公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法還包括在襯底上形成可轉化層，并將襯底暴露于轉化反應物。因此，可轉化層的至少一部分被轉化成間隙填充流體。間隙填充流體至少部分地填充間隙。該方法和系統例如在...

公開了一種用于在襯底表面上的間隙內形成材料的多層方法。示例性方法包括形成覆蓋襯底的第一材料層，并在第一材料區域內形成第二(例如初始可流動的)材料層，從而以無縫和/或無空隙的方式用材料至少部分填充間隙。無空隙的方式用材料至少部分填充間隙。...

公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法包括用含金屬材料填充間隙。方法包括用含金屬材料填充間隙。方法包括用含金屬材料填充間隙。

公開了一種使用金屬材料在襯底表面上的間隙內形成材料的方法和系統。一種示例性方法包括形成覆蓋在襯底上的可熔融材料層，并將可熔融材料加熱到流動溫度，以形成在間隙內流動的熔融材料。的熔融材料。的熔融材料。

公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法還包括通過等離子體增強沉積過程形成間隙填充過程。間隙填充流體至少部分地填充間隙。該方法和系統例如在集成電路制造領域中是有用的。有用的。有用的。

公開了用于在襯底表面上的間隙內形成材料的方法和系統。示例性方法包括在第一反應室內的襯底表面上形成材料層，在第二反應室中將材料層暴露于鹵素反應物，從而在間隙內形成包含鹵素的可流動層，以及可選地在第三反應室中將可流動層暴露于轉化反應物，以在...

本公開涉及用于制造半導體裝置的方法和設備。更具體地，本公開涉及用于在包括至少兩個不同表面的基板上選擇性沉積有機層的方法和設備。該方法包括在反應室中提供基板、在反應室中提供第一氣相前體以及在反應室中提供第二氣相前體。在該方法中，第一和第二...

公開了一種用于在襯底表面上的間隙內形成材料的方法和系統。示例性方法包括在襯底表面上沉積可溶層，并將可溶層暴露于溶劑，從而在間隙內形成溶劑化材料。示例性方法還可以包括干燥溶劑化材料和/或將溶劑化或干燥材料轉化為另一種材料。化為另一種材料。...

本公開涉及一種用于在處理室中注射處理氣體的氣體注射器。氣體注射器包括注射器管，該注射器管包括彼此隔開的多個處理氣體注射孔，以將處理氣體輸送到處理室中。氣體注射器還包括用于將處理氣體注射到注射器管中的注射器管的進料口，并且提供混合室，該混...

一種用于間隙填充圖案結構的第一突起和第二突起之間的凹陷的襯底處理方法，包括：改變形成在圖案結構上的層的輪廓，其中層的輪廓的改變包括：在上部區域中，增加凹陷的寬度以抑制上部區域中空隙的形成；以及在下部區域中，減小凹陷的寬度以接觸該層，從而...

一種用于供應氣體的噴淋頭，包括：噴淋頭主體，具有上表面和與上表面相對的下表面；以及多個通孔，形成在噴淋頭主體中，使得氣體從上表面向下表面通過，其中下表面中的多個通孔中的每個通孔的橫截面積的尺寸是相同的，而上表面中的每個通孔的橫截面積的尺...

一種氣體分配系統，其具有向反應室供應氣體源的第一多個孔和圍繞第一多個孔并配置為從反應室移除氣體的第二多個孔。在一實施例中，隨著與主排氣通道的距離增加，第二多個孔的直徑可以逐漸增加。可替代地或另外，隨著與主排氣通道的距離增加，相鄰孔之間的...

公開了氣相反應器系統及其清潔方法。示例性系統包括反應室內的清潔氣體擴散器，以有助于清潔反應室內的部件，比如基座。清潔氣體擴散器可以配置為在反應室內的一個或多個表面上提供清潔反應物的流動。上提供清潔反應物的流動。上提供清潔反應物的流動。

公開了一種末端執行器。示例性末端執行器包括槳狀物，其中槳狀物的近端設置有用于定位襯底的后突起；從槳狀物延伸的環，其中環設置有用于支撐襯底的圓形突起；以及從環延伸的刀片，其中刀片的遠端設置有用于定位襯底的前突起。起。起。

一種能夠加熱液體的設備可以提供閥組件，該閥組件配置成接收來自大容量源的進入液體。閥組件可以控制液體通過管道系統流至源容器。管道系統包括直接連接到閥組件的第一管道和位于第一管道下游并連接在第一管道和源閥之間的第二管道。用圍繞第二管道的加熱...

一種在具有上表面、下表面以及連接上表面和下表面的側壁的間隙結構中形成空氣間隙的空氣間隙形成方法，包括：重復執行選擇性沉積循環，其中選擇性沉積循環包括將沉積抑制劑供應到包括間隙結構的襯底上；以及相較于側壁在上表面上選擇性地形成材料層。上表...

一種能夠控制液體的設備可以提供容納液體的源容器和用于使液體流入源容器的入口管。入口管可以延伸到源容器中，并且可以布置成將流動的液體引導到源容器的側壁上。流動的液體引導到源容器的側壁上。流動的液體引導到源容器的側壁上。

一種能夠解決在高溫處理期間由于熱變形或真空力引起的室部分的未對準問題的襯底處理設備，包括：第一板；第一板上的第二板；位置控制單元，其配置為改變第二板相對于第一板的相對位置；以及支撐單元，其配置為在支撐第二板的同時允許第二板移動。板的同時...

公開了一種拓撲選擇性沉積方法。示例性方法包括在襯底表面上的間隙或特征上沉積第一層材料，在第一層材料上沉積第二層材料，以及選擇性地去除第一層材料。選擇性地去除第一層材料。選擇性地去除第一層材料。

公開了一種拓撲選擇性沉積方法。示例性方法包括：提供包含第一含氮氣體的抑制劑；提供包括第二含氮氣體的沉積促進劑，以在頂表面、底表面和側壁表面之一或多個上相對于頂表面、底表面和側壁表面中其他表面之一或多個形成激活表面；以及提供前體以與激活表...