公開了用于在襯底上形成膜的方法和系統(tǒng)。示例性方法包括使用第一等離子體條件形成具有良好膜厚度均勻性的沉積材料層，使用第二等離子體條件處理沉積材料并由此形成處理過的材料，以及使用第三等離子體條件形成表面改性層，例如處理過的材料上的反應位點。...

公開了通過循環(huán)沉積過程相對于襯底的第二表面在襯底的第一表面上選擇性沉積介電材料的方法和氣相沉積組件。該方法包括將襯底提供到反應室中，執(zhí)行熱沉積子循環(huán)以在第一表面上選擇性沉積第一材料，執(zhí)行等離子體沉積子循環(huán)以在第一表面上選擇性沉積第二材料...

公開了用于蝕刻襯底周邊的方法和設備。示例性方法和設備可用于在同一反應室內(nèi)沉積材料和選擇性蝕刻襯底周邊的材料。料和選擇性蝕刻襯底周邊的材料。料和選擇性蝕刻襯底周邊的材料。

一種半導體襯底處理設備，包括處理室、晶片舟和多個晶片支撐件。晶片舟配置為容納多個晶片，并且可容納在處理室中，用于在每個晶片上沉積層。晶片舟包括至少兩個晶片舟支柱，其中每個晶片舟支柱包括多個狹槽。每個晶片支撐件包括配置為支撐晶片的至少周向...

本公開涉及用于通過循環(huán)沉積過程相對于襯底的第二表面在襯底的第一表面上選擇性沉積含硅和氧的材料的方法和設備，該方法包括在反應室中提供襯底；以氣相向反應室提供金屬或準金屬催化劑；將包含烷氧基硅烷化合物的硅前體以氣相提供到反應室中；以及以氣相...

提供了用于形成包括膜的半導體結(jié)構(gòu)的立式爐和方法。在優(yōu)選實施例中，該立式爐包括限定處理空間和開口的內(nèi)殼。該處理空間在豎直方向上延伸，并且開口用于接收多個晶片。該立式爐包括包圍內(nèi)殼的外殼。此外，它包括用于將處理氣體注入處理空間的氣體注射器。...

一種用于等離子體CVD設備中的斜面掩模，用于沉積更均勻的膜，同時防止晶片邊緣處的膜剝離。斜面掩模包括主體部分和邊緣部分。主體部分包括內(nèi)部傾斜表面或面，邊緣部分從內(nèi)部傾斜表面的底部向外延伸，以提供對基座上接收的晶片的上表面的外圍部分的覆蓋...

提供了用于在多個襯底上形成摻雜多晶硅層的方法和晶片處理爐。在優(yōu)選實施例中，該方法包括向處理室提供多個襯底。它還包括執(zhí)行沉積循環(huán)，該沉積循環(huán)包括向處理室提供含硅前體，從而在多個襯底上沉積未摻雜的硅層，直到達到預定厚度，以及向處理室提供摻雜...

一種蝕刻襯底斜面邊緣的方法。該方法包括在薄膜已經(jīng)沉積在襯底的頂表面上之后，提供具有斜面邊緣的襯底，并圍繞其中心軸線旋轉(zhuǎn)襯底。該方法還包括，在旋轉(zhuǎn)過程中，通過將大氣等離子體流引導到斜面邊緣上來蝕刻斜面邊緣。該大氣等離子體流平行于襯底的頂表...

提供了一種用于半導體設備中顆粒消除的方法。在優(yōu)選實施例中，該方法包括在半導體處理設備的處理室中處理襯底。該處理包括將襯底裝載在具有一個或多個內(nèi)表面的處理室中，向處理室提供反應氣體混合物，從而形成襯底膜和室壁膜，以及將襯底裝載在處理室外。...

一種襯底支撐件包括盤體，該盤體具有沿旋轉(zhuǎn)軸線布置的上表面和相對的下表面。上表面具有圍繞旋轉(zhuǎn)軸線延伸的圓形凹入部、圍繞凹部周向延伸的環(huán)形突出部以及圍繞突出部周向延伸的環(huán)形邊緣部，該環(huán)形邊緣部通過盤體的突出部連接到盤體的凹入部。突出部從旋轉(zhuǎn)...

一種用于防止半導體處理系統(tǒng)中溫度相互作用的方法和設備。本文描述了反應室配置，其中基座設置有一個或多個加熱器，加熱器配備有扇形分離溫度控制功能。在一些實施例中，加熱器連同主動冷卻機構(gòu)可配置成補償由例如包括熱源和散熱器的相鄰結(jié)構(gòu)引起的溫度不...

公開了在基板上沉積氮化硼膜的方法和系統(tǒng)。更具體地，本公開涉及可用于通過脈沖CVD工藝沉積氮化硼膜的方法和系統(tǒng)。藝沉積氮化硼膜的方法和系統(tǒng)。藝沉積氮化硼膜的方法和系統(tǒng)。

一種能夠在具有高縱橫比的間隙結(jié)構(gòu)的表面上形成具有改善的臺階覆蓋的膜的襯底處理方法，包括：提供具有第一臺階和第二臺階部分的間隙結(jié)構(gòu)；將包括源氣體的氣體供應到間隙結(jié)構(gòu)上；從源氣體產(chǎn)生活性物質(zhì)；通過中和活性物質(zhì)產(chǎn)生中性分子，并在朝向在第一臺階...

一種模塊化反應室，其配置為能夠安裝兩個或更多個基座，每個基座設計用于不同的溫度范圍(例如不同的最高溫度)。模塊化室設計成允許第一和第二基座以及它們相應的加熱器被替換或安裝以適應應用需要(例如低溫處理和高溫處理)。反應室包括主體，該主體例...

公開了形成圖案化特征的方法和包括圖案化特征的結(jié)構(gòu)。示例性方法包括在結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上選擇性地形成表面能改性表面和/或在襯底的表面上形成表面能可調(diào)層。表面能改性表面可以通過沉積材料和/或通過處理側(cè)壁表面和/或通過處理鄰近側(cè)壁表面的表面來形成。處...

本公開涉及通過循環(huán)沉積過程在襯底上沉積含元素金屬或半金屬的材料的方法，涉及含元素金屬或半金屬的層，涉及半導體結(jié)構(gòu)和器件，以及涉及用于在襯底上沉積含元素金屬或半金屬的材料的沉積組件。根據(jù)本公開的方法包括在反應室中提供襯底，以氣相向反應室提...

公開了一種用于從固體或液體前體源輸送大容量蒸發(fā)前體的半導體處理系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用載氣將蒸發(fā)前體供給到遠程定位處理區(qū)，在該處理區(qū)中設置有多個處理模塊。該系統(tǒng)包括第一和第二緩沖容積，其配置成減少壓降并增加輸送速率。還公開了一種用于將大容量蒸發(fā)...

用于冷卻化學柜的方法和設備包括冷卻管道，該冷卻管道被配置為冷卻耦合到熱電模塊(TEM)的散熱器。冷卻管道包括風扇，該風扇被配置成將空氣吸入進氣管道并吹到散熱器上。風扇吸入的空氣吸收散熱器的熱量。冷卻管道還包括連接到風扇并配置成排出熱空氣...

一種能夠在襯底處理溫度升高時最小化熱變形的頂蓋，包括用于支撐頂蓋的支撐件，該支撐件從頂蓋的一個表面整體突出。撐件從頂蓋的一個表面整體突出。撐件從頂蓋的一個表面整體突出。