一種用于形成包含鉿、鋯和氧的膜的方法，該方法包括在電場(13)的作用下通過循環氣相沉積過程形成(100)膜。

用于在光刻步驟期間減少EUV劑量需求的方法和相關系統及結構。目前公開的方法可以包括形成包括摻雜半導體的劑量減少層。摻雜半導體可以包括元素半導體和化合物半導體中的至少一種。

公開了一種用于輸送氣相前體以在氣相沉積設備中沉積層的氣相前體輸送系統。前體輸送容器被構造和布置成存儲固體前體并在容器出口處輸送氣相前體。該系統設置有板，該板設置有孔以允許氣體在室和存儲固體前體的容器部分之間傳輸。

提供了一種在襯底表面上形成介電材料層的方法。該方法可以包括：在反應室內提供襯底；使前體在反應室內的襯底上流動；使反應物流到襯底上；以及通過包括高頻(HF)分量和低頻(LF)分量的雙射頻(RF)等離子體源產生等離子體。通過產生等離子體，前...

在一實施例中，本公開涉及一種用于向接收多個信號輸入的等離子體室提供改善的電場均勻性的系統。該系統包括將所接收的能量分配給一個或多個天線的一個或多個電介質。一個或多個電介質具有N個接收區域。N個圓形波導位于N個接收區域上。每個波導具有模式...

本公開涉及用于在襯底表面上形成自由基處理膜的方法和系統。更具體地，所公開的方法和系統利用自由基處理來處理已經沉積在襯底表面上的膜。自由基處理發生在自由基處理室中，沉積發生在沉積室中，其中這些室可操作地耦合，以允許襯底在它們之間轉移，而沒...

提供了一種使用PEALD方法的襯底處理方法，其中在襯底上形成非晶TiN膜。該襯底處理方法包括：向反應室提供襯底；向反應室供應第一氣體；向反應室供應第二氣體；以及向反應室施加功率，其中功率的頻率是可變頻率，其中第二氣體由功率激活。

蓋移動系統和方法有助于用于室的蓋的可靠和安全移動。這種系統可以包括：(a)基座構件；(b)從基座構件延伸的側壁，每個側壁包括限定在其中的凸輪表面；(c)遠離基座構件延伸的蓋安裝臂；(d)第一樞轉連接系統，其接合凸輪表面并樞轉地接合蓋安裝...

本公開的靜電卡盤裝置包括：平臺，在其上表面上具有圓形襯底附著區域(其中D<subgt;S</subgt;是該區域的直徑)，待處理的圓形襯底被靜電附著到該區域；以及嵌入在平臺中的ESC電極，其直徑D<subgt;E1&l...

提出了一種用于提供在晶片處理室中使用的氣體的氣體輸入結構。該結構包括：具有密封部分和保持環的流量控制環；以及配置成環繞流量控制環的外部主體，該外部主體具有至少一個氣體隧道，該至少一個氣體隧道包括氣體入口、氣體出口以及連接氣體入口和氣體出...

本公開涉及用于將層沉積到襯底上的方法和半導體處理設備。半導體處理設備包括處理室，處理室包括限定處理室的內部容積的殼體和在內部容積內用于保持襯底的多個處理站。半導體處理設備還包括多個活性物質發生器，其至少包括配置為向多個處理站中的至少一個...

本技術的各種實施例可以提供一種使用UV光激活化學物質的閥組件。該閥組件包括連接到副閥歧管的主閥歧管。透明連接器可以設置在主閥歧管和副閥歧管之間。UV光可以鄰近透明連接器設置。

本公開涉及在間隙中沉積包含硅的材料的方法。該方法包括提供襯底，該襯底包括間隙，其中間隙包括內表面，并且將襯底暴露于具有高離子能量的第一等離子體，以改性間隙內表面的預定區域。該方法還包括將襯底暴露于具有低離子能量的第二等離子體，以鈍化間隙...

襯底處理系統具有擴展的襯底處理能力。在一些示例中，這可以通過提供內側襯底搬運室(例如具有六個面或側壁)和外側襯底搬運室(例如具有五個面或側壁)來實現。內側襯底搬運室可以與額外的襯底處理室連接。內側襯底搬運室可通過額外的外側裝載鎖定模塊連...

一種晶舟系統，包括托架和配置為支撐托架中的晶片的多個保持器環。每個保持器環具有環形主體和從所述環形主體突出用于與晶片接觸的環突起。在環突起處，環形主體的局部表面積與環形主體的局部表面積的圓周平均值或中值相比較小，特別是為了至少部分地補償...

可用于確定前體容器中的前體量的方法和相關系統、前體容器、數據處理系統、計算機程序產品和計算機可讀介質。目前描述的方法的實施例可以包括通過處理器執行至少作為時間函數的壓力的分析序列，從而量化前體剩余量。

描述了用于解耦氣體注射系統中跨襯底厚度變化和跨襯底電阻變化的調整的方法和裝置。氣體注射系統中的控制器可以通過控制多個第一質量流量控制器(MFC)和多個第二MFC來在襯底上沉積材料層。控制器可以通過控制多個第一MFC來調整材料層的跨襯底厚...

本技術的各種實施例可以提供包括具有多個通孔的噴淋頭盤的噴淋頭組件。每個通孔具有錐形入口和錐形出口。噴淋頭盤可以包括在中心區域具有第一尺寸的通孔和在外部區域具有不同于第一尺寸的第二尺寸的通孔。

兩個室的界面表面部分之間的熱障和/或間隙減少室之間的熱傳遞。(例如閘閥的)界面表面包括(i)基底表面；(ii)向外延伸超過基底表面的凸起環表面，其中凸起環表面圍繞閘閥進入開口延伸；(iii)圍繞凸起環表面延伸的密封支撐表面；以及(iv)...

公開了一種通過ALD在一個或多個襯底上形成材料層的方法。目前描述的方法的實施例包括執行多個沉積循環，所述沉積循環包括至少兩個前體脈沖以及介入吹掃脈沖，以在一個或多個襯底上形成材料層。在每個沉積循環期間，至少兩個前體脈沖中的每個前體脈沖期...