一種布置在室中的基板支撐組件包括：支撐板，包括基板安置在其上的第一表面；驅動器，配置成使支撐板傾斜，使得第一表面相對于基準表面傾斜下傾斜角度；以及控制器，配置成控制驅動器，使得基于由聯接到室的上表面的氣體供應器相對于基準表面的傾斜形成的...

一種等離子體裝置的示例包括：同軸波導，其具有內導體和包圍該內導體的外導體，其中在外導體和內導體之間設置有第一間隙，所述同軸波導具有在多個分支部處分支的形狀；多個桿，其具有導體和包圍該導體的電介質，其中在電介質和導體之間設置有第二間隙，所...

公開了一種滲透設備。所述滲透設備可以包括：反應室，其被構造和布置成容納其上具備可滲透材料的至少一個襯底；第一前體源，其被構造和布置成提供包含硅化合物的第一前體的蒸氣；前體分布系統和去除系統，其被構造和布置成向所述反應室提供來自所述第一前...

本公開的示例性實施例提供了改進的反應器系統、組件和用于控制反應器系統內的溫度(例如氣體供應單元的溫度)的方法。示例性系統和方法采用排氣單元以使流體在氣體供應單元的一部分上移動，以更好地控制氣體供應單元的溫度。

一種基板處理設備的示例包括：腔室；基座，其設置在腔室內并在其中具有電極；金屬板，其面向基座；多個阻抗調節器，其具有不同阻抗；以及選擇裝置，其配置為將多個阻抗調節器之一連接到電極。

公開了用于重整包含氮化硅的膜的方法和系統。示例性的方法包括：在反應腔室內提供基板，通過用微波輻射照射重整氣體來形成經活化物種，和將基板暴露于經活化物種。在形成經活化物種的步驟期間反應腔室內的壓力可低于50Pa。

公開了一種原位清潔外延反應腔室的方法。該方法可包括預涂布步驟、高溫烘烤步驟和氣體蝕刻步驟。該方法能夠去除可能由石英制成的在反應腔室內積聚的殘留物。

本發明公開了用于進行氣相反應器系統的泄漏檢查的方法和系統。示例性系統包括：第一排氣系統，所述第一排氣系統經由第一排氣管線聯接到反應腔室；旁路管線，所述旁路管線聯接到氣體供應單元且聯接到第一排氣系統；氣體檢測器，所述氣體檢測器經由連接管線...

本發明公開了用于進行氣相反應器系統的泄漏檢查的方法和系統。示例性系統包括：第一排氣系統，所述第一排氣系統經由第一排氣管線聯接到反應腔室；旁路管線，所述旁路管線聯接到氣體供應單元且聯接到第一排氣系統；氣體檢測器，所述氣體檢測器經由連接管線...

一種設備操作方法的示例包括：向反應器室的內部提供氣體，以對反應器室的內部中的基板執行處理；以及在將基板裝載到反應器室/從反應器室卸載基板期間，不經由反應器室而將等離子體提供給與反應器室連通的排出管線或與排出管線連通的干式泵，以執行排出管...

公開了在基板的表面上沉積材料的方法。所述方法包括在反應室內將基板的表面暴露于前體以在表面上形成被吸附的物種并在向反應室引入反應物之前去除至少一部分被吸附的物種。

一種用于重整非晶碳膜的方法，作為其沉積工藝的一部分，所述方法包括以下工藝：(i)在反應空間中將非晶碳膜沉積在襯底上，直到非晶碳膜的厚度達到預定厚度，然后停止沉積工藝；并且(ii)在基本上不含氫、氧和氮的氣氛中，將非晶碳膜暴露于Ar和/或...

公開了一種化學容器，所述化學容器包括布置在結合到化學容器的殼體中的細長沉孔中的汲取管和液位傳感器管。化學容器可以構造成允許進行推回程序，由此化學容器中的液體液位降低到汲取管在汲取管內部或汲取管底部處沒有液體的點。一旦汲取管沒有液體，則可...

公開了適合與在常溫常壓下為固相的前體一起使用的氣相反應器系統和方法。如本文中所描述的系統和方法可用于例如在襯底的表面上形成非晶、多晶或外延層(例如，一個或多個摻雜半導體層)。

提供了在襯底上沉積包含鉬的層的方法和裝置，做法是在反應室中向襯底供給包含二氯二氧化鉬(VI)的前體及包含硼和氫的第一反應物以反應和形成鉬層。包含硼和氫的第一反應物可為乙硼烷。

提供了一種選擇性地在具有第一和第二表面的基板上沉積材料的方法，其中所述第一表面不同于所述第二表面。在基板上沉積材料包括：向基板供給包含金屬原子、鹵素原子和至少一種不是金屬或鹵素原子的另外的原子的本體前體；和向基板供給反應物。本體前體和反...

一種具有提高的蝕刻選擇性的襯底加工方法包括：用于在階梯式結構上形成膜的第一操作，所述階梯式結構具有頂部表面、底部表面和連接所述頂部表面和所述底部表面的側表面，其中第一氣氛被設定成縮短等離子體離子的平均自由路徑并且使得所述等離子體離子不具...

本公開涉及一種打開含有襯底的匣盒的門的門開啟器，所述開啟器具有第一壁和第二壁，所述第一壁與所述匣盒接合并且具有第一開口以轉移所述匣盒的所述門和襯底，所述第二壁與所述第一壁相對并且具有第二開口以轉移襯底。所述門開啟器可具有封閉裝置，所述封...

一種基板處理設備的示例包括：基座；軸，其支撐基座；流動控制環，其圍繞基座同時相對于基座提供間隙；排氣管，其布置在流動控制環正上方；板，其設置在基座上方；室，其圍繞基座、流動控制環、排氣管和板；以及聯接部，其將軸聯接至室，其中，所述聯接部...

公開了一種通過循環沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法。所述方法可以包含：使所述襯底與包括金屬有機前體的第一氣相反應物接觸，所述金屬有機前體包括選自由以下組成的群組的金屬：鉑、鋁、鈦、鉍、鋅和其組合。所述方法還可以包含：使所述襯底與包括四氧...