本公開的技術總體涉及半導體器件領域。更具體地，半導體結構、系統及其制造方法，包括通過使沉積的硅層與鹵化物反應物反應形成的表面改性的硅層。該系統包括一個或多個反應室，其被構造和布置成保持襯底；硅前體容器，其被構造和布置成容納和蒸發硅前體；...

公開了形成適用于多重圖案化過程的圖案化結構和操縱膜特性的方法。示例性方法包括形成覆蓋襯底的層，隨后處理該層，其中通過以下來形成層：在前體脈沖周期內向反應室提供前體，在反應物脈沖周期內向反應室提供反應物，施加在第一等離子體功率周期內具有第...

提供了一種用于處理多個襯底3的設備1。該設備可以具有形成處理室7的處理管5和門15，門15配置為在處理室中支撐襯底3并密封處理室7。該設備可以具有氣體注射器23，以將處理氣體提供到處理室中。氣體注射器可以可操作地連接到吹掃室9中的處理氣...

本公開涉及相對于半導體襯底的第二表面在同一襯底的第一表面上選擇性地沉積氧化物材料層的方法、半導體處理組件以及包括根據本公開沉積的氧化物材料層的氧化物材料層、結構和器件。在該方法中，使用包含硅或金屬的第一前體和包含烷氧基的第二前體選擇性地...

公開了負載鎖定組件、包括負載鎖定組件的半導體處理系統以及用于調節負載鎖定組件內的襯底溫度的相關方法。負載鎖定組件包括聯接到升降機的溫度控制組件，升降機配置為向負載鎖定主體內的溫度控制組件提供豎直運動。

公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法還包括在襯底上形成可轉化層，并將襯底暴露于轉化反應物。因此，可轉化層的至少一部分被轉化成間隙填充流體。間隙填充流體至少部分地填充間隙。該方法和系統例如在...

公開了一種提供改進的處理均勻性的襯底支撐板。襯底支撐板可以包括襯底安裝部和圍繞襯底安裝部的外圍部。外圍部的一部分可以包括絕緣層。頂表面的中心部分可以不包括絕緣層。

公開了使用多室反應器沉積硅的方法和系統。示例性方法包括執行一個或多個沉積循環以及執行處理、蝕刻和/或固化過程。

提供了一種通過PEALD形成低k膜的方法。在一實施例中，供應第一硅前體，接著供應第二硅前體，以形成硅前體層。然后供應氧化劑以形成氧化硅膜。該方法還包括后處理，以便從膜中去除水分。根據本公開的方法能夠在凹部結構上形成具有期望的低k值和良好...

一種反射器，包括具有開槽表面、平面表面和橢球形表面的反射器主體。平面表面與開槽表面相對，并與開槽表面分開反射器主體的厚度。橢球形表面偏離平面表面，與開槽表面相對，并與開槽表面分開反射器主體的厚度，并且跨越反射器主體的開槽表面。橢球形表面...

公開了用于在襯底上形成一個或多個金屬氧化物層的方法、系統和設備。一種示例方法包括a)在反應室中提供襯底，b)將包含鋅或鎵或其組合以及氧物質的第一前體流入反應室中，以在襯底的頂表面上沉積第一氧化物層，c)將第二前體流入室中以在第一氧化物層...

公開了一種在襯底上沉積一層或多層的方法。該方法可包括提供襯底，響應于暴露于蝕刻劑從襯底表面蝕刻天然氧化物，使襯底的蝕刻表面與氧化劑接觸，響應于與氧化劑的接觸氧化襯底的第一層，并在第一層上沉積第二層。

一種提升銷包括沿提升銷軸線布置的提升銷主體，該提升銷主體具有接觸墊、桿段、頸段和跨度特征。接觸墊被限定在提升銷主體的第一端，桿段從接觸墊延伸，并且頸段從桿段延伸。跨度特征被限定在提升銷主體的第二端，通過頸段和桿段連接到接觸墊，并且具有次...

提出了一種具有改善的膜均勻性的晶片處理設備。該設備包括封閉和限定反應室的射頻(RF)外殼；放置在反應室內的噴淋頭，其配置為產生用于在反應室中處理晶片的等離子體；射頻(RF)電源，其配置為產生RF并將所產生的RF供應至噴淋頭；并聯和/或串...

一種提升銷包括沿提升銷軸線布置的提升銷主體，該提升銷主體具有擴大的接觸墊、從接觸墊軸向延伸的桿段、從桿段軸向延伸并通過提升銷主體的桿段與接觸墊分開的頸段以及從頸段軸向延伸并通過頸段與桿段分開的基部段。提升銷主體的基部段具有基部段寬度，提...

公開了受保護金屬部件和包括受保護金屬部件的反應室。還公開了形成和利用受保護金屬部件的示例性方法。受保護金屬部件包括設置在金屬芯的非平面表面上的保形保護層。

公開了在襯底表面上形成硅化鉬層的方法。該方法包括將襯底安置在反應室內，在襯底的表面上沉積鉬金屬層，以及使鉬金屬層的表面與含硅氣體接觸，從而將鉬金屬層的至少一部分轉化為硅化鉬層。

本技術的各種實施例可以提供原位計量。一種系統可以包括嵌入基座內并與基座的頂表面齊平的第一傳感器。該系統還可以包括提升銷墊，該提升銷墊具有布置成接觸提升銷的第二傳感器。該系統還可以包括布置在反應室外部并鄰近觀察端口的第三傳感器。該系統還可...

提供了一種填充襯底表面上的溝槽的方法。該方法可以包括以下步驟：將襯底定位在襯底支撐件上，襯底支撐件設置在反應室內，其中反應室的壓力小于200Pa；將碳前體連續流入反應室；將蝕刻氣體連續流入反應室；通過向反應室的一個或多個電極中的一個施加...

提供了一種用可流動氧化物膜填充間隙的方法。在本公開的一個實施例中，該方法包括形成可流動氮化硅膜，隨后將氮化硅膜轉化為氧化硅膜。氮化硅膜可以通過供應低聚硅源和由功率激活的氮源來形成。通過在施加真空UV輻射的同時供應氧源，可以將氮化硅膜轉化...