用于選擇性形成磷摻雜外延材料的方法和系統。該方法可用于從底部向上在間隙內選擇性地形成磷摻雜外延材料。示例性方法可用于例如在場效應晶體管器件中形成源極和/或漏極區，例如在全環繞柵極場效應晶體管器件中。例如在全環繞柵極場效應晶體管器件中。例...

用于在襯底表面上選擇性地形成晶體摻硼硅鍺的方法和系統。該方法可用于從底部向上在間隙內選擇性地形成摻硼硅鍺。示例性方法可用于例如在場效應晶體管器件中形成源極和/或漏極區，例如在全柵場效應晶體管器件中。例如在全柵場效應晶體管器件中。例如在全...

一種靜電卡盤(ESC)基座加熱器，包括基座主體和基座主體上用于接收諸如高彎曲晶片的襯底的表面。電極嵌入在基座主體中，以選擇性地產生靜電力。ESC基座加熱器包括襯底接觸表面，其被提升到高于基座主體上的表面的高度，并且包括延伸的內部密封帶、...

本文的一些示例提供了一種形成摻雜硅鍺層的方法。該方法可以包括將襯底同時暴露于(a)硅前體、(b)鍺前體、(c)硼前體和(d)異質鎵前體。異質鎵前體可以包括(i)至少一個直鏈烷基，其中末端碳直接鍵合到鎵，和(ii)至少一個叔烷基，其中叔碳...

使用納米顆粒形成包括含硅外延層超晶格的結構的方法和系統。示例性方法可以包括原位形成納米顆粒并將納米顆粒沉積到襯底表面上，從而形成外延層。從而形成外延層。從而形成外延層。

公開了在襯底表面上形成碳氧化硅層的方法。示例性方法包括向反應室提供無氧反應物，并執行一個或多個沉積循環，其中每個沉積循環包括在硅前體脈沖周期內向反應室提供硅前體，并且在等離子體功率周期內提供等離子體功率，以形成碳氧化硅層。示例性硅前體包...

公開了一種襯底處理設備。示例性襯底處理設備包括設置有室壁的反應室；設置在反應室內以支撐襯底的基座；氣體供應單元，用于向襯底供應氣體；以及設置在反應室內的排氣管，包括：包括第一內端和第二內端的內環；其中第一內端配置為接觸室壁的底部；以及設...

公開了前體容器冷卻組件、包括該組件的反應器系統以及使用該組件和系統的方法。前體容器冷卻組件包括熱電冷卻裝置和流體冷卻板，以保持前體容器或前體容器冷卻組件的其他部分的期望溫度。的期望溫度。的期望溫度。

一種接口模塊的示例包括：包括風扇和過濾器的風扇過濾器單元；圍繞鄰近過濾器的空間的殼體；附接到殼體的排放系統；設置在殼體中的襯底支撐儀器；圍繞鄰近風扇的空間的上殼體；附接到上殼體的氣體供應系統；連接到殼體和上殼體的流通導管；以及設置在風扇...

根據本文的一些實施例，描述了用于薄膜的可流動沉積的方法和設備。一些實施例涉及用于間隙填充的循環處理器，其中沉積之后是熱退火和紫外線處理，并且重復進行。在一些實施例中，沉積、熱退火和紫外線處理在單獨的站中進行。在一些實施例中，第二站被加熱...

本公開涉及在襯底上沉積含金屬或半金屬材料的氣相方法。在該方法中，各種金屬或半金屬前體可以與可以產生氫自由基或氨基自由基的反應物一起使用，以與金屬或半金屬前體反應，從而在襯底上沉積含金屬或半金屬材料。本公開還涉及通過所公開的方法沉積的材料...

一種使用基于高溫計的控制來沉積外延材料層的方法。該方法包括清潔反應器系統的反應室，并且在清潔之后，在反應室內提供襯底。該方法包括相對于目標沉積溫度穩定襯底的溫度。在穩定過程中，加熱器組件用控制信號操作，以操作加熱器組件中的加熱器，該控制...

一種半導體處理系統和一種用于在半導體制造工廠的房間中組裝這種系統的方法。該系統包括設備模塊和基座。設備模塊可以在基座上移動，以將設備模塊帶到末端位置，并且可以具有多個止動表面。該方法包括將基座放置在房間中，將兩個止動件放置在基座上并相對...

一種制造襯底處理設備的冷卻裝置的方法，包括：提供具有通孔的鋁板；通過陽極氧化鋁板形成溫度控制部分；以及將溫度控制部分布置在襯底支撐部分下方，其中溫度控制部分布置成使得襯底支撐部分的支撐桿穿過通孔。得襯底支撐部分的支撐桿穿過通孔。得襯底支...

公開了一種處理襯底的方法，包括：將襯底提供到反應空間中，襯底包括具有預定橫截面積和深度的間隙，執行第一子循環步驟，用于通過原子層沉積方法沿著間隙的表面沉積預定厚度的間隙填充材料，執行第二子循環步驟，用于使用沉積抑制劑在間隙的上部區域中形...

一種半導體處理系統包括室裝置、連接到室裝置的排放裝置、支撐在排放裝置內的堆積傳感器以及處理器。處理器設置成與堆積傳感器通信，并響應記錄在非暫時性機器可讀介質上的指令，以接收來自堆積傳感器的堆積信號，該堆積信號指示設置在排放裝置內的堆積量...

用間隙填充流體至少部分地填充包含在襯底中的凹槽的方法和相關系統。間隙填充流體包括Si

公開了靜電卡盤組件、包括該組件的系統以及使用該靜電卡盤組件和系統的方法。示例性靜電卡盤組件包括檢測夾持事件比如夾持力不足和/或襯底翹曲的檢測器或電路。示例性系統和方法可以基于測量或確定的夾持事件來調節夾持力。持力。持力。

一種半導體處理系統，用于向反應器提供遠程產生的處理氣體的受激物質。半導體處理系統包括與等離子體源容器和氣體管線流體連通的遠程定位的等離子體發生器，以將在等離子體發生器中產生的受激物質輸送到反應器。氣體管線可以是包括外管和穿孔的內管的雙壁...

一種用于半導體處理的反應器系統，其利用需要保持在特定溫度控制帶或范圍內的液體源進行沉積。反應器系統包括溫度控制系統，其包括加熱和冷卻裝置，用于為儲存液體源的容器提供加熱和冷卻，以將液體源保持在期望的溫度控制帶或范圍內。以這種方式，加熱和...