公開了一種配置用于執(zhí)行材料層的同時外延沉積的處理模塊。處理模塊包括具有支撐框架的公共室殼體。在殼體內(nèi)，兩個室主體橫向間隔開，并且上燈殼體位于每個室主體上方。處理模塊的特征在于升降組件，其配置成獨立地升降燈殼體以提供接近其內(nèi)的燈。還公開了...

提出了一種具有壓載氣體功能的襯底處理設(shè)備。根據(jù)本公開的襯底處理設(shè)備包括限定用于處理襯底的處理空間的室壁、配置為使氣體離開處理空間的排氣端口、以預(yù)定長度從排氣端口設(shè)置的排氣管線，其配置成加速來自襯底處理設(shè)備的氣體、設(shè)置在排氣管線中用于控制...

公開了一種相對于金屬性表面在非金屬性表面上選擇性地沉積材料的方法。示例性方法包括使用反應(yīng)物在金屬性表面上選擇性地形成抑制劑層，隨后將材料沉積在非金屬性表面上。

一種基板處理設(shè)備的示例包括：配置為包含平臺的腔室；配置為在所述腔室內(nèi)接收光的光接收裝置；以及基板輸送設(shè)備，其包括軸和配置為隨該軸的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)臂，并且配置為向所述光接收裝置提供具有不同光量的多個光束。

一種反應(yīng)器系統(tǒng)可以包括：襯底載體，其可以配置成在反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)移動襯底，和/或平移臂；溫度測量裝置；處理器；和/或配置為與處理器通信的有形非暫時性存儲器，具有存儲在其上的指令，指令響應(yīng)于由處理器執(zhí)行而使處理器執(zhí)行操作。溫度測量裝置可以聯(lián)接...

公開了沉積材料的方法和用于沉積材料的系統(tǒng)。示例性方法包括在改變反應(yīng)室內(nèi)的壓力的同時向襯底投配前體和/或反應(yīng)物。

公開了一種相對于非金屬表面在金屬表面上選擇性地沉積介電材料的方法。示例性方法包括使用第一反應(yīng)物在非金屬表面上選擇性地形成期望的末端官能團(tuán)，并且使第二反應(yīng)物與末端官能團(tuán)選擇性地反應(yīng)以在非金屬表面上選擇性地形成有機層。

本技術(shù)的各種實施例可提供具有凹槽和與凹槽流體連通的入口孔的分隔板，設(shè)置在凹槽內(nèi)的流量分配環(huán)，其中流量分配環(huán)具有多個孔，以及設(shè)置在分隔板和流量分配環(huán)上方的頂環(huán)。

一種脈沖閥歧管（PVM）組件包括PVM。所述PVM由兩個或更少的歧管部分形成。所述PVM包括：管區(qū)段，所述管區(qū)段具有使得反應(yīng)物能夠進(jìn)入所述PVM的進(jìn)入口；矩形塊區(qū)段，所述矩形塊區(qū)段具有頂表面和底表面，其中所述頂表面連接到所述管區(qū)段；和基...

公開了用于在襯底表面上形成多晶鉬膜的方法。所述方法可以包括：將襯底提供到反應(yīng)室中；將成核膜直接沉積在襯底的暴露表面上，其中成核膜包含金屬氧化物成核膜或金屬氮化物成核膜中的一種；以及將多晶鉬膜直接沉積在成核膜上；其中多晶鉬膜包含多個具有小...

公開了用含碳材料填充襯底上的間隙的方法。示例性方法包括將包括間隙的襯底提供到反應(yīng)室中并執(zhí)行多個沉積循環(huán)。每個沉積循環(huán)包括以氣相將第一前體提供到反應(yīng)室中并將反應(yīng)性物質(zhì)提供到反應(yīng)室中，其中第一前體包括碳。

提供一種襯底處理系統(tǒng)，用于在制造操作期間進(jìn)行有效的水分控制。系統(tǒng)包括具有冷卻板的緩沖室，冷卻板聯(lián)接到低溫泵以流通冷凍劑，例如液氮。在襯底轉(zhuǎn)移期間釋放的殘余水分和水蒸汽被捕獲并冷凝到冷卻板上。再生系統(tǒng)使用傳感器監(jiān)測水分積聚，并在達(dá)到設(shè)定閾...

提出了一種歧管結(jié)構(gòu)。為了同時使用多種氣體，本公開提出了一種歧管，其包括設(shè)置在歧管頂部的氣體入口部分，其中主氣體通道放置在氣體入口部分的中心；沿著豎直軸線設(shè)置在氣體入口部分下方的多個主體部分；以及沿著豎直軸線設(shè)置在底部的混合部分，混合部分...

一種焊接件包括通道主體，該通道主體由陶瓷材料形成并且具有板部、第一側(cè)壁部和第二側(cè)壁部。通道主體的板部具有第一表面和第二表面。第一側(cè)壁部從板部延伸并且相對于通道主體的板部的第一表面基本正交。第二側(cè)壁部與通道主體的第一側(cè)壁部間隔開，并且基本...

公開了在襯底表面上形成含硅層的方法。示例性方法包括將含氧反應(yīng)物提供到反應(yīng)室中并且執(zhí)行一個或多個沉積循環(huán)，其中每個沉積循環(huán)包括在硅前體脈沖周期內(nèi)向反應(yīng)室提供硅前體，并且在等離子體功率周期內(nèi)提供脈沖等離子體功率以形成含硅層。

一種升降和旋轉(zhuǎn)組件包括軸托架、陶瓷軸、分段套筒和凸緣套筒。軸托架限定穿過其中的孔，陶瓷軸接收在軸托架的孔內(nèi)，分段套筒安置在軸托架中并且圍繞陶瓷軸延伸，并且凸緣套筒限定旋轉(zhuǎn)軸線并且將軸托架螺紋地接收在其中。分段套筒圍繞軸托架的孔內(nèi)的陶瓷軸...

公開了用于襯底處理系統(tǒng)中的離子阱。離子阱可以包括至少一個孔。孔可以包括相對于離子阱的頂表面或底表面傾斜的內(nèi)表面。孔可以防止等離子體離子穿過離子阱和/或允許等離子體自由基穿過離子阱。

公開了一種半導(dǎo)體處理裝置。半導(dǎo)體處理裝置包括：處理室，其配置成接收多個襯底；與處理室流體連通的至少一個蓄積器容器，其配置成儲存氣體形式的前體；以及至少兩個固態(tài)前體儲存容器，每個配置成接收氣體形式的前體，以使所述接收的氣體形式前體在相應(yīng)的...

一種使用沉積方法在襯底上沉積金屬?鈮氧化物膜的過程可以包括多個完整沉積循環(huán)。每個完整沉積循環(huán)可以包括執(zhí)行金屬?氧化劑子循環(huán)，然后執(zhí)行鈮子循環(huán)。金屬?氧化劑子循環(huán)可以包括使襯底與金屬前體和第一氧前體接觸。鈮子循環(huán)可以包括使襯底與至少鈮前體...

公開了一種半導(dǎo)體處理裝置。半導(dǎo)體處理裝置包括：處理室，其配置成接收多個襯底；與處理室流體連通的蓄積器容器，其配置成儲存氣體形式的前體；以及至少兩個固態(tài)前體儲存容器，每個配置成接收氣體形式的前體，以使所述接收的氣體形式前體在相應(yīng)的固態(tài)前體...