施例。實施例可以包括電容器單元的多路復用的陣列（102、104、106、108），其中每個電容器單元包括晶體管控制的電容器（C1、C2、C3、C4）...

描述了用于確定針對容器化的工作負載的靜默超時的技術，該靜默超時用于標識針對容器化的工作負載的存儲單元。該技術包括確定與在容器環境中執行的容器化的工作負載相關聯的輸入/輸出(I/O)速率，其中容器化的工作負載與存儲系統對接以存儲數據。該技...

將形成自組裝單層的表面活性劑或光酸產生劑(PAG)沉積在襯底表面上。將電子束(e?束)和/或極紫外(EUV)輻射施加到襯底表面在單層上形成負性或正性圖案。異羥肟酸可用于形成負性自組裝單層，并且硅烷或PAG可用于形成正性自組裝單層。EUV...

提供了可配置傳感器單元和傳感器裝置。一種可配置傳感器單元，包括：傳感器器件，用于根據由所述器件感測到的刺激在電路中生成電信號；以及可編程非易失性存儲元件，能夠在所述電路中操作作為用于所述傳感器器件的負載電阻器，由此所述負載電阻器的電阻依...

獲得要在計算環境中執行的指令。該指令包括指示診斷操作的操作碼。執行該指令。該執行包括獲得令牌作為對該指令的輸入，并將該令牌與計算環境的用于配置的當前令牌進行比較。基于該令牌匹配該當前令牌，從證書存儲返回一個或多個驗證證書。

一種用于促進對與服務提供者(SP)相關聯的受保護資源的被準許訪問的方法。該方法開始于SP經由基于屬性的加密(ABE)主秘密密鑰和一個或多個公共參數的集合來建立對第三方的信任根。一旦被實體審查，SP就從第三方接收將策略編碼為密碼有效載荷的...

在計算環境內獲得并執行包括指示診斷操作的操作代碼的指令。執行指令包括從轉儲保存區域中取得要用于恢復機器狀態的選擇的數據以及恢復機器狀態。恢復包括將所選擇的數據存儲在所選擇的位置。用于保護對所選擇的數據的訪問的一個或多個存儲密鑰被恢復。

電子結構可以包括耦合在具有第一量子比特的第一可調諧耦合器量子比特(TCQ)的第一電極片和第二電極片之間的第一超導量子干涉器件(SQUID)，以及耦合在第一TCQ的第二電極片和第三電極片之間的第一約瑟夫森結(JJ)。該電子結構可以包括耦合...

提供了用于計算資源訪問安全性的機制，其中認證用戶代理的憑證以確定用戶代理是否與要為其生成基于屬性的加密(ABE)密鑰的實體相關聯。如果相關聯，則生成并提供ABE密鑰，其對應于實體的屬性集。令牌發布邏輯從依賴方計算設備接收令牌請求和ABE...

一種用于管理存儲系統的方法、系統和計算機程序產品，該存儲系統包括第一存儲設備和第二存儲設備，該方法包括：分析用于在第一存儲設備和第二存儲設備上寫入的一組存儲塊的一組壓縮比以確定模式；響應于該模式，確定第一壓縮比和第二壓縮比，第一壓縮比與...

提供了促進用于低溫系統的可擴展熱能回收的系統和技術。在各種實施例中，系統可以包括至少一個低溫恒溫器。在各種方面中，所述系統可進一步包括通過熱交換系統聯接到所述至少一個低溫恒溫器的熱電池。在各種實例中，熱電池可配置成存儲從至少一個低溫恒溫...

提供了一種半導體結構，其包括位于嵌入在淺溝槽隔離結構（12）中的位線（28）表面上的電阻式隨機存取存儲器。該結構還可包括位于位線（28）上方或嵌入在淺溝槽隔離結構（12）中的源極線（SL）。

一種數據處理系統包括主設備、中央請求代理、以及多個窺探器，多個窺探器通信地耦合到用于傳送要重試的請求的系統結構。主設備在系統結構上發出旨在用于多個窺探器的多播請求。中央請求代理在系統結構上接收多播請求，將多播請求分配給中央請求代理中的多...

DNS請求混淆包括：生成用于混淆由用于組織的私有DNS服務器處理的DNS請求活動的誘餌域名系統(DNS)請求，并將誘餌DNS請求發送到(一個或多個)外部DNS服務器以用于解析，接收尋求針對客戶端設備的DNS查找的DNS請求，通過向(一個...

公開了一種半導體結構，其具有包括第一器件層的第一場效應晶體管(FET)；包括第二器件層的第二FET，其中第一器件層相對于第二器件層具有階梯部分；以及在第一器件層的階梯部分處的第一FET的柵極與第二FET的柵極之間的電連接。第一FET堆疊...

提供了一種半導體結構，該半導體結構包括堆疊晶體管和集成在同一晶片上的非堆疊晶體管，該堆疊晶體管包括堆疊在另一晶體管之上的至少一個晶體管。堆疊晶體管和非堆疊晶體管均包括前側互連和背側互連。

提供了一種包括單晶體管單電容器(1T1R)器件的半導體結構，其包括：嵌入電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)，其具有大于1柵極節距的寬度，存在于該結構的前側或背側；前側接觸結構，其電連接到1T1R器件的晶體管的源極區；以及背側接觸結構，其...