本公開涉及一種用于處理晶圓的裝置，其具有處理保持在晶圓舟中的晶圓的處理室；裝卸晶圓匣的匣裝卸器室；以及，設置有晶圓裝卸器的晶圓裝卸器室，所述晶圓裝卸器將晶圓從晶圓匣轉移到晶圓舟。晶圓裝卸器構造和布置成在晶圓儲存器、晶圓舟和晶圓匣之間轉移...

本發明提供了一種用于化學品遞送系統(例如，包括在反應器系統中)的溫度控制系統，其可包括溫度控制殼，所述溫度控制殼聯接到化學品遞送系統的至少一個部件的至少一部分和/或包封所述化學品遞送系統的至少一個部件的至少一部分。化學品遞送系統可包括以...

本發明公開了一種用于將前體源容器加熱器維持在所需溫度的冷卻裝置和方法。所述裝置和方法可用于在前體源容器內維持所需溫度梯度，以在將前體遞送到反應室之前改善前體源的完整性。所述裝置和方法還可以用于快速冷卻源容器以用于維護。容器以用于維護。容...

本發明公開了一種用于容納液體化學前體的化學容器，所述化學容器包括液位傳感器管。液位傳感器管被構造成在液體化學前體被加熱到沸點或蒸發點的環境中操作。液位傳感器管包括具有內置的槽的殼體，以防止設置在所述液位傳感器管內的傳感器的任何錯誤讀數。...

一種用于配置為與晶片盒配合的潔凈室設備的盒蓋打開裝置。該盒蓋打開裝置包括：壁結構，其具有分隔壁，分隔壁具有用于通過其傳送晶片的壁開口；盒對接端口；以及設置到該壁結構的蓋操縱器。盒對接端口布置在壁結構的第一側，用于對接晶片盒。蓋操縱器可相...

一種用于處理晶片的立式批處理爐組件，其包括盒操縱空間、晶片操縱空間以及分隔盒操縱空間和晶片操縱空間的內壁。盒操縱空間設置有配置成存儲設置有多個晶片的多個晶片盒的盒存儲器。盒操縱空間還設置有配置成在盒儲存器和晶片傳送位置之間傳送晶片盒的盒...

一種用于處理晶片的立式批處理爐組件，其包括盒操縱空間、晶片操縱空間以及將盒操縱空間與晶片操縱空間分開的第一壁。該壁具有晶片傳送開口。晶片傳送開口與盒轉盤相關，該盒轉盤包括具有多個盒支撐表面的轉盤臺，每個盒支撐表面配置成用于支撐晶片盒。轉...

用于處理晶片的立式批處理爐組件，包括盒操縱空間、晶片操縱空間以及將盒操縱空間與晶片操縱空間分隔開的第一壁。第一壁具有至少一個晶片傳送開口，在所述至少一個晶片傳送開口的前方設置有用于晶片盒的晶片傳送位置。盒操縱空間包括盒存放器和盒操縱機構...

用于處理晶片的立式批處理爐組件，其包括盒操縱空間、晶片操縱空間以及分隔盒操縱空間和晶片操縱空間的內壁。盒操縱空間設置有盒存放器，其配置為存放多個晶片盒。盒操縱空間還設置有盒操縱器，其配置為在盒存放器和晶片傳送位置之間傳送晶片盒。所述晶片...

公開了形成結構的方法，其包括處理層以去除殘余蝕刻劑化合物如氟的步驟。可使用示例性的方法來在器件制造過程期間填充基板表面上的特征。的特征。的特征。

公開了一種用以產生犧牲掩蔽層的襯底加工方法和裝置。該層通過在反應腔室中提供選擇為與襯底上的輻射改性和未改性的層部分中之一反應而不與輻射改性和未改性的層部分中之另一反應的第一前體以選擇性地生長所述犧牲掩蔽層來產生。掩蔽層來產生。掩蔽層來產生。

公開了一種用于形成摻雜層的方法。該摻雜層可用在NMOS或硅鍺應用中。例如，可在n

一種具有改進的排氣結構的基板處理設備包括接地的導電延伸部，其配置成防止在連接到反應空間的排氣空間中產生寄生等離子體。基板處理設備防止在反應空間以外的區域比如反應空間中產生寄生等離子體。因此，可以防止功率損失并且可以實現穩定的等離子體處理...

一種具有改進的排氣結構的基板處理設備包括：在處理單元和基板支撐單元之間形成的反應空間；圍繞反應空間的排氣單元；在內部具有通道的排氣端口；在內部具有排氣管線的分隔壁，其中排氣端口的通道連接排氣單元和排氣管線。線。線。

公開了一種沉積含金屬的材料的方法。所述方法可包括循環沉積技術的使用，如循環化學氣相沉積和原子層沉積。含金屬的材料可包括金屬間化合物。還公開了一種包括所述含金屬的材料的結構和一種用于形成所述材料的系統。的結構和一種用于形成所述材料的系統。...

公開了一種沉積含金屬的材料的方法。所述方法可包括循環沉積技術的使用，如循環化學氣相沉積和原子層沉積。含金屬的材料可包括金屬間化合物。還公開了一種包括所述含金屬的材料的結構和一種用于形成所述材料的系統。的結構和一種用于形成所述材料的系統。...

一種在襯底的圖案化凹部上形成拓撲受控的層的方法，其包括：(i)通過脈沖等離子體輔助沉積在襯底的圖案化凹部上沉積具有填充能力的無Si含C膜以以自下而上的方式或無底方式填充凹部；和(ii)對凹部中填充的自下而上或無底的膜進行等離子體灰化以以...

公開了等離子體輔助方法和設備。所述方法和設備可用于將在遠程等離子體單元中形成的活化物種提供到反應室，以有助于在聯接到所述遠程等離子體單元的反應室內點燃等離子體。遠程等離子體單元的反應室內點燃等離子體。遠程等離子體單元的反應室內點燃等離子體。

本發明總體上涉及一種形成拓撲受控的無定形碳聚合物膜的方法，示例性實施例提供了一種在具有由頂表面、側壁和底部限定的凹部的襯底上使用可流動碳基膜進行頂部選擇性沉積的方法，其包括步驟：(i)在反應空間中在襯底的凹部中沉積可流動碳基膜直至凹部中...

公開了一種基板處理裝置，包括：室；第一絕緣板，其與室的外壁分開第一預設距離；以及第二絕緣板，其與第一絕緣板分開第二預設距離，其中，所述第一絕緣板位于室的外壁與第二絕緣板之間，通過在加熱到高溫的室周圍形成一個或多個氣體絕緣層來屏蔽熱量從室...