一種反應器系統的污染物捕集系統可以包括擋板堆，所述擋板堆包括至少一個擋板，所述至少一個擋板包括橫跨穿過擋板的擋板主體的孔，和實心體部分；以及至少一個互補擋板，所述至少一個互補擋板包括橫跨穿過互補擋板的互補擋板主體的互補孔，和互補實心體部...

一種基板處理設備的示例包括：配置為包含平臺的腔室；配置為在所述腔室內接收光的光接收裝置；以及基板輸送設備，其包括軸和配置為隨該軸的旋轉而旋轉的旋轉臂，并且配置為向所述光接收裝置提供具有不同光量的多個光束。

公開了一種氣體分配組件和調節通過氣體供應單元進入反應室的氣體流量的方法。所述氣體分配組件和所述方法可用于均勻地增加或減少通過氣體供應單元的氣體流量。所述氣體分配組件和所述方法還可用于增加進入所述反應室的一個區域的氣體流量，同時減少進入另...

反應器系統可包括多個反應室；多個轉移室；和/或聯接到多個反應室中的每個反應室的至少兩個閘閥。所述至少兩個閘閥中的第一閘閥可以將所述多個反應室中的第一相應反應室流體聯接到所述多個轉移室中的第一轉移室，并且所述至少兩個閘閥中的第二閘閥可以將...

本文提供了用于制造包括基板的結構的方法和系統。所述基板包括多個凹部和多個側向空間。所述凹部和側向空間被間隙填充流體至少部分地填充。

公開了用于形成包含碳材料的結構的方法和系統以及使用所述方法或系統形成的結構。示范性方法包括向反應室提供惰性氣體以用于等離子體點火，向反應室提供碳前體，在反應室內形成等離子體以在襯底的表面上形成初始粘性碳材料，其中所述初始粘性碳材料變成碳...

一種反應器系統，可以包括：第一氣體源；第二氣體源；以及反應室，該反應室流體聯接到第一氣體源和第二氣體源，其中第一氣體和第二氣體可以分別從第一氣體源和第二氣體源供應到反應室，以實現反應室壓力的穩定性。所述反應器系統還可以包括：排氣管線，該...

公開了用于在襯底上形成高縱橫比特征的方法和系統。例示性方法包含：在凹部內形成第一碳層；蝕刻所述第一碳層在所述凹部內的一部分；以及在所述凹部內形成第二碳層。還公開了使用所述方法或系統形成的結構。

一種基板處理設備的示例包括：輸出裝置，其配置為輸出等離子體有關信號，該等離子體有關信號是與用于基板處理的等離子體處理相關地獲得的信號；以及控制器，其配置為監視直接或間接從輸出裝置接收的等離子體有關信號的積分值。

本文提供了一種方法，包括：等離子體接觸步驟，該等離子體接觸步驟包括向腔室中供給包含反應物氣體的處理氣體，通過施加高頻功率從處理氣體中包含的反應物組分生成等離子體來活化所述反應物組分，使包含活化的反應物組分的處理氣體與基板的表面接觸，其中...

公開了用于在表面上沉積氮化硅之前預處理所述表面的方法和系統。示例性方法包含通過將所述表面暴露于由包括氮和氫的一種或多種氣體形成的活性物種來預處理所述表面。預處理的步驟可另外包含將所述表面暴露于包括硅的氣體的步驟。

一種注入器，被構造成放置在批處理爐組件的處理室，用于將氣體注入到所述處理室中。注入器具有包圍注入室的細長的管狀殼體。殼體具有：氣體入口，用于將氣體從氣體源供應到注入室；至少一個氣體供應口，用于將氣體從注入室供應到處理室；和周向壁，在殼體...

一種反應器系統可包括：反應室，其由室側壁封閉；以及基座，其在所述反應室中設置在包括于所述反應室中的反應空間與下室空間之間。所述基座可包括銷孔，所述銷孔被設置成穿過所述基座，使得所述銷孔與所述反應空間和所述下室空間流體連通，并且使得所述反...

本發明公開了氣體供應組件和包括氣體供應組件的反應器系統。一種示例性氣體供應組件包括：容器、閥板、包封容器和閥板的殼體、具有在殼體內部的第一端和在殼體外部的第二端的氣體饋通件、以及附接到閥板的一個或多個閥，其中至少一個閥流體地聯接到容器的...

一種反應器系統的過濾器系統可以包括：包括外壁的過濾器容器；設置在過濾器容器中的過濾器板；以及設置在過濾器板上的過濾器。過濾器板可以包括：第一板面和第二板面，其中板體跨越第一板面與第二板面之間；第一板孔，所述第一板孔穿過跨越第一板面與第二...

公開了一種用于填充基板表面上的間隙特征的方法。所述方法可包括：提供包含非平坦表面的基板，所述非平坦表面包括一個或多個間隙特征；通過循環沉積工藝在所述一個或多個間隙特征的表面上方沉積金屬氧化物膜；使所述金屬氧化物與有機配體蒸氣接觸；和將所...

本發明公開了一種用于將氮化釩層沉積到襯底的表面上的方法和系統以及使用所述方法形成的結構和裝置。示范性方法包括使用循環沉積工藝，將氮化釩層沉積到所述襯底的表面上。所述循環沉積工藝可包括向反應室提供鹵化釩前體，并且單獨地向所述反應室提供氮反...

基板處理裝置的示例包括：腔室；設置在腔室內的上蓋；靜電卡盤，其包括電介質體的環形部分和嵌入該環形部分中的嵌入電極，該靜電卡盤設置在腔室內；以及等離子體單元，配置為在上蓋和靜電卡盤下方的區域中產生等離子體，其中，環形部分包括位于上蓋的緊下...

一種能夠選擇性地在其斜角區域中處理薄膜的襯底處理設備包括用于支撐待處理襯底的襯底支撐板，襯底支撐板包括：內部，其上表面的面積小于待處理襯底的面積；以及圍繞內部的外圍部分，其中外圍部分的上表面在內部的上表面下方。

一種能夠選擇性地處理斜角邊緣中的薄膜的襯底處理設備包括：襯底支撐板，其包括凹部和形成在凹部中的至少一個路徑；以及襯底支撐板上的氣體供應單元，其中凹部內的襯底支撐板的一部分與氣體供應單元之間的第一距離小于氣體供應單元與凹部外的襯底支撐板的...