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        ASMIP私人控股有限公司專利技術

        ASMIP私人控股有限公司共有866項專利

        • 本發明涉及用于半導體設備的系統和裝置。本技術的各種實施例可以提供一種在反應室內使用的裝置。該裝置包括具有通孔的基座板,升降銷可以設置在通孔中。此外,基座可以包括靜電夾持功能?;€可以包括金屬互連,該金屬互連通過釬焊材料電連接到其他金屬...
        • 公開了用于將包含p型半導體氧化物的層沉積到襯底表面上的方法和系統。沉積過程包括循環沉積過程??刹⑷脒@些層的示例性結構包括3DNAND單元、存儲器件、金屬?絕緣體?金屬結構和DRAM電容器。
        • 公開了形成包括光致抗蝕劑底層和粘合層的結構的方法以及包括光致抗蝕劑底層和粘合層的結構。示例性方法包括使用循環沉積過程形成光致抗蝕劑底層和形成粘合層。粘合層可以在用于形成光致抗蝕劑底層的同一反應室內形成。通過改變一個或多個過程條件,可以基...
        • 提供了一種襯底處理設備。襯底處理設備包括:反應室,其設置有室壁,該室壁包括第一側壁、與第一側壁相對設置的第二側壁、連接到第一側壁和第二側壁的底壁;設置在第一側壁中的閘閥隧道,其配置為由閘閥關閉;設置有頂板和軸的襯底支撐件,該襯底支撐件設...
        • 在一實施例中,一種用于半導體制造的系統包括連續波(CW)射頻(RF)源和脈沖RF源。該系統還包括位于CW?RF源和負載之間的匹配網絡以及控制電路??刂齐娐方邮罩甘久}沖RF信號的一個或多個信號,并選擇脈沖RF信號的一部分。控制電路然后在脈...
        • 公開了氣體注射器組件和包括該氣體注射器組件的襯底處理設備。目前描述的氣體注射器組件的實施例包括氣體注射器、第一前體氣體供應導管和第二前體氣體供應導管。第一前體氣體供應導管的尺寸大于第二前體氣體供應導管的尺寸。
        • 公開了一種用于輸送氣相前體以在氣相沉積設備中沉積層的氣相前體輸送系統。該氣相前體輸送系統具有:氣體出口;氣體入口;被構造和布置用于存儲前體的容器;以及包含在容器內的連接管。連接管可以連接到氣體入口并與其流體連通。一種氣相沉積設備例如立式...
        • 提供了一種用于改善間隙上部中的抑制特性的方法。在本公開的一實施例中,供應第一抑制劑和第二抑制劑,因此可以產生更多的抑制自由基,并且從間隙的上部去除更多反應活化位點,并且與下部相比,改善上部中的抑制特性。本公開的襯底處理方法可以有助于進一...
        • 本技術的各種實施例可以提供具有多個層的閥歧管,這些層具有各種通孔和通道。多個層可以連接在一起,使得通孔和通道形成單個連續流動路徑。
        • 公開了配置用于在流化床中從固體源前體顆粒產生氣態前體的蒸氣輸送設備。此外,還公開了包括蒸氣輸送設備的氣相反應器,蒸氣輸送設備包括固體前體的流化床。還公開了用于監測和控制包括流化床的蒸氣輸送系統的方法。
        • 公開了用于填充襯底上的凹陷特征的方法。該方法可以包括:提供具有包括金屬襯里層的凹陷特征的襯底,部分蝕刻金屬襯里,隨后采用蝕刻和循環沉積過程的組合用間隙填充材料填充凹陷特征。還公開了包括設置在凹陷特征中的間隙填充金屬膜的半導體結構。
        • 提出了一種氣體入口管組件。該組件包括:配置為引入第一處理氣體的第一入口和配置為引入第二處理氣體的第二入口;以及氣體入口管,其配置為混合來自第一入口的第一處理氣體和來自第二入口的第二處理氣體,氣體入口管與襯底處理設備的反應室流體連通,并且...
        • 公開了液體輸送系統設備和包括這種設備的反應器系統。示例性液體輸送系統設備可用于提供對液體源前體的流量的期望控制,同時減輕否則可能發生的流量波動,并且同時允許相對較少數量的流體管線。
        • 一種升降銷致動器包括齒形環、第一臂、第二臂和銷墊。該環沿旋轉軸線布置,并具有由垛口周向隔開的第一城齒和第二城齒。第一臂連接到第一城齒并從環向外延伸,第二臂連接到第二城齒并從環向外延伸,第二臂通過徑向間隙與第一臂周向隔開。銷墊通過第一臂和...
        • 一種室裝置包括室主體、襯底支撐件和激光源。襯底支撐件布置在室主體內,并被支撐用于相對于室主體圍繞旋轉軸線旋轉。激光源布置在室主體的外部,并沿著激光軸線光學耦合到襯底支撐件。激光軸線在位于襯底支撐件上的襯底的外圍徑向向外的位置與襯底支撐件...
        • 公開了用于監控加熱燈系統的方法和系統。一種示例性方法包括在反應器系統內安裝新的加熱燈,測量加熱燈的初始電阻值,通過控制器記錄加熱燈的初始電阻值,確定加熱燈的后續電阻值,將后續電阻值與初始電阻值進行比較,確定后續電阻值是否偏離初始電阻值編...
        • 公開了用于圖案化和形成結構的方法,以及相關的結構和系統。該方法包括在襯底上形成心軸。形成心軸包括執行多個蝕刻循環以減薄結構。
        • 可以提出一種晶片處理設備。該設備包括第一裝載室和第二裝載室,用于預處理或后處理晶片的至少一個額外室,配置為處理晶片的至少一個反應室,包括第一機器人的第一晶片處理室,第一機器人配置為在第一和第二裝載室和額外室之間移動晶片,包括第二機器人的...
        • 公開了一種裝載鎖組件。示例性裝載鎖組件包括裝載鎖室,該裝載鎖室設置有多個側壁、頂部、底部和多個開口,襯底配置為穿過這些開口進入裝載鎖室;其中裝載鎖室設置有多個冷卻氣體入口端口;襯底支撐件,其設置在裝載鎖室中,并配置成在襯底的邊緣處或附近...
        • 本技術的各種實施例可以提供用于升降銷組件的系統和裝置。升降銷組件可以包括升降銷和連接到升降銷并圍繞升降銷一部分的重物。重物可以包括通過螺釘彼此附接的第一構件和第二構件。每個構件可以具有通道。每個構件的通道可以形成通孔以容納升降銷。
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