提供了一種調節膜應力的方法。在一實施例中，通過在第一步驟中順序且交替地供應第一反應物和第二反應物來在基板上形成第一膜，并且通過在第二步驟中向第一膜供應第三反應物來將第一膜轉化為第二膜。通過控制第一步驟和第二步驟的比率來調節第二膜的膜應力...

提供了一種噴射器，其構造成布置在立式爐的反應器內，以在反應器中噴射氣體。該噴射器被制成基本細長的，并且構造成具有內部氣體傳導通道，以將氣體從噴射器的第一端部輸送到噴射器的第二端部。噴射器的外側壁可以在噴射器長度的至少10％優選30％且最...

公開了用于在襯底的表面上沉積氮化鉻層的方法和系統以及使用該方法形成的結構和器件。示例性方法包括使用沉積過程，在襯底的表面上沉積氮化鉻層。沉積過程可包括將鉻前體提供至反應室并且分開地將氮反應物提供至反應室。沉積過程可以是熱循環沉積過程。沉...

公開了用于形成含氮碳膜的方法和系統以及使用所述方法或系統形成的結構。示例性的方法包括提供具有碳封端碳

一種能夠防止功率耗散且實現高過程再現性的襯底處理設備包括分隔件和在分隔件下方的處理單元，其中處理單元包括導電本體和與導電本體一體地形成的至少一個導電突起。電本體一體地形成的至少一個導電突起。電本體一體地形成的至少一個導電突起。

公開了用于選擇性地蝕刻特定層的設備和方法。該設備和方法旨在保持特定層的蝕刻速率，同時保持未蝕刻層完整。氣體混合物可以例如以具有氧化物層和氧氮化物層作為蝕刻層以及氮化物層作為非蝕刻層的單獨循環流到基板上。在上述示例中，所得氣體混合物與特定...

本公開涉及用于沖洗噴淋頭組件的沖洗固定裝置的實施例。沖洗固定裝置包括兩個不同的腔：內腔和環繞內腔并且不流體地連接到內腔的外腔。當沖洗固定裝置安裝到噴淋頭時，內部孔口與內腔流體連接，并且一個或多個排放孔與外腔流體連接。分開地接近內部孔口和...

提供一種即使在基底層具有高的深寬比的三維構造的情況下也能夠使摻雜劑在該基底層內均勻地分布的阻擋層形成方法。在阻擋層形成方法中，在具有三維構造的基底層上形成含摻雜劑層之前，在所述基底層上形成阻擋層。此時，使用原子層沉積(ALD)工藝，在所...

本發明提供一種用于填充間隙而無縫隙或空隙的襯底處理方法，所述方法包含：在反應室中提供具有間隙的襯底，對所述反應室進行抽氣到5托或以下的壓力，以及通過交替且依次供應前體、反應物和包含相對高射頻分量和相對低射頻分量的射頻電磁輻射來用膜填充所...

提供了相對于金屬表面在電介質表面上選擇性沉積氧化硅膜的方法?？上鄬τ陔娊橘|表面選擇性地鈍化襯底的金屬表面，例如用聚酰亞胺層或硫醇SAM。通過使電介質表面與金屬催化劑和包含硅烷醇的硅前體接觸，而相對于鈍化的金屬表面在電介質表面上選擇性沉積...

在一些實施例中，提供了使用相同反應化學物質同時且選擇性地將第一材料沉積在襯底的第一表面上和將第二不同材料沉積在同一襯底的第二不同表面上的方法。例如，第一材料可選擇性地沉積在金屬表面上，而第二材料同時且選擇性地沉積在相鄰的介電表面上。所述...

提供了用于相對于介電表面在金屬或金屬性表面上選擇性沉積氧化硅膜的方法。可相對于金屬或金屬性表面選擇性地鈍化襯底的介電表面，如通過將襯底暴露于甲硅烷基化劑。然后，通過使金屬表面與金屬催化劑和包含硅烷醇的硅前體接觸來相對于經鈍化的氧化物表面...

本發明公開了上鎖掛牌組件、系統和方法。示例性的上鎖掛牌組件包括基部、可相對于基部移動的臂和與臂成一定角度延伸的構件。所述構件可與處于斷開位置的斷路器接合以將斷路器保持在斷開位置。保持在斷開位置。保持在斷開位置。

專用于零件清潔的系統的示例包括：氣體供應設備，其被構造為供應清潔氣體；第一適配器，其連接到該氣體供應設備的氣體供應端口；排氣系統，其被構造為排放從氣體供應設備供應的氣體；和第二適配器，其被連接到排氣系統的氣體入口。入口。入口。

本公開涉及一種可調接頭，用于插入用于襯底加工的襯底操作器的聯動裝置中?？烧{接頭允許調節附接連桿的俯仰和翻滾。這樣的調節可以允許將末端執行器的拾取表面對準期望平面。在調節之后，可以固定接頭以保持附接連桿的期望取向?？烧{接頭允許校正由于例如...

提供了一種用于在具有側面和側向面的臺階中制造具有目標拓撲輪廓的層結構的方法，其包括工藝：(a)在第一沉積條件下在基板的預選定區域上沉積介電層，其中所述介電層具有其在第一干法蝕刻條件下對氟和/或氯自由基的耐受性被調節的部分；和(b)在第一...

一種能夠消除反應器之間的信號干擾的基板處理設備包括：第一反應器；與第一反應器相鄰的第二反應器；以及功率產生器，其配置成向第一反應器供應第一功率并且向第二反應器供應第二功率。功率產生器還配置為使第一功率和第二功率的相位同步。第二功率的相位...

一種用于反應器系統的對準夾具可包括：夾具主體，所述夾具主體包括至少部分地限定包括所述夾具主體的內空間的形狀的內周邊，其中所述內空間構造成接收反應器系統的基座；和/或測量突起，所述測量突起在第一位置處聯接到所述夾具主體并且從所述夾具主體朝...

公開了一種用于將釩和/或銦層沉積至襯底的表面上的方法和系統，以及使用所述方法形成的結構和裝置。示范性方法包括使用循環沉積工藝，將釩和/或銦層沉積至所述襯底的表面上。所述循環沉積工藝可包括將釩和/或銦前體提供至反應室中，并且單獨地將反應物...

公開了用于在襯底表面上形成包括介電材料層的結構的方法和系統，以及使用所述方法或系統形成的結構和裝置。示范性方法包括在反應器系統的反應室內提供襯底，向所述反應室提供一種或多種前體，以及提供脈沖等離子體功率以聚合所述反應室內的所述一種或多種...