一種用于在包括圖案結構的基板上進行薄膜沉積的基板支撐單元以及包括該基板支撐單元的薄膜沉積設備，所述板支撐單元包括加熱器；RF電極；連接到加熱器的第一桿；連接到RF電極的第二桿；以及RF屏蔽，其與第二桿間隔開，設置成圍繞第二桿，并沿第二桿...

本發明涉及一種存儲用于基底的盒的存儲設備，所述存儲設備包括：可移動底板，所述可移動底板構造和布置成保持盒；外壁，所述外壁設有開口以從底板接收并移除盒，以及移動裝置，所述移動裝置構造和布置成相對于所述開口移動底板。所述存儲設備設有在開口附...

本公開涉及一種用于在襯底的表面上和/或襯底的表面中提供化學反應的化學沉積、處理和/或滲透設備。所述設備可具有：一起形成可關閉反應室的頂部反應室部分和底部反應室部分；和致動器，所述致動器被構造和布置成用于將所述頂部反應室部分和所述底部反應...

提供了一種用于處理襯底的豎式爐的襯里和凸緣的組件。襯里構造成在豎式爐的處理管的內部中延伸，且凸緣構造成至少部分地封閉襯里開口。襯里包括基本上圓柱形壁，其由下端處的襯里開口和較高端處的頂部封閉件界定，并且對于襯里開口上方的氣體基本上封閉，...

一種相對于包含圖案結構的基板的薄膜沉積方法包括：通過經設置在基板下方的組件供應RF功率；在基板的暴露于反應空間的暴露表面上形成電位；使用所述電位，在反應空間中將活性物質移動到暴露表面；以及在基板的暴露表面上形成包含活性物質成分的薄膜。

成膜方法的實例包括將基板放在布置在腔室中的基座上，和將含氫氣體和氮氣引入所述腔室中，以及將射頻功率施加至所述基座上方的電極以產生等離子體和在所述基板上形成氮化物膜，其中所述含氫氣體的流速等于所述氮氣的流速的1％或更小。