一種用于處理半導(dǎo)體晶片存儲(chǔ)盒的系統(tǒng)，包括：配置成處理半導(dǎo)體晶片存儲(chǔ)盒的立式分批爐組件，該立式分批爐組件包括配置成處理來(lái)自盒的晶片的立式分批爐；布置在立式分批爐組件處的底板組件，該底板組件包括布置在底板組件的頂面下方的二維電磁體陣列，該陣...

一種處理具有間隙的襯底的方法，包括將襯底裝載到襯底支撐單元上，通過(guò)氣體供應(yīng)單元將低聚硅前體和含氮?dú)怏w供應(yīng)到襯底支撐單元上的襯底上，以及通過(guò)向襯底支撐單元和氣體供應(yīng)單元中的至少一個(gè)施加電壓在反應(yīng)空間中直接產(chǎn)生等離子體，其中在供應(yīng)低聚硅前體...

公開(kāi)了晶片舟和用于在設(shè)置在晶片舟中的多個(gè)襯底上形成層的方法。目前描述的晶片舟的實(shí)施例包括至少兩個(gè)晶片舟桿，每個(gè)晶片舟桿包括用于保持多個(gè)襯底的至少第一組槽。晶片舟還包括多個(gè)板，由此至少第一組槽中的至少一個(gè)槽設(shè)置在兩個(gè)相鄰板之間。

在本說(shuō)明書(shū)中，描述了一種基于壓力的傳感器系統(tǒng)，通過(guò)該系統(tǒng)可以確定用于半導(dǎo)體制造過(guò)程的前體容器中的固體前體量，所述系統(tǒng)包括至少兩個(gè)流體連接的具有已知容積的室，以及配置為測(cè)量所述室中的多個(gè)壓力的壓力傳感器。

可以提出一種襯底處理設(shè)備。該設(shè)備包括配置成保持襯底的反應(yīng)室、根據(jù)配方在襯底上沉積層的沉積系統(tǒng)、包括計(jì)算器的自動(dòng)沉積補(bǔ)償系統(tǒng)，該計(jì)算器被編程為：根據(jù)在反應(yīng)室中運(yùn)行的配方計(jì)算由沉積系統(tǒng)沉積在反應(yīng)室內(nèi)部的累積層厚度(x),并且根據(jù)累積層厚度(...

一種在待處理襯底上形成的具有第一凹部的低密度圖案區(qū)域和具有第二凹部的高密度圖案區(qū)域上形成層的方法，包括：第一步驟，在第一凹部中形成第一層以高于第一凹部頂部，并在第二凹部中形成第二層以高于第二凹部頂部；蝕刻步驟，蝕刻第一層以高于第一凹部頂...

公開(kāi)了形成經(jīng)處理的硅碳材料的方法和系統(tǒng)。示例性方法包括將硅碳材料沉積到襯底表面上，并處理硅碳材料。處理步驟可包括第一處理步驟，隨后是第二處理步驟，其中第一處理步驟包括提供第一還原劑氣體活性物質(zhì)，第二處理步驟包括提供第一氧化劑氣體活性物質(zhì)...

本發(fā)明提供了用于確定半導(dǎo)體制造過(guò)程的前體容器中的固體前體量的方法和系統(tǒng)，其中通過(guò)單色測(cè)量來(lái)測(cè)量從前體容器流向處理室的處理氣體中的光學(xué)吸收，從而確定前體容器中的前體量。

在本說(shuō)明書(shū)中，描述了一種電容傳感器系統(tǒng)，通過(guò)該系統(tǒng)可以確定用于半導(dǎo)體制造過(guò)程的前體容器中的固體前體量，所述系統(tǒng)包括以基本平行的方式布置在前體容器中的至少兩個(gè)電極，并且涉及使用該系統(tǒng)的方法。

公開(kāi)了用于形貌選擇性沉積的方法及相關(guān)系統(tǒng)。目前描述的方法的實(shí)施例包括采用犧牲性間隙填充流體來(lái)選擇性地在間隙的遠(yuǎn)側(cè)表面上形成材料，而不是在間隙的側(cè)壁和近側(cè)表面中的至少一個(gè)上形成材料。還描述了通過(guò)犧牲間隙填充流體用高質(zhì)量材料填充間隙的方法。

提供了一種流動(dòng)控制裝置，其包括安置入口和出口導(dǎo)管的殼體。隔離閥布置在殼體內(nèi)，并流體聯(lián)接到入口導(dǎo)管。具有第一關(guān)斷觸發(fā)的第一流動(dòng)開(kāi)關(guān)布置在殼體內(nèi)，并將隔離閥流體聯(lián)接到出口導(dǎo)管。具有第二關(guān)斷觸發(fā)的第二流動(dòng)開(kāi)關(guān)布置在殼體的外部，并且與第一流動(dòng)開(kāi)...

一種流動(dòng)控制裝置包括安置入口和出口導(dǎo)管的殼體、布置在殼體內(nèi)并連接到入口導(dǎo)管的隔離閥、流動(dòng)開(kāi)關(guān)和旁路開(kāi)關(guān)。流動(dòng)開(kāi)關(guān)具有關(guān)斷觸發(fā)，布置在殼體內(nèi)，并將隔離閥聯(lián)接到出口導(dǎo)管。旁路開(kāi)關(guān)聯(lián)接到隔離閥，并具有第一和第二位置。當(dāng)旁路開(kāi)關(guān)處于第一位置時(shí)，...

一種流動(dòng)控制裝置包括殼體、隔離閥和流動(dòng)開(kāi)關(guān)。殼體安置有入口導(dǎo)管和出口導(dǎo)管。隔離閥布置在殼體中，并連接到入口導(dǎo)管。流動(dòng)開(kāi)關(guān)布置在殼體中，連接到隔離閥，并且將出口導(dǎo)管流體聯(lián)接到隔離閥。流動(dòng)開(kāi)關(guān)還具有關(guān)斷觸發(fā)，并且可操作地連接到隔離閥，以在流...

提供了一種用于在多個(gè)襯底上形成外延疊層的方法。在優(yōu)選實(shí)施例中，該方法包括向處理室提供多個(gè)襯底并執(zhí)行多個(gè)沉積循環(huán)，其中每個(gè)沉積循環(huán)包括第一沉積脈沖和第二沉積脈沖。外延疊層包括與第二外延層交替和重復(fù)堆疊的第一外延層，第二外延層不同于第一外延...

本發(fā)明公開(kāi)了用于進(jìn)行氣相反應(yīng)器系統(tǒng)的泄漏檢查的方法和系統(tǒng)。示例性系統(tǒng)包括：第一排氣系統(tǒng)，所述第一排氣系統(tǒng)經(jīng)由第一排氣管線聯(lián)接到反應(yīng)腔室；旁路管線，所述旁路管線聯(lián)接到氣體供應(yīng)單元且聯(lián)接到第一排氣系統(tǒng)；氣體檢測(cè)器，所述氣體檢測(cè)器經(jīng)由連接管線...

公開(kāi)了一種相對(duì)于第二材料在第一材料上選擇性地沉積氮化硅的方法。示例性方法包括執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)沉積循環(huán)和執(zhí)行處理過(guò)程。

一種半導(dǎo)體制造設(shè)備的示例包括第一殼體、固定到第一殼體并具有從第一殼體暴露的第一非接觸通信表面的至少一個(gè)第一通信裝置、固定到第一殼體的第二殼體以及固定到第二殼體并具有從第二殼體暴露的第二非接觸通信表面的至少一個(gè)第二通信裝置。第一非接觸通信...

提供了一種用于處理多個(gè)襯底的半導(dǎo)體處理設(shè)備。在優(yōu)選實(shí)施例中，該設(shè)備包括反應(yīng)室。反應(yīng)室包括用于接收襯底舟的反應(yīng)空間，該襯底舟被構(gòu)造和布置用于保持多個(gè)襯底。反應(yīng)室還包括用于向反應(yīng)空間提供氣體的氣體分配器和用于從反應(yīng)空間移除氣體的氣體排放裝置...

一種用于在待處理襯底上形成的多個(gè)溝槽的內(nèi)壁表面上形成碳膜的方法，包括：沉積步驟，通過(guò)供應(yīng)包含碳前體氣體和載氣的混合氣體并向該混合氣體施加高頻電壓以產(chǎn)生等離子體，在待處理襯底的溝槽的內(nèi)壁表面上沉積碳膜；間隔步驟，停止供應(yīng)碳前體氣體和施加高...

將材料沉積到襯底表面上的方法。示例性方法包括使氣相前體在反應(yīng)室內(nèi)流動(dòng)，將前體冷凝到襯底表面上以形成冷凝材料，以及固化冷凝材料以將冷凝材料轉(zhuǎn)變成固化材料。固化步驟可以是等離子體過(guò)程，并且可以包括使用反應(yīng)物。