用于制造包括襯底的結構的方法和系統。襯底包括多個凹部。凹部至少部分地填充有間隙填充流體。間隙填充流體包括Si

公開了用于在襯底上光刻定義圖案的方法和相關系統。示例性方法包括形成結構。該方法包括向反應室提供襯底。襯底包括半導體和表面層。表面層包括無定形碳。該方法還包括在表面層上形成阻擋層和在襯底上沉積含金屬層。含金屬層包括氧和金屬。屬層包括氧和金...

本公開涉及保持用于氣相沉積過程的前體的前體膠囊。前體膠囊包括蒸汽可滲透的外殼，外殼配置成限定前體空間，并允許蒸汽形式的前體在蒸發條件下離開前體膠囊。本公開還涉及包含根據本公開的膠囊的前體容器、氣相沉積設備和方法。和方法。和方法。

公開了一種用于氣相沉積過程的前體容器。該容器包括殼體，其具有入口、出口并限定內部容積。管設置在內部容積內并從入口延伸到出口。該管具有側壁，側壁限定穿過其中的流動路徑。側壁具有面向流動路徑的內表面，內表面中具有多個凹陷，凹陷具有深度和寬度...

本公開涉及一種用于在襯底上沉積含第13族金屬的材料的組合物。該組合物包含金屬烷基前體，其中金屬烷基前體包含第13族金屬原子和兩種不同的烷基配體類型。第一配體類型是通過與三個碳原子鍵合的碳原子而與第13族金屬原子鍵合的支鏈C4至C8烷基，...

一種基板支撐單元，在該基板支撐單元中，基板安置在上部上，該基板支撐單元包括：加熱器；射頻電極；連接到加熱器的第一桿；連接到射頻電極的第二桿；射頻屏蔽，該射頻屏蔽與第二桿間隔開，以在所述射頻屏蔽和所述第二桿之間具有空間，所述射頻屏蔽設置為...

本公開涉及在襯底上沉積過渡金屬的方法。本公開還涉及過渡金屬層、包括過渡金屬層的結構和器件。在該方法中，過渡金屬通過循環沉積過程沉積在襯底上，并且該方法包括在反應室中提供襯底，以氣相向反應室提供過渡金屬前體，以及以氣相向反應室提供反應物，...

一種等離子體處理裝置的示例包括：RF發生器；匹配盒，其包括與RF發生器連接的輸入端子、配置為感測高頻電的傳感器、阻抗調節電路和輸出端子；匹配控制器，其與傳感器連接并配置為控制阻抗調節電路；反應器室，其與輸出端子連接；以及諧波濾波電路，其...

本公開涉及一種用于處理晶片的晶片處理設備，該設備具有可旋轉工作臺，其設置有支撐件，該支撐件構造和布置成支撐用于保持多個晶片的可移除保持器。可以提供驅動組件，以向可旋轉工作臺提供圍繞垂直于工作臺的豎直軸線的旋轉運動；并且供應管線可以構造和...

提供了一種固定裝置。該固定裝置包括基部、轉臺、第一傳感器和第二傳感器。轉臺支撐在基部上，可繞旋轉軸線旋轉，并配置成可滑動地安置基座組件，以繞旋轉軸線旋轉。第一傳感器相對于基部固定，從旋轉軸線徑向偏移，并且配置為確定基座組件的離位跳動。第...

公開了用于在襯底表面上沉積含稀土金屬碳化物層的方法和系統以及使用該方法形成的結構和器件。示例性方法包括使用循環沉積過程，例如原子層沉積過程，用于將含稀土金屬碳化物層沉積到襯底表面上。化物層沉積到襯底表面上。化物層沉積到襯底表面上。

公開了用于形成包括硅碳材料的結構的方法和系統以及使用該方法或系統形成的結構。示例性方法包括向反應空間提供第一氣體，向反應空間提供硅碳前體，停止硅碳前體向反應空間的流動，在反應空間內形成第一等離子體，從而在襯底表面上沉積硅碳材料，以及可選...

本公開總體涉及半導體器件的制造。具體而言，本公開涉及在包括凹部的襯底上沉積層的方法。該方法包括：在反應室中提供包括凹部的襯底，在襯底上沉積抑制材料以用抑制材料填充凹部，從襯底上去除抑制材料以暴露沉積區域，以及通過氣相沉積過程在沉積區域上...

本公開涉及通過等離子體增強循環沉積過程在襯底上沉積氮化硅的氣相沉積組件。本公開還涉及通過等離子體增強循環沉積過程在襯底上沉積氮化硅的方法。該方法包括在反應室中提供襯底，將根據式SiH3X的氣相硅前體提供到反應室中，其中X是碘或溴，從反應...

本申請涉及一種高性能基座設備，并公開了一種配置為支撐襯底并從基座提升襯底的襯底支撐和提升組件。該襯底支撐和提升組件可以包括基座支撐件和提升銷。基座支撐件可以配置為在其上支撐基座。基座支撐件包括多個支撐臂，每個支撐臂從基座支撐件的中心部分...

公開了用于清潔噴淋頭組件的清潔固定裝置。清潔固定裝置包括：固定裝置主體，其結合有三個或更多個腔，每個腔通過隔板與相鄰腔分開，以及與每個腔相關的多個通道，用于將腔與固定裝置主體的上表面流體連接。固定裝置主體的上表面流體連接。固定裝置主體的...

本發明涉及一種注射器，其配置用于布置在襯底處理設備的反應室內，以將氣體注入反應室中。注射器可以沿著第一軸線伸長，并配置有沿著第一軸線延伸的內部氣體傳導通道，并設置有至少一個氣體入口和至少一個氣體出口。注射器可以具有沿著垂直于第一軸線的第...

公開了用于填充包括在襯底中的間隙特征的方法和相關系統。該方法包括將具有一個或多個間隙特征的襯底提供到反應室中的步驟。一個或多個間隙特征包括具有上表面的上部和具有下表面的下部。該方法還包括使襯底經受等離子體處理的步驟。因此，上表面受到抑制...

公開了用于填充包含在襯底中的間隙特征的方法和相關系統。該方法包括將包含一個或多個間隙特征的襯底提供到反應室中的步驟。一個或多個間隙特征包括具有上表面的上部和具有下表面的下部。該方法還包括使襯底經受第一等離子體處理和使襯底經受第二等離子體...

公開了用于在襯底表面上沉積閾值電壓偏移層的方法和系統以及使用該方法形成的結構和器件。一種示例性方法包括使用循環沉積過程，在襯底表面上沉積閾值電壓偏移層。在襯底表面上沉積閾值電壓偏移層。在襯底表面上沉積閾值電壓偏移層。