一種絡合催化合成碳酸乙烯酯的工藝，屬于精細有機合成生產工藝．該工藝的特點是在環氧乙烷與二氧化碳直接反應生成碳酸乙烯酯過程中，所用的催化劑是價格低廉的鏈狀聚醚和堿金屬鹵化物的絡合物，它具有與價格昂貴的冠醚類似的絡合堿金屬離子的作用．使用該...

本發明涉及一種背越式跳高教學與訓練臥高練習器。它具有結構簡單，使用方便，可根據學員們對技術掌握的進度實際情況，通過改變臥高器的不同高度強化正確技術動力定型，有效的調節練習強度和練習密度，起到事半功倍等優點，其結構為：它主要由軟臥面、軟臥...

電話網絡設備自動開關裝置，其特征在于它包括有跨接在電話線兩端的電容器Ｃ２構成的工作電源，由晶體管ＢＧ１和繼電器Ｊ１聯接的在其輸入端接有二極管Ｄ１－Ｄ４構成整流輸出網絡的開機開關電路，由晶體管ＢＧ２、ＢＧ３和繼電器Ｊ２聯接的在其輸入端接有...

本實用新型公開了一種集收音、報警和導盲于一體的手持式多功能袖珍儀器，供盲人使用。它包括用于接收電臺廣播的收音機電路，產生呼叫信號的報警電路，用于測量前方障礙物距離并轉換為聲音脈沖信號的導盲電路，使用者根據聲音脈沖的頻率判斷前方障礙物的距...

本實用新型公開了一種家用電器的自動控制裝置。它解決了目前電暖氣不能自動定時操作的問題，具有結構簡單、定時準確、省時省力、安全性強的優點等，能夠使電暖器自動開啟工作，使人們進入室內后室內溫度即可達到舒適的程度，也可適用于老年人與幼兒不能準...

一種離子層對鋁陰極的保護技術屬于氣體放電電子器件生產工藝。該技術將鋯鋁汞片點焊在氧化的鋁陰極上，再將鋁陰極裝入電子器件中并抽真空，再用高頻電爐對鋁陰極和鋯鋁汞片除氣后，用高頻爐加熱線圈對鋯鋁汞片加熱激活并同時釋放汞蒸汽，形成汞離子保護層...

本發明提供一種用于光動力療法的全固態紫、紅雙色激光器，包括由一半導體激光器為泵浦光源，摻Ｎｄ離子晶體前后表面鍍有１．０６４μｍ和１．３４２μｍ減反膜，輸入鏡與腔鏡（６）、腔鏡（７）分別組成１．３４２μｍ、１．０６４μｍ激光諧振腔，１．０...

本發明提供一種間歇振蕩雙波長全固態激光器，以半導體激光器做泵浦源，摻Ｎｄ↑［３＋］激光晶體兩端分別設置光路轉換鏡和諧振腔后鏡，分別包括Ｑ－開關和腔鏡的兩個相對獨立的聲光調－Ｑ諧振腔共用摻Ｎｄ↑［３＋］激光晶體、光路轉換鏡和諧振腔后鏡，Ｑ...

本發明公開了一種新型激光彩色顯示裝置，它具有時序控制器模塊、紅光激光器、綠光激光器、藍光激光器、消相干器、液晶光閥、光閥驅動電路、透鏡系統。三基色激光器腔內分別內置有光調制器，由時序控制器模塊控制三個激光器分時出光，在紅光激光器的輸出光...

由于干電池的自放電現象，電池存放時間一長，電池的電壓就明顯下降，甚至無法使用。采用本實用新型干電池銷售箱，在電池的兩極加上了反電動勢，克服了自放電現象，為干電池銷售和使用提供了方便。

一種臺面半導體器件玻璃鈍化工藝，屬于臺面半導體器件生產工藝的一部分．該工藝利用加硝酸鋁為電解質的電泳法在臺階狀ＰＮ結臺面溝槽內涂敷玻璃粉和在通入純氧的燒結爐中熔燒玻璃粉的方法，做出的玻璃鈍化層表面光潔，內里無氣泡，厚度均勻可控，從而提高...

一種單溫區開管擴鎵生產晶閘管方法，屬于電力半導體器件生產工藝。在單溫區擴散爐里對經高溫氧化后的硅片進行開管擴鎵。擴散時利用干Ｈ－［２］從固態Ｇａ－［２］Ｏ－［３］里通過化學反應攜帶出元素鎵，憑借著對源溫、片溫、Ｈ－［２］氣體流量、摻雜時...

一種適用于開管鎵擴散石英管道的制造工藝，利用Ｓｉ，Ｎ，膜可屏蔽鎵元素的原理，在ＣＶＤ爐中通入硅烷和氨氣，使之發生熱分解反應，在普通石英擴散管內壁上生成一層Ｓｉ，Ｎ，薄膜。使用該類石英管擴鎵生產的半導體器件在穩定擴散參數條件下。電參數的一...

一種臺面半導體器件鈍化工藝及設備，涉及臺面半導體器件生產中的氣相鈍化工藝及其設備。本發明采用一種改進了的高壓鍋作為反應室，ＨＦ—ＨＮＯ－［３］混合蒸汽和甲基三氯硅烷在加熱、加壓和紅外光照的條件下對管芯發生作用，在臺面上形成一層致密的鈍化...

一種制備葉綠素光伏電池的工藝，屬于有機光伏電池生產工藝。本工藝特征在于用二氧化錫光透導電玻璃作為電極板，用電沉積法將葉綠素ａ鋪展到負極板上，在兩板板間夾入含氫醌的聚乙烯醇薄膜。本工藝簡便易行，無三廢之害。按本工藝制得的葉綠素光伏電池，造...

一種鎵在硅臺面管生產中的應用技術，屬于ＮＰＮ型硅臺面高反壓管生產工藝。將拋光、氧化后的硅片置于擴散爐里進行開管擴鎵，先采用低濃度鎵摻雜，結深推移，后表面高濃度鎵摻雜，兩者在同一爐內連續完成以形成Ｐ型基區，在磷擴散再分布后再進行低溫短時間...

一種延長功率晶體管壽命的工藝。本發明涉及功率晶體管集電極歐姆接觸形成工藝。本發明針對已有工藝中管芯背部金屬化時所采用金屬與硅的熱膨脹系數相差較大，而且低溫下不能形成金屬硅化物的缺點，集電極上粘附層采用金屬鈮（Ｎｂ），并在濺射裝置中低溫下...

本發明涉及提高功率晶體管間歇壽命的工藝。其主要特點是（１）集電極多層金屬化時，上粘附層所采用的金屬與硅芯片低溫下形成金屬硅化物；（２）阻擋層分別與上粘附層和下粘附層之間有一層交叉層；（３）將管芯焊在管殼上時采用了新的軟焊料。采用本發明生...

一種開管鋁鎵擴散工藝。本發明是屬于高壓大電流電力半導體器件生產領域中的一種擴散工藝。該工藝是由在硅片上涂布鋁乳膠源擴散和開管鎵擴散同步進行為特征的。整個擴散過程是在二氧化硅乳膠源經高溫后形成的氧化膜及氮氣（或惰性氣體）保護下，于同一擴散...

一種高壓晶閘管制造方法及裝置。本發明屬于電力半導體器件－－晶閘管生產中的一種雙質摻雜方法及擴散系統裝置。本發明為鋁乳膠源涂布與氣相鎵雜質相結合的一種分步擴散法，它是先在Ｎ型硅片上均勻涂布二氧化硅鋁乳膠源進行鋁擴散，然后擴鋁硅片經單面拋光...