一種用于選擇性沉積鉬膜的方法，包括：在反應(yīng)室中支撐襯底，襯底包括金屬表面和相鄰的電介質(zhì)表面；響應(yīng)于在循環(huán)沉積過程中使襯底與包含鹵氧化鉬的第一前體接觸而相對于電介質(zhì)表面在金屬表面上選擇性地沉積鉬膜；響應(yīng)于在循環(huán)蝕刻過程中使襯底與包含鹵化鉬...

一種支架，包括具有底座部分、第一和第二開槽部分以及凸緣部分的支架主體。底座部分限定支架軸線。第一開槽部分和第二開槽部分從支架主體的底座部分橫向偏移。第二開槽部分通過支架主體的底座部分與第一開槽部分進一步軸向分離。支架主體的凸緣部分在與支...

公開了一種襯底提升銷組件、包括該組件的系統(tǒng)及其使用方法。該組件可以包括一個或多個提升銷和傳感器，該傳感器用于確定一個或多個提升銷的存在和狀況信息中的一個或多個。該系統(tǒng)可以配置為基于存在和/或狀況信息來提供警告和/或停止操作。

公開了用于在進入反應(yīng)室之前混合兩種或更多種氣體的設(shè)備、包括該設(shè)備的反應(yīng)器系統(tǒng)以及使用該設(shè)備和系統(tǒng)的方法。如本文所述的系統(tǒng)和方法可用于例如將兩種或更多種前體的混合物脈沖到反應(yīng)室。

一種填充設(shè)置至襯底的間隙的方法，包括：在反應(yīng)器中提供襯底，并且重復(fù)地進行可流動間隙填充循環(huán)，可流動間隙填充循環(huán)包括在間隙的表面上形成第一固體層，通過供應(yīng)由功率激活的氟源的氟流量，將第一固體層轉(zhuǎn)變成可流動層，并將可流動層轉(zhuǎn)化成第二固體層。...

公開了用于向反應(yīng)室提供氣體的設(shè)備、包括設(shè)備的反應(yīng)器系統(tǒng)以及使用該設(shè)備和系統(tǒng)的方法。本文所述的系統(tǒng)和方法可用于例如以所需的流量分布向反應(yīng)室提供兩種或更多種前體的混合物。

本公開涉及用于填充間隙的方法和設(shè)備。更具體地，所公開的方法和系統(tǒng)執(zhí)行一個或多個沉積循環(huán)和自由基處理。可選地，所述方法和系統(tǒng)執(zhí)行熱退火和真空紫外輻射。

用于抑制集成電路中的后段制程金屬線中的電遷移的方法及相關(guān)結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)。本公開的結(jié)構(gòu)的實施例包括偶極子襯里，該偶極子襯里包括位于導(dǎo)電線和低k電介質(zhì)之間的偶極子。

一種方法，包括在襯底上沉積閾值電壓偏移層，其中該層包括金屬并且具有式M(N<subgt;x</subgt;C<subgt;y</subgt;O<subgt;z</subgt;)，其中M是金屬，N是氮，...

本文公開了與使用固體源化學(xué)填充容器的輸送系統(tǒng)相關(guān)的系統(tǒng)和方法。輸送系統(tǒng)可以包括氣相沉積反應(yīng)器、兩個或更多個填充容器，其中一個或多個可以遠離氣相沉積反應(yīng)器。每個填充容器配置為在其中容納固體源化學(xué)反應(yīng)物。互連管線或?qū)Ч芸梢詫庀喑练e反應(yīng)器與...

本公開總體涉及包括一個或多個含釩層的結(jié)構(gòu)以及用于形成所述結(jié)構(gòu)的方法和系統(tǒng)。在一些實施例中，所述結(jié)構(gòu)包括使用循環(huán)沉積過程形成的第一含釩層。循環(huán)沉積過程包括在反應(yīng)空間中提供襯底，使襯底的表面與釩前體接觸，以及使襯底的表面與還原劑接觸，以在襯...

本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法及設(shè)備。在本公開中，通過循環(huán)沉積過程將包含金屬的材料選擇性地沉積在襯底上。沉積方法包括在反應(yīng)室中提供襯底，其中襯底包括包含第一材料的第一表面和包含第二材料的第二表面。在反應(yīng)室中以氣相提供包含金屬氨基醇鹽...

提供了一種從包含鈦的金屬性部件去除原子層沉積(ALD)涂層的方法。還公開了用于促進去除金屬性部件上無意的殘余ALD涂層的過程的系統(tǒng)。預(yù)處理包含殘余涂層的金屬性部件為化學(xué)底切提供更大表面積。此外，將金屬性部件浸入清潔化學(xué)溶液中并攪動清潔化...

公開了用于形成互連結(jié)構(gòu)的方法和用于形成互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。所公開的方法包括在導(dǎo)電層中形成導(dǎo)電元件以及在導(dǎo)電元件上形成鈍化層。所公開的方法還包括在溝槽中形成低介電常數(shù)層之前去除鈍化層，以防止低介電常數(shù)層中的處理引起的損傷。所公開的半...

提供了通過氣相沉積形成氧化銦鉬層(IMO)的方法。在一些實施例中，用于形成IMO層的循環(huán)沉積過程包括在反應(yīng)室中交替且順序地使襯底與氣相銦前體、氣相鉬前體和一種或多種氧反應(yīng)物接觸。

本公開涉及用于通過包括原子層沉積的循環(huán)氣相沉積技術(shù)在半導(dǎo)體襯底的不同表面上選擇性地沉積含金屬材料比如金屬氧化物的方法和組件。使用金屬前體沉積含金屬材料，金屬前體具有結(jié)合到乙脒基配體的金屬原子，例如二烷基乙脒基配體。根據(jù)過程流程，含金屬材...

提供了一種配置成支撐一個或多個晶片的晶片舟。晶片舟包括第一支柱、第二支柱和第三支柱，每個具有多個突出元件。第一、第二和第三支柱的頂表面聯(lián)接到三角形頂部構(gòu)件，第一、第二和第三支柱的底表面聯(lián)接到三角形底部構(gòu)件。晶片舟限定豎直延伸并平行于第一...

一種室裝置，包括室主體、質(zhì)量流量控制器(MFC)裝置和旁路導(dǎo)管。MFC裝置聯(lián)接到室主體，并且包括第一注射MFC裝置和第二注射MFC裝置。第一注射MFC裝置聯(lián)接到室主體。第二注射MFC裝置聯(lián)接到室主體，并且與第一MFC裝置并聯(lián)流體布置。旁...

提供了轉(zhuǎn)移室、包括轉(zhuǎn)移室的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)以及防止?jié)駳膺M入轉(zhuǎn)移室的方法。所公開的轉(zhuǎn)移室包括一個或多個氣體分配器，用于在轉(zhuǎn)移室中的開口上形成氣簾，從而防止?jié)駳膺M入轉(zhuǎn)移室。

本技術(shù)的各種實施例可以提供一種襯底支撐設(shè)備，其具有表面，該表面包括具有第一溫度分布的第一區(qū)域、具有第二溫度分布的第二區(qū)域；以及具有第三溫度分布的第三區(qū)域。襯底支撐設(shè)備還可以具有嵌入在主體內(nèi)并設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第一通道，以及設(shè)...