公開了形成包括光致抗蝕劑底層的結構的方法，所述光致抗蝕劑底層包括主體層和粘附層。示例性方法包括使用等離子體增強循環沉積過程形成主體層和形成粘附層。粘附層可以在用于形成主體層的同一反應室內形成。于形成主體層的同一反應室內形成。于形成主體層...

本公開涉及用于處理半導體晶片的半導體處理系統和方法的實施例。處理系統包括反應器、晶片搬運組件和與晶片搬運組件相鄰豎直設置的處理單元。該系統和方法最小化了系統占據的總占地空間，而不犧牲處理能力。而不犧牲處理能力。而不犧牲處理能力。

公開了用于圖案化和形成結構的方法，以及相關的結構和系統。該方法包括在圖案化抗蝕劑的側壁上形成襯里。圖案化抗蝕劑包括第一金屬，襯里包括第二金屬。襯里包括第二金屬。襯里包括第二金屬。

一種能夠執行穩定等離子體處理的襯底處理方法，包括：使用襯底處理設備在第一等離子體氣氛下供應源氣體，該襯底處理設備包括發電單元、第一反應器以及在發電單元和第一反應器之間的匹配網絡；吹掃源氣體；在第二等離子體氣氛下供應反應氣體；以及吹掃反應...

提供了一種能夠保護連接到加熱器的AC電源的襯底處理設備。襯底處理設備包括由電介質形成的下電極、連接到下電極中包括的第一內部電極并供應具有第一頻率的AC電力的第一AC電源、包括在下電極中以加熱下電極的加熱器、連接到加熱器的濾波器電路以及通...

公開了用于冷卻氣相反應器系統的各個部分的冷卻系統，包括氣體分配部分和下室部分。示例性冷卻系統包括冷卻板以調節氣相反應器系統的溫度。系統的溫度。系統的溫度。

公開了用于在襯底表面上形成碘化銅層的方法和系統。示例性方法包括使用循環沉積過程，該過程包括向反應室提供銅前體和向反應室提供碘反應物。示例性方法可以進一步包括向反應室提供還原劑和/或提供摻雜劑反應物。還描述了使用該方法形成的結構。該結構可...

公開了用于形成結構的方法，包括在襯底上形成異質外延層。當前公開的方法包括在襯底上外延形成緩沖層。襯底具有襯底成分。緩沖層具有緩沖層成分。緩沖層成分基本與襯底成分相同。當前公開的方法還包括在緩沖層上外延形成異質外延層。異質外延層具有不同于...

本公開涉及一種通過循環沉積過程在襯底上沉積含金屬鹵化物的材料的方法。該方法包括在反應室中提供襯底，以氣相將金屬前體提供到反應室中，以及以氣相將鹵素前體提供到反應室中，以在襯底上形成含金屬鹵化物的材料。在該方法中，金屬前體包含鍵合到有機配...

一種加熱器組件，具有層壓加熱器板和軸。層壓加熱器板由多個層形成，其中一個或多個層可以包括加熱元件、RF電極、冷卻通道和RTD傳感器中的一個或多個。器中的一個或多個。器中的一個或多個。

一種用于反應器系統中的源容器重量監測組件，用于提供對來自源容器的源或過程材料的可用性的實時和直接測量。該組件包括位于源容器的底壁和容器的支撐元件(例如源容器外殼的底座)之間的一個或多個力或負載傳感器，例如測力傳感器。傳感器定位成至少部分...

提供了一種在多個襯底上形成外延疊層的方法。在優選實施例中，該方法包括提供半導體處理設備。該半導體處理設備包括處理室和用于在處理室中處理之前或之后放置晶片舟的轉盤。該方法還包括將晶片舟裝載到處理室中，該晶片舟包括多個襯底。該方法還包括在處...

提供了一種用于在多個襯底上形成外延疊層的方法和晶片處理爐。在優選實施例中，該方法包括向處理室提供多個襯底。執行多個沉積循環，從而在多個襯底上形成外延疊層。外延疊層包括多個外延對，其中每個外延對包括第一外延層和第二外延層，第二外延層不同于...

提供了用于在多個襯底上形成外延疊層的方法和晶片處理爐。在優選實施例中，該方法包括向處理室提供多個襯底。執行多個沉積循環，從而在多個襯底上形成外延疊層。外延疊層包括多個外延對，每個外延對包括第一外延層和第二外延層。沉積循環包括第一沉積脈沖...

一種露點傳感器裝置包括聯接到露點傳感器的感測和干燥氣體源導管。具有感測閥構件的感測閥將感測導管聯接到露點傳感器。具有干燥閥構件的干燥閥將干燥氣體源導管聯接到露點傳感器。感測閥構件在感測閥構件關閉位置將感測導管與露點傳感器流體分離，干燥閥...

本公開涉及半導體沉積反應器歧管的實施例，該半導體沉積反應器歧管可用于使用諸如原子層沉積(ALD)的過程來沉積半導體層。該半導體沉積反應器歧管包括加熱器塊，加熱器元件安裝在歧管體上。有利地，加熱器塊可拆卸地安裝，以便于更換。以便于更換。以...

公開了一種襯底處理設備。示例性襯底處理設備包括多個反應室；共享遠程等離子體單元；多個第一清潔氣體管線，其配置為將共享遠程等離子體單元流體聯接到反應室；以及為共享遠程等離子體單元提供清潔氣體的清潔氣體源；其中每個第一清潔氣體管線設置有閥，...

公開了一種襯底處理設備。示例性襯底處理設備包括反應室；遠程等離子體單元；配置成將遠程等離子體單元流體聯接到反應室的清潔氣體管線；以及設置在反應室的側壁中的室襯里；其中清潔氣體管線通過清潔氣體開口連接到反應室的側壁；其中該室襯里設置有多個...

一種終點檢測系統，用于檢測處理室部件整修過程的終點。整修過程包括在室部件在半導體處理中使用反應室之后使用蝕刻劑浴來蝕刻或清潔室部件，以去除包括氧化膜等的沉積材料。終點檢測系統配置為使用來自蝕刻劑浴中的部件表面的反射電磁輻射的測量、當部件...

在根據本公開的一實施例中，一種用于在半導體處理中操縱襯底的裝置，包括：多個升降銷，包括頂端和下端，并且配置用于頂端可以向上移動到上位置并且向下移動到下位置，其中頂端支撐晶片；重物，包括多個升降銷孔并且配置為連接多個升降銷和多個重物支撐件...