公開了氣體注入系統(tǒng)和包括這種氣體注入系統(tǒng)的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。所公開的氣體注入系統(tǒng)包括注入器殼體，其具有第一系列注入端口和分開的第二系列注入端口，這些注入端口被構(gòu)造和布置成減少反應(yīng)室的內(nèi)表面上的寄生沉積。還公開了用于在反應(yīng)室內(nèi)形成含硅層的方...

用于形成用于集成電路的偶極子、偶極子形成層和功函數(shù)金屬的半導(dǎo)體處理裝置和方法。還描述了相關(guān)結(jié)構(gòu)，例如金屬絕緣體金屬電容器。示例性方法包括使襯底與包含不同元素的第一前體和第二前體接觸。

擴散器包括從入口延伸到壁的頂表面和底表面。頂表面和底表面由間隔距離分開。間隔距離至少包括擴散器的入口處的第一間隔距離和壁處的第二間隔距離，使得第一間隔距離大于第二間隔距離。也就是說，頂表面的至少一部分是錐形的。

一種在襯底上形成膜的方法，包括將襯底提供給反應(yīng)室并通過重復(fù)循環(huán)在襯底上形成膜，所述循環(huán)包括：供應(yīng)包含乙酰氧基的第一硅源和供應(yīng)氫源，同時從功率源向反應(yīng)室施加功率，其中氫源與第一硅源的乙酰氧基反應(yīng)以形成對乙酰氧基具有反應(yīng)性的吸附位點，其中在...

公開了一種用于容納液體化學(xué)前體的化學(xué)容器，其包括液位傳感器管。液位傳感器管配置為在液體化學(xué)前體被加熱到沸點或蒸發(fā)點的環(huán)境中操作。液位傳感器管包括殼體，該殼體具有內(nèi)置的狹槽，以防止設(shè)置在液位傳感器管內(nèi)的傳感器的任何錯誤讀數(shù)。液位傳感器管可...

一種軸構(gòu)件包括沿軸線布置的軸構(gòu)件主體，該軸構(gòu)件主體具有驅(qū)動端、中間段和座端。驅(qū)動端在其中限定固定特征，中間段從軸構(gòu)件主體的驅(qū)動端延伸，并且座端通過軸構(gòu)件主體的中間段與軸構(gòu)件主體的驅(qū)動端軸向分離。座端具有一個或多個傾斜刻面，以將星形構(gòu)件軸...

提出了一種用于檢測晶片處理系統(tǒng)的室中的物體的物體檢測設(shè)備。該用于檢測晶片處理系統(tǒng)的室中的物體位置的設(shè)備包括：主體框架，其包括感測部分和指示部分，其中感測部分包括至少一個傳感器，用于感測室中物體的位置，并且指示部分包括至少一個信號，用于指...

公開了一種用于容納液體或固體形式的前體的容器。容器包括用于向容器的內(nèi)部供應(yīng)氣體的入口端口和用于從容器的內(nèi)部去除氣體的出口端口，入口端口和出口端口在第一方向上間隔開，容器包括上內(nèi)表面和相對的底內(nèi)表面，上表面布置成在使用中面向容納在容器中的...

一種在襯底上形成膜的方法，包括在反應(yīng)室中提供襯底，并且通過重復(fù)循環(huán)至少一次在襯底上形成膜，其中形成膜包括向襯底供應(yīng)包含胺和催化劑的硅源，然后向襯底供應(yīng)氧源，同時從功率發(fā)生器向反應(yīng)室施加第一功率。該方法還包括在形成膜之前對襯底進行襯底處理...

公開了用于沉積復(fù)合膜的方法、系統(tǒng)和設(shè)備，包括在反應(yīng)室中提供襯底，根據(jù)第一循環(huán)沉積過程沉積包含第一金屬氮化物的第一材料層，根據(jù)第二循環(huán)沉積過程沉積包含碳化鋁的第二材料層，以及根據(jù)第三循環(huán)沉積過程沉積包含第二金屬氮化物的第三材料層。

公開了通過循環(huán)蝕刻過程在反應(yīng)室中蝕刻襯底表面上的金屬氧化物層的方法。循環(huán)蝕刻過程包括重復(fù)的蝕刻循環(huán)，其中每個蝕刻循環(huán)包括使金屬氧化物層與氣相改性劑反應(yīng)物接觸以及使金屬氧化物層與氣相鹵素反應(yīng)物接觸。還公開了用于形成金屬氧化物層的方法，這樣...

描述了基座、相關(guān)系統(tǒng)和相關(guān)方法。根據(jù)本公開的實施例的基座包括多個接觸旋鈕。多個接觸旋鈕中的接觸旋鈕可以被珩磨。

公開了形成包括光致抗蝕劑下層的結(jié)構(gòu)的方法和包括光致抗蝕劑下層的結(jié)構(gòu)。示例性方法包括使用循環(huán)沉積過程形成光致抗蝕劑下層。示例性方法可以另外包括形成鈍化層和/或粘附層。

公開了一種用于以間隔開的豎直布置保持襯底的晶片舟。舟包括在舟軸線方向上間隔開的第一端板和第二端板；第一側(cè)桿和第二側(cè)桿以及后桿，所述桿在第一端板和第二端板之間延伸；后桿包括用于至少部分地支撐晶片的多個后桿支撐件，后桿支撐件的形狀基本為半圓...

提供了一種沉積氮化硅薄膜的方法。該方法可以包括以下步驟：(a)將襯底放置在反應(yīng)室中的基座上；其中襯底包括溝槽；(b)將硅前體引入到反應(yīng)空間中；(c)將襯底暴露于含氮氣體以吹掃過量的硅前體和副產(chǎn)物；(d)將硅前體引入到反應(yīng)空間中；(e)將...

公開了用于重整包含氮化硅的膜的方法和系統(tǒng)。示例性的方法包括：在反應(yīng)腔室內(nèi)提供基板，通過用微波輻射照射重整氣體來形成經(jīng)活化物種，和將基板暴露于經(jīng)活化物種。在形成經(jīng)活化物種的步驟期間反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力可低于50Pa。

公開了一種沉積含金屬的材料的方法。所述方法可包括循環(huán)沉積技術(shù)的使用，如循環(huán)化學(xué)氣相沉積和原子層沉積。含金屬的材料可包括金屬間化合物。還公開了一種包括所述含金屬的材料的結(jié)構(gòu)和一種用于形成所述材料的系統(tǒng)。

提供了用于提供前體脈沖的設(shè)備、系統(tǒng)和方法。如本文所述的設(shè)備、系統(tǒng)和方法可用于例如將前體快速地脈沖到反應(yīng)器并在反應(yīng)器的吹掃期間提供相對高流量的吹掃氣體。

在一個實施例中，RF功率源向等離子體室提供脈沖RF信號，并且第一傳感器定位在RF功率源和等離子體室之間。控制電路接收指示脈沖RF信號的參數(shù)的預(yù)期值的脈沖信息，該參數(shù)是脈沖頻率、占空比、脈沖幅度或脈沖形狀?？刂齐娐愤€從第一傳感器接收指示脈...

一種驅(qū)動組件包括軸構(gòu)件、軸支架和永磁體。軸構(gòu)件具有沿著旋轉(zhuǎn)軸線布置的星形端和驅(qū)動端。軸支架將軸構(gòu)件的驅(qū)動端安置在其中，并且相對于軸構(gòu)件圍繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)地固定。永磁體安置在軸支架中，相對于軸支架圍繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)地固定，并且從軸構(gòu)件的星形端...