一種能夠防止損壞反應(yīng)器和下膜的襯底處理方法，包括：供應(yīng)具有圖案結(jié)構(gòu)的襯底；在圖案結(jié)構(gòu)上形成層；通過在襯底上施加等離子體來產(chǎn)生活性物質(zhì)；以及通過在層上執(zhí)行各向同性蝕刻來選擇性地蝕刻由活性物質(zhì)產(chǎn)生的圖案結(jié)構(gòu)上的層，其中施加等離子體包括：增加...

用于具有處理室的熱反應(yīng)器的溫度控制系統(tǒng)和方法，該控制系統(tǒng)包括第一控制回路和第二控制回路，第一控制回路包括第一基于模型的預(yù)測控制器(MBPC),第二控制回路包括第二MBPC，其中第一和第二MBPC設(shè)置有表示熱反應(yīng)器行為的預(yù)測模型。

提出了用于處理半導(dǎo)體襯底的設(shè)備，特別是反應(yīng)室。一種具有氣體排出流動(dòng)控制能力的反應(yīng)室，包括上主體、襯底支撐部件、用于使用于處理襯底的氣體進(jìn)入的噴淋頭、包括導(dǎo)管的下主體，其中導(dǎo)管具有多個(gè)導(dǎo)管孔，以及配置為圍繞導(dǎo)管的流動(dòng)控制襯里，該流動(dòng)控制襯...

公開了一種襯底處理設(shè)備單元。示例性襯底處理設(shè)備包括：反應(yīng)室，其設(shè)置有反應(yīng)空間；基座，其設(shè)置在反應(yīng)室中并配置成支撐襯底，其中基座配置成可在處理位置和轉(zhuǎn)移位置之間豎直移動(dòng)；噴淋板，其設(shè)置在基座上方并配置為向反應(yīng)空間提供氣體；排氣單元，其配置...

本公開涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法和設(shè)備。在本公開中，通過循環(huán)沉積過程將包含貴金屬的材料選擇性地沉積在襯底上。沉積方法包括在反應(yīng)室中提供襯底，其中襯底包括包含第一材料的第一表面和包含第二材料的第二表面。包含貴金屬β

公開了用于在襯底上形成含硅層的方法和系統(tǒng)。該方法包括執(zhí)行多個(gè)沉積循環(huán)。沉積循環(huán)包括硅前體脈沖，該脈沖包括將襯底暴露于硅前體。硅前體包括硅以及13族元素和15族元素中的一種或多種。沉積循環(huán)還包括等離子體脈沖，該脈沖包括將襯底暴露于等離子體...

可以提供一種用于半導(dǎo)體處理的設(shè)備。該設(shè)備可以包括配置為處理晶片的反應(yīng)器室、在室中產(chǎn)生等離子體的等離子體發(fā)生器、設(shè)置有控制反應(yīng)器室中等離子體功率的功率控制器的等離子體控制板以及可操作地連接到等離子體控制板并配置為設(shè)置反應(yīng)室中等離子體的等離...

本技術(shù)的各種實(shí)施例可以提供由陶瓷材料形成的制品。該制品還可以包括覆蓋在制品的一個(gè)或多個(gè)表面上的保護(hù)涂層。保護(hù)涂層可以包括含鋁和鎂的第一層以及含氧化鋁或者氧化鋁和氧化鎂的第二層。氧化鎂的第二層。氧化鎂的第二層。

根據(jù)本文的一些實(shí)施例，描述了用于薄膜的可流動(dòng)沉積的方法和設(shè)備。一些實(shí)施例涉及用于間隙填充的循環(huán)過程，其中沉積之后是微波等離子體固化處理，并且重復(fù)進(jìn)行。在一些實(shí)施例中，沉積、微波等離子體固化處理在單獨(dú)的站中進(jìn)行。在一些實(shí)施例中，第二站被加...

診斷工具的示例包括LAN端口、人機(jī)界面(HMI)和CPU，該CPU配置為將用戶從HMI發(fā)出的命令發(fā)送到LAN端口的連接目的地，其中診斷工具配置為不能進(jìn)行無線通信。配置為不能進(jìn)行無線通信。配置為不能進(jìn)行無線通信。

公開了形成包括光致抗蝕劑底層和粘合層的結(jié)構(gòu)的方法。示例性方法包括使用等離子體增強(qiáng)循環(huán)沉積過程形成粘合層。強(qiáng)循環(huán)沉積過程形成粘合層。強(qiáng)循環(huán)沉積過程形成粘合層。

公開了用于通過使襯底與至少氣相第一前體和包含烷基鹵的氣相第二前體接觸，在襯底表面上沉積包含13族元素的層的方法和系統(tǒng)。可以結(jié)合這些層的示例性結(jié)構(gòu)包括場效應(yīng)晶體管、VNAND單元、金屬

襯底支撐件包括盤體，該盤體具有由厚度隔開的上表面和下表面。上表面具有圍繞旋轉(zhuǎn)軸線延伸的圓形凹部、圍繞凹部周向延伸的位于凹部徑向外側(cè)的環(huán)形突出部以及圍繞突出部周向延伸的位于突出部徑向外側(cè)的環(huán)形邊緣部。凹部具有圓形穿孔部和環(huán)形未穿孔部。穿孔...

公開了用于形成結(jié)構(gòu)的方法和相關(guān)系統(tǒng)。目前描述的方法的實(shí)施例包括使用犧牲間隙填充流體來在間隙下部中的一個(gè)或多個(gè)第一表面上選擇性地形成第一層，以及在間隙上部中的一個(gè)或多個(gè)第二表面上形成第二層。或多個(gè)第二表面上形成第二層。或多個(gè)第二表面上形成...

一種制造加熱塊的方法包括向模具提供陶瓷材料的第一步驟、燒結(jié)陶瓷材料并形成板的第二步驟以及加工板的第三步驟。在該方法的第四步驟，將軸連接到板，以及在第五步驟，將棒結(jié)合到板。還描述了加熱塊和具有加熱塊的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。理系統(tǒng)。理系統(tǒng)。

公開了一種襯底處理設(shè)備單元。示例性襯底處理設(shè)備包括反應(yīng)室；設(shè)置在反應(yīng)室中并配置為支撐襯底的基座；設(shè)置在基座上方的噴淋板；位于噴淋板上方并與反應(yīng)室流體連通的氣體輸送管；以及通過氣體擴(kuò)散噴嘴連接到氣體輸送管的氣體供應(yīng)管，其中氣體擴(kuò)散噴嘴包括...

處理襯底的方法和相關(guān)系統(tǒng)。所描述的方法包括執(zhí)行多個(gè)沉積循環(huán)以在襯底上形成摻雜鉿鋯氧化物層。鋯氧化物層。鋯氧化物層。

一種成膜設(shè)備，包括：室；放置在室中的基座；放置在基座內(nèi)部的電極；彼此分開地布置在基座上方的導(dǎo)電噴淋頭；環(huán)形排氣導(dǎo)管，其布置成圍繞基座的外邊緣；以及向電極供應(yīng)AC電力的AC電源，其中，環(huán)形排氣導(dǎo)管具有包括排氣入口的排氣引入構(gòu)件和包括排氣出...

半導(dǎo)體制造過程中使用的機(jī)柜包括具有內(nèi)部空間的殼體，該內(nèi)部空間具有設(shè)置在其中的存儲(chǔ)容器，該存儲(chǔ)容器包含用于半導(dǎo)體制造過程的材料，該材料保持在設(shè)定溫度。本文公開的熱管理系統(tǒng)和裝置包括熱絕緣材料，該熱絕緣材料設(shè)置在殼體上，并定位在機(jī)柜上的一個(gè)...

一種晶片支撐裝置，包括：基座(40)，其具有設(shè)置在一個(gè)表面上的晶片安裝表面(41)和布置在晶片安裝表面(41)中的提升銷通孔(44)；插入提升銷通孔(44)中的提升銷(50)；以及提升和降低基座(40)的升降裝置(60)，基座(40)的...