公開了一種通過循環(huán)沉積工藝在襯底上形成含過渡金屬的膜的方法。所述方法可包括：使襯底與第一氣相反應物接觸，所述第一氣相反應物包含過渡金屬鹵化物化合物，所述過渡金屬鹵化物化合物包含二齒含氮加合物配體；以及使襯底與第二氣相反應物接觸。公開了一...

一種基板處理設備的示例包括：基板載體設備，其包括軸、固定在軸上并配置為隨著軸旋轉而旋轉的至少一個載體臂和固定在載體臂上的至少一個溫度計；基座；加熱器，其加熱基座；溫度調節(jié)器，其控制加熱器；以及控制單元，其通過使載體臂靠近基座獲取由溫度計...

通過在填充有揮發(fā)性前體的腔室中撞擊等離子體而在氣相中形成粘性材料來沉積具有襯底表面上的圖案化凹部的填充能力的膜，所述揮發(fā)性前體可在某些參數范圍內聚合，該參數范圍包括等離子體撞擊期間前體的分壓和襯底溫度。

本公開涉及一種襯底處理設備，所述襯底處理設備包括：第一反應器，所述第一反應器被構造和布置成處理其中具有多個襯底的機架；第二反應器，所述第二反應器被構造和布置成處理襯底；以及襯底轉移裝置，所述襯底轉移裝置被構造和布置成向第一反應器和第二反...

公開了一種用于形成3?D NAND器件的裝置和方法。形成3?D NAND器件的方法可包括形成插塞填充物和空隙。通過所述裝置和方法獲得的優(yōu)點可包括較低的成本、較高的生產量、器件很少污染至無污染、蝕刻步驟期間很少損壞至無損壞、及結構完整性，...

提供了一種通過以下方式填充一個或多個凹陷部的方法：在反應室中提供所述襯底；并以第一劑量將第一反應物引入所述襯底；以第二劑量將第二反應物引入所述襯底，其中所述第一劑量和所述第二劑量在所述第一反應物和所述第二反應物反應的重疊區(qū)域中重疊，并留...

公開了一種用于在基板的表面上沉積材料的方法和裝置。該方法可包括處理步驟以抑制基板的表面上材料沉積的速率。該方法可產生更高質量的沉積材料。另外或替代地，該方法可用于填充基板表面內的凹部，其中接縫形成減少或無接縫形成。

提供一種用于填充一個或多個凹部的方法，其通過在反應室中提供襯底；在第一脈沖時間內，將第一反應物引入襯底以形成第一活性物質；在第二脈沖時間內，將第二反應物引入襯底；以及在第三脈沖時間內，將第三反應物引入襯底以形成第二活性物質。還公開一種用...

公開一種用于在襯底上沉積鉿鑭氧化物膜的方法，其通過反應室中的循環(huán)沉積進行。所述方法可包括：利用循環(huán)沉積工藝的第一子循環(huán)在所述襯底上沉積氧化鉿膜，和利用循環(huán)沉積工藝的第二子循環(huán)沉積氧化鑭膜。

一種用于在襯底的上表面中形成的溝槽中形成含有Si?O鍵的介電膜的方法，其包括：通過相對于初始介電膜的非目標部分預先選擇待選擇性去除的目標部分來設計形成在溝槽中的含有Si?O鍵的最終介電膜的拓撲，從而產生最終介電膜；在上表面上和溝槽中保形...

提供了一種排氣效率提高的排氣裝置。排氣裝置包括：多個排氣端口，其與排氣空間連通并且構造成沿第一方向排出氣體；多個排氣路徑，其分別連接到多個排氣端口；以及多個傳送端口，其與多個排氣路徑連通并且構造成沿第二方向排出氣體。通過使用這種排氣裝置...

本發(fā)明公開了一種形成裝置結構的方法、該方法形成的結構以及執(zhí)行該方法的系統(tǒng)。所述方法包含以下步驟：在反應室內提供包含表面的襯底，所述表面包含第一部分和第二部分，所述第一部分包含氮化鋁和氮化鎵中的一種或多種，所述第二部分包含另一種材料；和使...

公開了一種形成包含在氮化鈦層上面的氮化硅的結構的方法。所述方法包括在同一反應室中——例如，在無真空破除器的情況下——形成氮化鈦層和氮化硅層以減輕否則可能發(fā)生的氮化鈦層的氧化。

一種通過控制基板支撐裝置的位置來清潔基板支撐裝置周圍的盲點的方法，該方法包括相對于環(huán)移動基板支撐裝置并將清潔氣體供應到基板支撐裝置的上空間。

本公開涉及襯底處理設備，所述襯底處理設備具有第一反應器和第二反應器，每個反應器配置有升降機以將具有襯底的舟皿轉移到所述反應器。所述設備具有舟皿轉移裝置以在襯底裝載站、第一升降機和/或第二升降機與冷卻站之間轉移所述具有襯底的舟皿。所述襯底...

提供了通過循環(huán)沉積工藝在反應室中的襯底上形成金屬硅酸鹽膜的方法。所述方法可以包括：在引入所述反應室之前，將過氧化氫前體的溫度調節(jié)至低于70℃的溫度；以及通過執(zhí)行循環(huán)沉積工藝的至少一個單位沉積循環(huán)，將所述金屬硅酸鹽膜沉積在所述襯底上。還提...

一種能夠在處理期間防止基板變形的基板處理裝置包括基板支撐單元，其具有與待處理基板的邊緣接觸的接觸表面，其中，基板支撐單元包括突出的(例如壓紋的)結構，其從基部突出以支撐從待處理基板的邊緣的內部的變形。

本發(fā)明公開了基板處理裝置及基板處理方法。能夠通過控制基板支撐裝置的位置來改善基板上的薄膜均勻度的基板處理方法包括：使基板支撐裝置沿第一方向移動第一預定距離的第一操作；使基板支撐裝置沿第二方向移動第二預定距離的第二操作；使基板支撐裝置沿第...

本發(fā)明公開了基板處理裝置及基板處理方法。能夠通過控制基板支撐裝置的位置來改善基板上的薄膜均勻度的基板處理裝置包括多個反應器，其中每個反應器包括：基板支撐裝置；圍繞該基板支撐裝置的環(huán)；以及用于移動該基板支撐裝置的對準裝置，其中，所述環(huán)安裝...

一種基板處理裝置的示例，包括腔室、歧管、第一氣源和第二氣源，所述歧管包括設置在腔室上方的管狀部分、設置在管狀部分的側表面上的第一引入管、設置在管狀部分的側表面上的第二引入管以及氣體引導部分，氣體引導部分構造為首先將從第一引入管和第二引入...