可以提出一種襯底處理設備。該設備包括：襯底反應室，其配置為保持和處理襯底；遠程等離子體單元，用于產生自由基氣體以清潔襯底反應室；冷卻單元，該冷卻單元包括：罐，其配置為存儲用于冷卻的水；風扇，其配置為產生空氣流；多個散熱片，其放置在風扇前...

本公開涉及通過循環沉積過程相對于襯底的第二表面在襯底的第一表面上選擇性地沉積包含3至6族過渡金屬的材料的方法。該方法包括：在反應室中提供襯底；以氣相將過渡金屬前體提供到反應室中，其中過渡金屬前體包含芳族配體；以及以氣相將第二前體提供到反...

本公開涉及在襯底上沉積包含過渡金屬和鹵素的材料的方法。本公開還涉及過渡金屬層、包括含有過渡金屬和鹵素的層的結構和器件。在該方法中，通過循環沉積過程將過渡金屬和鹵素沉積在襯底上，并且該方法包括在反應室中提供襯底，以氣相將過渡金屬前體提供到...

提供了一種用于在襯底上沉積第一材料層的沉積設備中的反應室部件。該部件可以具有部分涂覆有第一材料襯里的基底材料。該部件可以在第一材料襯里的頂部具有不同于第一材料的第二材料的保護層，以保護該部件。這在用于去除在使用反應室部件期間沉積的相同第...

公開了一種在襯底上選擇性地形成含Si外延層的方法。目前描述的方法的實施例包括執行循環沉積和蝕刻過程，從而選擇性地形成含Si外延層。所描述的方法可以幫助以自下而上的方式形成場效應晶體管的源極/漏極區。

一種升降銷組件包括接合和固定升降銷的保持器以及線性和豎直致動升降銷和保持器的波紋管。保持器包括三個部件，它們連接在一起以將升降銷固定在保持器內。保持器包括具有凹陷區域的第一部件、嵌套在凹陷區域內的第二部件以及鄰近第一和第二部件的第三部件...

公開了組合物、相關方法和相關系統。該組合物可以包含前體和液體溶劑。前體在惰性氣氛中在至少10℃到至多100℃的溫度下以基本純的形式是不穩定的。溶劑在20℃的溫度下具有至多1.0mPa的蒸氣壓。

公開了用于混合前體的方法和系統。本文公開的系統和方法包括在混合室中混合第一前體和第二前體。第一前體和第二前體可以氣相或作為液體提供給混合室。

公開了一種配置為在多個襯底上形成層的襯底處理設備。目前描述的襯底處理設備的實施例包括處理室。處理室包括用于接收襯底舟的處理空間，襯底舟布置用于保持多個襯底。襯底處理設備還包括氣體輸送組件，其包括至少一個氣體注射器；氣體排放組件，其包括兩...

公開了適用于氣相過程的方法、系統和組件。示例性組件包括基座環和至少一個注射器管。注射器管可以設置在基座環內，以向襯底的外圍區域提供氣體。方法、系統和組件可用于獲得襯底表面上材料的期望(例如成分和/或厚度)輪廓。

一種室裝置，具有帶有上壁和下壁的室主體。襯底支撐件布置在室主體的內部，并被支撐以繞旋轉軸線旋轉。上加熱器元件陣列支撐在上壁上方，下加熱器元件陣列支撐在下壁下方。高溫計支撐在上加熱器元件陣列上方，光學耦合到室主體的內部，并且可操作地連接到...

公開了適用于氣相過程的方法、系統和組件。示例性組件包括基座環和至少一個注射器管。注射器管可以設置在基座環內，以向反應器的下室區域提供氣體。可以使用方法、系統和組件來獲得對下室區域的期望蝕刻和吹掃。

本技術的各種實施例可以提供用于反應室的系統和設備。該系統和設備可以包含反應室，該反應室具有設置在反應室的下室和噴淋頭之間的間隔件板。主動加熱元件可以嵌入間隔件板內。鄰近間隔件板設置的流量控制環通過來自間隔件板加熱元件的傳導被加熱。

一種襯底處理方法，包括在反應空間中提供在其表面中包括兩個間隙的襯底，并且在脈沖等離子體氣氛下用可流動膜填充至少兩個間隙，同時向反應空間供應前體和反應物氣體，其中通過調節脈沖等離子體的脈沖頻率來減小填充在至少兩個間隙中的可流動膜在至少兩個...

一種處理具有間隙的襯底的方法，包括將襯底裝載到襯底支撐單元上，通過襯底支撐單元上的氣體供應單元向襯底供應低聚硅前體和含氮氣體，以及通過向襯底支撐單元和氣體供應單元中的至少一個施加電壓在反應空間中產生直接等離子體，其中在供應低聚硅前體和含...

一種流動控制裝置，包括源導管、供應導管、截流閥和緩慢關閉致動器。截流閥將源導管連接到供應導管。緩慢關閉致動器連接到截流閥，以在緩慢關閉間隔期間關閉截流閥，引火材料檢測器可操作地連接到緩慢關閉致動器，以在檢測到流動控制裝置外部的引火材料的...

公開了一種處理襯底的方法，該方法包括：向反應空間提供在其表面上形成有間隙的襯底，執行在襯底的間隙中沉積可流動膜的沉積步驟，同時向反應空間供應前體和反應物氣體，對可流動膜執行等離子體處理步驟，使得與間隙的下部區域相比，間隙的上部區域中的可...

公開了在凹槽內形成材料的方法和系統。示例性方法包括在反應室內以第一溫度(T1)形成可流動材料，該可流動材料在凹槽內形成沉積材料，處理該沉積材料以形成已處理材料，以及以第二溫度(T2)加熱包括該已處理材料的襯底以去除一部分沉積材料。

本發明的實施例提供了一種用于促進移動基座的提升工具。提升工具包括板形中心區域、連接到中心區域并從中心區域向外延伸的多個臂，其中每個臂包括通孔。提升工具還包括延伸穿過相應臂的通孔的多個鉤。每個鉤可以包括腿和連接到腿的腳。

提供了在襯底上有效地形成致密且固體的氧化硅膜的方法以及通過使用該方法制造半導體器件的方法。該形成方法包括：向反應室提供襯底；在襯底上形成可流動氮化硅膜；將可流動氮化硅膜轉化成可流動氧化硅膜；致密化可流動氧化硅膜；以及用惰性氣體等離子體后...