公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括在反應室中提供襯底。襯底包括至少一個間隙。該方法還包括將層沉積到間隙中。該層具有第一體積。最后，該方法還包括將該層轉換成轉換層。轉換層具有第二體積。第二體積大于第一體積。該方法和系統例如在集...

襯底轉移裝置的示例包括負載鎖定室(LLC)、第一晶片搬運室(WHC)、固定在第一WHC中的第一附接位置的第一轉移機器人、與第一WHC接觸的通過室(PTC)、設置在PTC中的襯底平臺、與PTC接觸的第二WHC以及固定在第二WHC中的第二附...

一種夾具，包括第一端板、螺紋構件、第二端板和壓縮構件。第一端板具有第一端板凹部。螺紋構件固定在第一端板中，在與第一端板凹部相反的方向上延伸。第二端板具有面向第一端板凹部的第二端板凹部，并且可滑動地容納在螺紋構件上。壓縮構件布置在第二端板...

一種晶片舟系統，包括：承載件，其沿著承載件軸線延伸并且包括在承載件的第一軸向端部處的第一端部構件、在承載件的第二軸向端部處的第二端部構件以及將第一端部構件與第二端部構件連接的殼體，其中至少三個周向間隔開的軸向系列環支撐槽設置到殼體，環支...

可用于半導體處理設備領域的方法和相關系統。本文公開的方法可以包括用從渦流管的熱端發出的熱氣流清潔前體管線。

本公開的技術總體涉及半導體器件領域。更具體地，涉及包括電荷俘獲層的存儲元件及其制造系統和方法。用于形成存儲元件的電荷俘獲層的方法，包括以下步驟：將襯底提供到反應室中；執行一個或多個循環，循環包括鉿前體脈沖；可選地，鋯前體脈沖；氧反應物脈...

一種用于半導體處理系統的室裝置，包括室主體、襯底支撐件、第一室高溫計和第二室高溫計。室主體具有外表面、中空內部，并且襯底支撐件被支撐以在室主體的內部內旋轉。第一室高溫計和第二室高溫計光學耦合到室主體的外表面。第一室高溫計配置成獲取室主體...

重量和/或層厚度測量系統包括：(a)用于支撐物體的支撐基座；(b)振蕩器源，將振蕩頻率施加到支撐基座；(c)應變傳感器，測量由振蕩在支撐基座中引起的應變；以及(d)連接到振蕩器源和應變傳感器的鎖相環模塊。基于由鎖相環模塊確定的相位差信息...

公開了一種在襯底上形成圖案的方法。該方法包括：提供具有曝光室的極紫外(EUV)光刻系統，向曝光室提供襯底，襯底包括可圖案化層，可圖案化層包括光敏表面終端；以及將襯底暴露于EUV輻射，同時將可圖案化層暴露于反應性氣體，從而在可圖案化層上形...

公開了一種用于在襯底上沉積包含無氧金屬硫化物的閾值電壓偏移層的方法、系統和設備，其中沉積還包括：在反應室內提供具有表面的襯底，a)向反應室提供包含金屬的無氧前體以接觸表面，b)向反應室提供無氧含硫反應物以接觸表面，c)吹掃反應室并重復操...

一種用于相對于襯底的不同的第二表面在襯底的第一表面上選擇性地形成氧化鋁的方法、系統和設備，該過程包括一個或多個超級循環，該超級循環包括子循環：a)通過一個或多個選擇性沉積子循環，相對于襯底的不同的第二表面在襯底的第一表面上選擇性地沉積氮...

本公開涉及用于在包括兩個表面的襯底上選擇性氣相沉積抑制劑材料的方法、處理組件、反應物和氣相沉積容器。在本公開的一些實施例中，抑制材料沉積在襯底的第一表面上，而基本沒有抑制劑材料沉積在襯底的第二表面上。抑制劑材料通過使襯底與氣相抑制劑反應...

本公開的技術總體涉及半導體器件領域，包括用于制造半導體器件的方法和系統。更具體地，半導體結構包括偶極層，該偶極層可以由含金屬和碳層形成。還描述了相關的方法、沉積系統和裝置。

本公開的技術總體涉及電容器器件領域。更具體地，涉及包括鉿鋯氧化物(HZO)層的金屬?絕緣體?金屬電容器(MIM?CAPS)及其制造方法。還描述了相關的方法、沉積系統和裝置。在襯底上形成摻雜的HZO層的方法包括以下步驟：在反應室中提供襯底...

可以公開氣體注射器和被構造和布置成用這種氣體注射器在處理室中處理多個襯底的設備。氣體注射器可用于將處理氣體提供到處理室中。氣體注射器可以具有沿著主軸線伸長的主導管和在一端的進給端，該進給端被構造和布置成連接到設備的處理氣體管線。可以提供...

襯底處理系統和方法具有擴展的襯底處理能力。對于這樣的系統，可以使用標準的襯底搬運室前體來形成不同類型和襯底處理系統的不同區域的襯底搬運室主體。這種襯底搬運室前體可以包括外部形狀，其中大部分可以用于兩種(或更多種)不同類型的襯底搬運室主體...

本公開涉及用于蝕刻鉬(Mo)膜的方法和用于執行所述方法的系統。所公開的方法包括：將包含Mo外層的襯底暴露于含氧反應物，以將Mo外層的至少一部分轉化為氧化鉬(MoOx)，然后將襯底暴露于包含一個或多個S?X鍵、P?X鍵和Si?X鍵的蝕刻劑...

提供了一種填充襯底表面上的溝槽的方法。該方法可以包括以下步驟：在反應室內提供襯底，該襯底包括形成在襯底表面上的多個窄溝槽和寬溝槽；第一沉積步驟，包括：(a)使碳前體流入反應室；(b)將碳前體暴露于等離子體，其中碳前體反應以形成第一沉積材...

本技術的各種實施例可以提供一種具有通向反應室的前級管線的旁路管線的系統。該系統可以包括聯接到前級管線的泵。該系統可以包括旁路管線上游的壓力流量控制器。旁路管線可以在泵入口處聯接到前級管線。旁路管線可以包括低流量路徑，其中相對于不受限制的...

本公開涉及用于在包括兩個表面的襯底上選擇性氣相沉積抑制劑材料的方法、處理組件。在本公開的一些實施例中，抑制材料沉積在襯底的第一導電表面上，而基本沒有抑制劑材料沉積在襯底的第二表面上。抑制劑材料通過使襯底與氣相抑制劑反應物接觸而形成，氣相...