公開了用于在包含第一介電表面和第二金屬表面的襯底上選擇性地形成目標(biāo)膜的方法。所述方法可包括：使所述襯底與由含氫氣體產(chǎn)生的等離子體接觸；由氣相反應(yīng)物在所述第一介電表面上選擇性地形成鈍化膜，同時使所述第二金屬表面不含所述鈍化膜，并且由氣相反...

一種基板處理設(shè)備，其能夠防止在引入不對稱排放結(jié)構(gòu)時可能發(fā)生的排放流偏轉(zhuǎn)，包括：排放單元，其提供圍繞反應(yīng)空間的排放空間；以及連接到排放單元的排放端口；和流動控制單元，其設(shè)置在排放空間中，其中，排放端口相對于反應(yīng)空間不對稱地設(shè)置，并且該流動...

一種基板處理設(shè)備的示例包括：室；屏蔽部件，其是設(shè)置在所述室中的基座或上蓋；以及斜面罩，其設(shè)置在所述室中并且具有傾斜表面，在該傾斜表面上，距所述屏蔽部件的豎直距離朝向屏蔽部件的中心側(cè)增加。屏蔽部件的中心側(cè)增加。屏蔽部件的中心側(cè)增加。

提供了一種冷卻裝置，該冷卻裝置能夠通過使用渦流管來控制反應(yīng)器特別是氣體供應(yīng)裝置例如噴頭的上部的溫度。冷卻裝置可供應(yīng)的冷卻氣體的溫度低于加熱到高溫的氣體供應(yīng)裝置的溫度，從而容易地控制氣體供應(yīng)裝置的溫度。并提供一種包括該冷卻裝置的氣體供應(yīng)裝...

一種基板處理，能夠最小化下部空間的填充氣體對基板處理的影響，包括：基板支撐單元；位于基板支撐單元上的處理單元；和排放單元，其連接到基板支撐單元和處理單元之間的反應(yīng)空間，其中反應(yīng)空間中的第一氣體和基板支撐單元下方的下部空間中的第二氣體在反...

一種能夠最小化下部空間中的填充氣體對基板處理的影響的基板處理設(shè)備包括：基板支撐單元；圍繞基板支撐單元的至少一個環(huán)；基板支撐單元上的處理單元；以及排氣單元，其連接到基板支撐單元和處理單元之間的反應(yīng)空間，其中反應(yīng)空間中的第一氣體通過第一通道...

提供了一種用于填充間隙的方法，包括：在沉積室中提供具有間隙的半導(dǎo)體襯底，其中所述間隙的底部包括晶體半導(dǎo)體材料，并且其中所述間隙的側(cè)壁包括非晶材料；在間隙中沉積硅前體。體。體。

公開了用于選擇性蝕刻特定層的設(shè)備和方法。所述設(shè)備和方法涉及維持特定層的蝕刻速率，同時使非蝕刻層維持完整。蝕刻工藝可以通過使氫前體氣體和氟前體氣體共流動到遠程等離子體單元中來實現(xiàn)。例如，所得氣體混合物可以接著流動到具有氧化硅層作為蝕刻層以...

用于處理晶片的豎式分批爐組件，其包括具有匣存儲裝置的匣裝卸空間，以及匣裝卸機構(gòu)。所述匣裝卸機構(gòu)包括匣裝卸器，所述匣裝卸器被配置成通過在匣裝卸臂上支撐和移動晶片匣而在匣存儲位置與晶片傳送位置之間傳送所述晶片匣。所述匣裝卸臂具有檢測器以檢測...

公開了用于材料在襯底上的均勻受控生長的設(shè)備和過程，所述設(shè)備和過程將前體的多個脈動流引導(dǎo)到反應(yīng)器的反應(yīng)空間中以將薄膜沉積在襯底上。每個脈動流是第一脈動子流和第二脈動子流的組合，其中所述第二脈動子流的脈沖輪廓與所述第一脈動子流的脈沖輪廓的后...

一種用于在襯底上形成的階梯上形成氧化硅膜的方法，其包含：(a)通過預(yù)先選擇初始氮化硅膜的目標(biāo)部分，參照初始氮化硅膜的非目標(biāo)部分，選擇性地沉積或去除或重整產(chǎn)生最終氧化硅膜來設(shè)計最終氧化硅膜的拓撲結(jié)構(gòu)；和(b)根據(jù)工藝(a)中設(shè)計的拓撲結(jié)構(gòu)...

一種基板處理裝置的示例包括：環(huán)形分配環(huán)；多個連接板，其連續(xù)到分配環(huán)并具有不均勻阻抗；噴淋板，其電連接到多個連接板；以及臺架，其設(shè)置在噴淋板下方以面對噴淋板。

公開了一種氣體注入系統(tǒng)、包括所述氣體注入系統(tǒng)的反應(yīng)器系統(tǒng)以及使用所述氣體注入系統(tǒng)和反應(yīng)器系統(tǒng)的方法。氣體注入系統(tǒng)可用于氣相反應(yīng)器系統(tǒng)中，以獨立地監(jiān)測和控制聯(lián)接到反應(yīng)室的氣體注入系統(tǒng)的多個通道中的氣體流速。

公開了一種包括氣體分配組件的反應(yīng)器系統(tǒng)和使用所述反應(yīng)器系統(tǒng)的方法。所述氣體分配組件包括氣體分配裝置、氣體膨脹區(qū)域和處于所述氣體分配裝置和所述膨脹區(qū)域下游的噴頭板。

本發(fā)明提供通過循環(huán)等離子體增強沉積工藝形成拓撲選擇性氧化硅膜的方法。所述方法可包括：通過等離子體增強原子層沉積(PEALD)工藝或循環(huán)等離子體增強化學(xué)氣相沉積(循環(huán)PECVD)工藝形成拓撲選擇性氧化硅膜。所述方法還可包括：選擇性地在非平...

一種基底處理方法，其能夠?qū)崿F(xiàn)形成在階梯結(jié)構(gòu)上的薄膜的整個厚度范圍中的均勻的蝕刻選擇性，該方法包括：通過執(zhí)行多個循環(huán)而在基底上形成薄膜，該循環(huán)包括形成至少一層以及在第一處理條件下將等離子體施加到該至少一層；以及在不同于第一處理條件的第二處...

公開了用于在襯底上沉積第5族硫族化物的方法。所述方法包括循環(huán)沉積技術(shù)，如原子層沉積。所述第5族硫族化物可以是具有期望電特性的二維膜。的二維膜。的二維膜。

一種基板處理設(shè)備，能夠通過均勻排氣來處理薄膜以提高質(zhì)量，包括：基板支撐單元；基板支撐單元上的處理單元；排氣單元，其連接到基板支撐單元與處理單元之間的反應(yīng)空間；排氣端口，其連接到排氣單元的至少一部分；以及流動控制單元，其設(shè)置在從排氣單元內(nèi)...

公開了用于將氮化鉬膜沉積在襯底表面上的方法。所述方法可以包括：將襯底提供到反應(yīng)室中；以及通過執(zhí)行循環(huán)沉積工藝的一個或多個單元沉積循環(huán)將氮化鉬膜直接沉積在襯底表面上，其中單元沉積循環(huán)可以包括使襯底與包含鹵化鉬前體的第一氣相反應(yīng)物接觸，并且...

公開了用于在襯底表面上形成多晶鉬膜的方法。所述方法可以包括：將襯底提供到反應(yīng)室中；將成核膜直接沉積在襯底的暴露表面上，其中成核膜包含金屬氧化物成核膜或金屬氮化物成核膜中的一種；以及將多晶鉬膜直接沉積在成核膜上；其中多晶鉬膜包含多個具有小...