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        ASMIP私人控股有限公司專利技術

        ASMIP私人控股有限公司共有866項專利

        • 公開了形成包括光致抗蝕劑吸收劑層的結構和包括位于極紫外(EUV)光致抗蝕劑下面的吸收劑層的結構的方法。示例性方法包括用具有大于2
        • 公開了用于減小簇射極板和排氣管之間的偏心距的氣體分配組件和方法。氣體分配組件包括定位裝置,該定位裝置配置成減少簇射極板和排氣管之間的不對準。氣體分配組件和方法可用于提高膜沉積厚度的均勻性。于提高膜沉積厚度的均勻性。于提高膜沉積厚度的均勻性。
        • 公開了一種基板處理設備。示例性基板處理設備包括反應室;基座,位于所述反應室內,且被構造和布置為支撐基板;噴淋板,被構造和布置成面對所述基座;以及RF發生器,通過RF板與所述噴淋板電耦合,其中所述基座電接地,其中所述RF板設置有多個阻抗調...
        • 接口模塊的例子包括具有風扇和過濾器的風機過濾器單元;圍繞與過濾器相鄰的空間的殼體,殼體包括門;圍繞與所述風扇相鄰的空間的上殼體;設置在上殼體中的第一端口;與FFU內部空間連通的第二端口,FFU內部空間是風機過濾器單元中的風扇和過濾器之間...
        • 本公開涉及用于在循環沉積過程中在襯底間隙內沉積材料的方法和系統。該方法和系統利用抑制劑來優先阻止隨后引入的第一前體在間隙中的一部分可用化學吸附位點的化學吸附,以促進第一前體更深地滲透到間隙中和/或第一前體在用于形成期望材料的間隙中更均勻...
        • 一種用在反應室中的擋板可以包括擋板第一端、擋板第二端和由擋板壁系統和反應室底板封閉的擋板空間,其中擋板第一端可以包括穿過其設置的擋板孔,其配置為允許流體從反應室容積通過擋板孔流入擋板空間,并通過反應室底板中的真空孔朝向真空源離開擋板空間...
        • 本公開涉及通過循環沉積過程在襯底上沉積含過渡金屬的材料的方法和設備。該方法包括在反應室中提供襯底,將過渡金屬前體以氣相提供到反應室中;以及將第二前體以氣相提供到反應室中,以在襯底上形成含過渡金屬的材料。根據本公開的過渡金屬前體包括包含有...
        • 一種反應室可以包括封閉在反應室內的反應室容積;基座,配置成支撐設置在反應室容積中的襯底;在反應室容積內,基座上方的反應空間和基座下方的下室空間;和/或使反應空間和下室空間至少部分流體分離的密封系統。密封系統可以包括圍繞并耦合到基座的隔板...
        • 一種具有卡住提升銷檢測的反應器系統。該系統包括反應室、用于在反應室的內部空間中支撐晶片的基座以及用于在內部空間中升高和降低基座的升降機。此外,該系統包括提升銷,該提升銷由基座支撐并豎直延伸穿過基座,以隨著升降機移動基座而在上位置和下位置...
        • 一種形成高質量a
        • 提供了選擇性沉積的方法。材料相對于不同材料成分的第二表面選擇性地沉積在基板的第一表面上。相對于第二表面,在第一表面上由氣相反應物選擇性地形成抑制劑,例如聚酰亞胺層。相對于第一表面,感興趣的層從氣相反應物選擇性地沉積在第二表面上。第一表面...
        • 公開了一種利用載氣和半導體處理系統來監測來自固體或液體源的前體劑量的半導體處理方法。壓力或質量流量控制器用于監測進入容器的載氣流量,質量流量計用于測量流出容器的總流量。基于這兩種流量之間的差異,獲得前體流量,并且計算到處理室的固體或液體...
        • 本發明涉及原位生成鹵化氫的方法,該鹵化氫用于從襯底表面層上的其他材料選擇性蝕刻材料的蝕刻過程,本發明還涉及利用原位生成的鹵化氫進行蝕刻的方法,以及實施所公開過程的系統。系統。系統。
        • 襯底傳送系統的示例包括其中多個通孔形成在側表面上的室、設置在室中的襯底傳送裝置以及設置在室中的燈加熱器。燈加熱器配置為加熱室的內壁和襯底傳送裝置。熱室的內壁和襯底傳送裝置。熱室的內壁和襯底傳送裝置。
        • 一種無空隙或接縫地填充凹陷的襯底處理方法,包括:在包括溝槽的襯底上用第一材料至少部分地填充溝槽;以及供應包含在第一材料中的至少一種構成元素,并施加等離子體以誘導第一材料的流化。一材料的流化。一材料的流化。
        • 公開了用于形成包括碳化硅層的結構的方法和系統以及使用該方法和系統形成的結構。示例性方法包括向反應室提供碳化硅前體,在反應室內形成等離子體以在襯底表面上形成初始可流動的粘性碳化硅材料,其中初始粘性碳材料變成碳化硅層。示例性方法可以包括使用...
        • 公開了用于沉積包含過渡金屬和第13族元素的層的方法和系統。這些層形成在襯底的表面上。沉積過程可以是循環沉積過程。可以結合這些層的示例性結構包括場效應晶體管、VNAND單元、金屬
        • 一種襯底支撐結構,包括由陶瓷復合材料形成的襯底支撐結構主體,該主體具有第一表面、與第一表面間隔開的第二表面以及跨越襯底支撐結構主體的第一表面和第二表面的外圍。襯底支撐結構主體的第一表面、第二表面和外圍由陶瓷復合材料限定。該陶瓷復合材料包...
        • 公開了一種襯底處理設備。示例性襯底處理設備包括:反應室;位于反應室內的基座板,其構造和布置成支撐襯底,并設置有一個或多個孔;襯底升降機構,包括:支撐襯底的多個升降銷;以及升降銷支撐構件,用于通過一個或多個孔在豎直方向上移動升降銷;襯底傳...
        • 提供了一種能夠在間隙結構中填充膜而不在間隙中形成空隙或縫隙的襯底處理方法,該襯底處理方法包括:第一步驟,通過多次執行包括在包括間隙的結構上供應第一反應氣體和供應第二反應氣體的第一循環來在該結構上形成薄膜;第二步驟,通過將含氟氣體供應到薄...
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