公開了一種末端執(zhí)行器。示例性末端執(zhí)行器包括用于在其上放置襯底的襯底支撐體；以及第一波發(fā)生器陣列，其設(shè)置在襯底支撐體中，并配置為向襯底的背面產(chǎn)生表面波。

描述了用于測(cè)量噴淋頭組件的流導(dǎo)的方法和裝置。例如，噴淋頭組件可以安置在外殼中。氣體源可以聯(lián)接到噴淋頭組件的進(jìn)氣口，并通過進(jìn)氣口向噴淋頭組件供應(yīng)氣體。壓力控制器可以聯(lián)接在氣體源和噴淋頭組件之間。壓力控制器可以測(cè)量通過壓力控制器的氣體的流量...

本公開涉及在襯底上沉積包含硅、碳和氮的材料的方法。該方法包括在反應(yīng)室中提供襯底，將材料前體以氣相提供到反應(yīng)室中，以及將由等離子體產(chǎn)生的活性物質(zhì)提供到反應(yīng)室中，以在襯底上形成包含硅、碳和氮的材料。在本公開中，材料前體包括含硅唑。本公開還涉...

一種材料層沉積方法，包括在室裝置中支撐一個(gè)且僅一個(gè)襯底，將襯底暴露于第一材料層前體和第二材料層前體，以及使用第一材料層前體和第二材料層前體形成覆蓋襯底的第一材料層。第一材料層暴露于第一材料層前體，并且使用第一材料層前體在第一材料層上形成...

公開了用于在襯底上沉積氮化硼膜的方法和系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明涉及可用于通過PECVD過程沉積氮化硼膜的方法和系統(tǒng)。

描述了方法及相關(guān)的固體和系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，本文描述的方法可以包括執(zhí)行多個(gè)超級(jí)循環(huán)。多個(gè)超級(jí)循環(huán)中的超級(jí)循環(huán)可以包括鎂子循環(huán)、鋁子循環(huán)和鋅子循環(huán)。至少一個(gè)超級(jí)循環(huán)可以包括一個(gè)以上的鎂子循環(huán)、鋁子循環(huán)或鋅子循環(huán)。因此，可以形成具有可調(diào)鎂...

總的來說，本公開的技術(shù)的各個(gè)方面涉及半導(dǎo)體處理，尤其涉及監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體制造過程消耗的化學(xué)物質(zhì)的量。

本技術(shù)的各種實(shí)施例可提供容納固體前體粉末和惰性液體的漿料的第一容器、接收漿料、蒸發(fā)惰性液體并第一次升華固體前體粉末以形成蒸氣的第二容器、將蒸氣再冷凝回固態(tài)并第二次升華固體前體以形成蒸氣的第三容器以及接收來自第三容器的蒸氣的反應(yīng)室。

用于在襯底上形成EUV敏感膜的方法和相關(guān)系統(tǒng)。該方法包括執(zhí)行多個(gè)沉積循環(huán)。沉積循環(huán)包括第一沉積脈沖和第二沉積脈沖。第一前體脈沖包括將襯底暴露于第一前體。第一前體包括金屬前體。第二前體脈沖包括將襯底暴露于第二前體。第二前體包括雜環(huán)有機(jī)化合物。

提供了一種在圖案化結(jié)構(gòu)上形成TiN間隔膜的方法，包括：將襯底裝載到室上的步驟；在襯底上形成膜的步驟；對(duì)膜進(jìn)行后處理的步驟；以及卸載襯底的步驟，其中在襯底上形成膜的步驟包括順序且交替地供應(yīng)第一氣體和第二氣體，其中對(duì)膜進(jìn)行后處理的步驟包括向...

一種襯底冷卻裝置，包括具有頂表面的冷卻板，頂表面包括從其突出的嵌入式襯底支撐構(gòu)件陣列。通道設(shè)置在冷卻板的下側(cè)部分中，導(dǎo)管嵌入通道中，導(dǎo)管包括在第一端的冷卻劑入口和在第二端的冷卻劑出口，粘性導(dǎo)熱材料設(shè)置在通道中并熱耦合到通道的內(nèi)表面和導(dǎo)管...

本公開涉及形成包含聚酰亞胺的有機(jī)聚合物和包含聚酰亞胺的層的方法，以及降低有機(jī)聚合物中聚酰胺酸含量的方法。本公開的實(shí)施例還涉及制造半導(dǎo)體器件的方法、在半導(dǎo)體襯底的表面上選擇性沉積材料以及半導(dǎo)體處理組件。該方法的特征在于將含聚酰亞胺的材料比...

控制由閘閥連接的兩個(gè)密封室之間的壓差以準(zhǔn)備閘閥打開事件的系統(tǒng)和方法。如果需要，這種系統(tǒng)和方法可以調(diào)節(jié)至少一個(gè)室中的氣體壓力，直到兩個(gè)室之間的壓差處于預(yù)定壓差水平。在一些更具體示例中，一個(gè)室可以構(gòu)成襯底處理室，另一個(gè)室可以構(gòu)成反應(yīng)室(例如...

描述了用于生長(zhǎng)碳化硅外延層的方法和系統(tǒng)。在一示例中，具有多個(gè)反應(yīng)器模塊的反應(yīng)器系統(tǒng)可以包括加熱裝載/鎖定室和冷卻裝載/鎖定室。在另一示例中，反應(yīng)器可以通過單獨(dú)的線圈組感應(yīng)加熱基座來加熱，基座加熱一個(gè)或多個(gè)晶片附近的石墨。多個(gè)高溫計(jì)可以測(cè)...

一種設(shè)備前端模塊(EFEM)包括具有裝載端口座和轉(zhuǎn)移機(jī)器人座的框架組件。風(fēng)扇過濾器單元由框架組件支撐，控制箱包圍風(fēng)扇過濾器單元并由風(fēng)扇過濾器單元支撐。后面板具有隧道座，固定到框架組件，并通過轉(zhuǎn)移機(jī)器人座與裝載端口座分開。(a)具有內(nèi)側(cè)通...

公開了用于形成包含14族元素、磷屬元素和硫?qū)僭氐膶拥姆椒āＴ谝恍?shí)施例中，14族元素包括鍺，磷屬元素包括銻，硫?qū)僭匕凇Ｔ摲椒ò▓?zhí)行多個(gè)沉積循環(huán)。沉積循環(huán)包括將襯底暴露于兩種不同的14族前體、兩種不同的磷屬元素前體或兩種不同的硫...

公開了氣體注射器和包括該氣體注射器的半導(dǎo)體處理設(shè)備。目前描述的氣體注射器的實(shí)施例包括注射器管，以將處理氣體注射到半導(dǎo)體處理設(shè)備的處理室中。氣體注射器還包括冷卻流體導(dǎo)管，該冷卻流體導(dǎo)管被構(gòu)造和布置成冷卻注射器管。

本技術(shù)的各種實(shí)施例可以提供用于清潔源容器的方法和裝置。源容器可以用溶劑填充或部分填充以形成溶液。溶液從源容器中移出并包含在與源容器相連的廢物容器中。廢物容器內(nèi)部可具有波紋管或其他機(jī)構(gòu)，以在廢物容器中產(chǎn)生負(fù)壓，從而將溶液從源容器中抽出并進(jìn)...

本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體設(shè)備的系統(tǒng)和裝置。本技術(shù)的各種實(shí)施例可以提供將反應(yīng)室的上室與反應(yīng)室的下室隔離的特征。在一種情況下，基座具有沿著外邊緣的凹槽，該凹槽配置成與隔板匹配。密封件設(shè)置在凹槽中。在另一種情況下，放置在基座上的流量控制環(huán)具有沿著...

本公開涉及用于在襯底的第一表面上相對(duì)于同一襯底的第二表面選擇性地沉積包含硅和氮的材料的方法和沉積組件。在本公開中，經(jīng)由以下步驟通過循環(huán)沉積過程在襯底的第一表面上相對(duì)于同一襯底的第二表面選擇性地沉積包含硅和氮的材料：在反應(yīng)室中提供襯底；以...