提供了一種操作反應器系統以提供晶片溫度梯度控制的方法。該方法包括操作中心溫度傳感器、中間溫度傳感器和邊緣溫度傳感器，以感測反應器系統的反應室中的基座上的晶片的中心區的溫度，感測晶片的中間區的溫度，以及感測晶片的邊緣區的溫度。用控制器處理...

一種能夠抑制空隙形成的襯底處理方法，包括：在圖案結構上供應硅前體，以形成具有第一開口的硅源層；以及在硅源層上供應等離子體，以揮發硅源層中包含的除硅之外的成分，從而擴大第一開口。大第一開口。大第一開口。

一種襯底處理設備包括一個或多個反應器，其物理地防止反應空間中的處理氣體滲透到除反應空間之外的空間中。此外，提供了一種能夠最小化在除反應空間之外的空間中的寄生等離子體發生的襯底處理設備。子體發生的襯底處理設備。子體發生的襯底處理設備。

公開了用于沉積包含鈦、鋁和碳的層的方法和系統。這些層形成到襯底的表面上。沉積過程包括循環沉積過程。可以結合這些層的示例性結構包括場效應晶體管、VNAND單元、金屬

公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法還包括用間隙填充流體至少部分地填充間隙。該方法和系統例如在集成電路制造領域中是有用的。有用的。有用的。

公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法還包括用間隙填充流體至少部分地填充間隙。然后，該方法包括使間隙填充流體經受轉變處理，從而在間隙中形成轉變的材料。該方法和系統例如在集成電路制造領域中是有...

公開了用于沉積包含金屬和氮的層的方法和系統。這些層形成在襯底的表面上。沉積過程可以是循環沉積過程。可以結合這些層的示例性結構包括場效應晶體管、VNAND單元、金屬

公開了用于沉積包含釩和氧的層的方法和系統。這些層形成在襯底的表面上。沉積過程可以是循環沉積過程。可以結合這些層的示例性結構包括場效應晶體管、VNAND單元、金屬

公開了用于形成磷硅酸鹽玻璃層的方法。示例性方法包括形成覆蓋襯底的含硅層，并沉積覆蓋襯底的含磷層。沉積的含磷層可以包括P2O3和/或表現出小于或等于500℃的熔化溫度。沉積的含磷層可被加熱以流動并氧化以提供所需的特性。特性。特性。

一種襯底處理設備的示例包括室、設置在室中的基座、設置在基座上方的噴淋頭以及具有圍繞基座的形狀的流量控制環，該流量控制環具有第一頂表面和第二頂表面，第二頂表面具有環形形狀并且設置成在比第一頂表面更高的水平處比第一頂表面更靠近流量控制環的內...

一種能夠檢測氣體泄漏的襯底處理裝置，包括至少一個反應器；氣體供應單元，其配置為向反應器供應氣體；以及連接到氣體供應單元的檢測單元，其中檢測單元配置為檢測氣體供應單元中的氣體流動。中的氣體流動。中的氣體流動。

一種用于處理襯底的立式爐反應器組件，包括：限定配置用于在其中處理襯底的處理室的反應器外殼，該處理室具有用于沿著主裝載軸線將襯底移入和移出處理室的開口，該開口被環形凸緣單元堆疊包圍，環形凸緣單元包括外殼凸緣、氣體分隔環單元、襯里懸掛環單元...

本公開涉及半導體器件的制造。具體而言，本公開涉及通過循環沉積過程在襯底上形成含過渡金屬材料的方法。該方法包括在反應室中提供襯底，在反應室中提供包含過渡金屬化合物的過渡金屬前體，以及在反應室中提供第二前體，其中過渡金屬化合物包含結合到加合...

本公開涉及用于制造半導體器件的方法和設備。在本公開中，通過循環沉積過程將含過渡金屬材料選擇性地沉積在襯底上。沉積方法包括在反應室中提供襯底，其中襯底包括包含第一材料的第一表面和包含第二材料的第二表面。包含過渡金屬鹵化物的過渡金屬前體以氣...

一種晶片舟，其配置為放置在立式分批爐的基座上，該基座具有基本平坦的支撐表面。晶片舟包括限定晶片舟的基本平坦的底端表面的支撐環，以及與支撐環基本同心的對準環。基座的支撐表面或者對準環的底側設置有多個對準元件，這些對準元件分別從支撐表面向上...

公開了用于形成結構的方法和系統以及使用該方法或系統形成的結構。示例性方法包括在襯底的表面上沉積材料，并處理沉積的材料以形成處理的材料。這些方法可用于填充襯底表面上的凹部。的凹部。的凹部。

提供了一種能夠改善沉積在具有不對稱排氣結構的襯底上的薄膜的輪廓的對稱性的反應器，其中氣流控制環(FCR)和排氣端口所在一側的排氣單元之間的距離大于FCR和排氣端口相對側的排氣單元之間的距離。側的排氣單元之間的距離。側的排氣單元之間的距離。

描述了用于沉積材料的系統和相關方法。該系統允許在襯底上冷凝或沉積前體，然后固化冷凝或沉積的前體以形成層。凝或沉積的前體以形成層。凝或沉積的前體以形成層。

本公開涉及一種用于在襯底的表面上和/或襯底的表面中提供化學反應的化學沉積、處理和/或滲透設備。所述設備可具有：一起形成可關閉反應室的頂部反應室部分和底部反應室部分；和致動器，所述致動器被構造和布置成用于將所述頂部反應室部分和所述底部反應...

公開了靜電卡盤和形成靜電卡盤的方法。示例性靜電卡盤包括陶瓷主體、嵌入陶瓷主體內的器件以及形成在器件上的界面層。示例性方法包括在模具內提供陶瓷前體材料，提供器件，用界面材料涂覆器件以形成涂覆的器件，將涂覆的器件放置在陶瓷前體材料上或內，以...