一種能夠填充間隙結構而不在間隙中形成空隙或接縫同時最小化對間隙結構的損壞的襯底處理方法，包括：通過多次執行第一循環在結構上形成第一薄膜，第一循環包括將第一反應氣體供應到包括間隙的結構上并吹掃殘留物；通過改變第一薄膜的化學成分形成第二薄膜...

一種具有簡化排氣結構的襯底處理設備包括：襯底支撐單元，其配置為支撐襯底；襯底支撐單元上的第一蓋，該第一蓋包括至少一個處理單元；第一蓋下方的第二蓋，第二蓋包括分隔壁；以及布置在第一蓋和第二蓋下方的支撐件，該支撐件包括開口和開口上的座部，其...

一種能夠防止下電極的電阻由于熱變形而增加的襯底處理設備，包括：電極；以及接觸電極的桿，其中桿包括具有第一熱膨脹系數的第一部分；以及具有小于第一熱膨脹系數的第二熱膨脹系數的第二部分。系數的第二部分。系數的第二部分。

提供了一種薄膜沉積過程，其允許高精度控制沉積在襯底上的薄膜的面內分布。該過程是一種通過原子層沉積(ALD)在室中的襯底上沉積薄膜的過程，其包括重復沉積循環以在襯底上沉積薄膜。沉積循環包括以下步驟：將反應氣體和載氣供給到室，并將濃度降低的...

公開了用于在襯底表面上形成過渡金屬層的方法和系統以及使用該方法形成的結構和器件。示例性方法包括在形成過渡金屬層之前形成過渡層。過渡層可用于促進過渡金屬層在高縱橫比特征上的后續沉積，同時減輕這些特征在過渡金屬層的沉積期間的彎曲。金屬層的沉...

公開了用于在襯底表面上形成鉬層的方法和系統以及使用該方法形成的結構和器件。示例性方法包括在形成鉬層之前形成底層。底層可用于控制鉬層中的應力和/或降低形成鉬層的步驟的成核溫度和/或沉積溫度。的成核溫度和/或沉積溫度。的成核溫度和/或沉積溫度。

公開了形成包括用于光刻的應力管理層的結構的方法和包括應力管理層的結構。還公開了用于沉積應力管理層的系統。示例性方法包括使用等離子體增強循環(例如原子層)沉積和等離子體增強化學氣相沉積中的一種或多種來形成應力管理層。應力管理層。應力管理層。

一種防止損壞下部圖案化結構的基板處理方法包括：通過多次執行第一循環來形成具有一定厚度的第一薄膜，該第一循環包括將第一反應物供應到結構上并吹掃殘留物；以及通過改變具有一定厚度的第一薄膜的化學成分來形成第二薄膜。薄膜。薄膜。

一種能夠在不增加功率的情況下提高蝕刻選擇性的襯底處理方法，包括：在結構上形成第一薄膜；在第一薄膜上形成抗濕蝕刻性大于第一薄膜的抗濕蝕刻性的材料層；使用濕法蝕刻去除材料層的一部分以暴露第一薄膜的一部分；以及去除第一薄膜的暴露部分。去除第一...

真空處理模塊具有預成型的頂板和/或成型為向外凸起的底部。頂板和/或處理模塊的形狀抵消了在處理模塊中處理基板時由真空壓力和/或高溫引起的變形。處理模塊具有可通向傳送室的側面和與可打開側面相對的側面。凸起可以是不對稱的，凸起的頂峰在頂板上偏...

本公開的各方面涉及選擇性去除層的材料，比如含碳層。該層可以在兩種不同材料的圖案化結構上。處理該層以使去除劑被圖案化結構的第一區域催化活化，從而以比圖案化結構的具有不同于第一區域的成分的第二區域更大的速率去除第一區域上的有機材料的材料。除...

公開了一種用于形成具有硅的層的方法，該層可以通過以下來形成：將襯底定位在處理室內；將襯底加熱到300至500℃之間的第一溫度并且將第一前體引入處理室以沉積第一層。可以將襯底加熱到400至600℃之間的第二溫度；以及可以將第二前體引入處理...

提供了用于在襯底上形成包含鉬的薄膜的氣相沉積過程。在一些實施例中，該過程包括多個沉積循環，其中襯底分別與包含鹵化鉬的氣相鉬前體、包含CO的第一反應物和包含H2的第二反應物接觸。在一些實施例中，薄膜包括MoC、Mo2C或MoOC。在一些實...

一種基座可以包括：面，配置為在其上支撐襯底；以及多個溝道，延伸到面中并相對于面的中心徑向向外。多個溝道中的一個或多個可以包括細長部和沖出部。細長部可以沿著整個細長部具有小于閾值寬度的寬度。沖出部可以與細長部流體連通，并且可以包括具有第一...

提供了用于沉積諸如錸硫化物薄膜的過渡金屬二硫屬化物(TMDC)膜的氣相沉積方法。在一些實施例中，使用沉積循環沉積TMDC薄膜，其中反應空間中的襯底與氣相過渡金屬前驅體(諸如過渡金屬鹵化物)、包括還原劑的反應物(諸如NH3)和硫屬化物前驅...

半導體處理系統包括第一、第二和第三處理模塊組件。第三處理模塊組件在第一處理模塊組件和第二處理模塊組件之間，且包括用于提供要在各個處理模塊組件中處理的襯底的開口。處理模塊相對于開口橫向地布置。第一處理模塊組件和第二處理模塊組件各自包括相關...

本公開涉及一種用于處理多個基板的基板處理設備。該設備包括：反應器，其安裝在設備中并配置用于處理基板；以及反應器移動器，用于移動反應器以進行維護。反應器移動器被構造和布置成具有升降機，以將反應器移動到較低高度，從而允許維護工人接近反應器。...

一種噴淋板的示例包括：具有多個通孔的板狀導體的主體部分，該主體部分在下表面的至少一部分上設置有表面處理部分，該表面處理部分已經過表面處理，從而使得在下表面上存在具有不同發射率的兩個或更多個區域；以及圍繞主體部分的凸緣。部分的凸緣。部分的...

一種用于處理襯底的設備可以包括：反應室；襯底支撐件，其設置在反應室內并設置有支撐表面以支撐襯底；以及提供旋轉運動的馬達，其中馬達被控制和配置成在反應室和襯底支撐件之間圍繞垂直于支撐表面的軸線產生雙向旋轉運動。轉運動。轉運動。

襯底加工裝置，具有改善的排放效率和加工再現性，包括：多個反應器；多個排放端口，分別與多個反應器連通且關于反應器對稱地布置；以及多個排放通道，與多個排放端口連通，其中每個排放通道包括多個排放通道，包括在第一方向上延伸的第一通道和在與第一方...