用間隙填充流體填充包含在襯底中的間隙的方法和系統(tǒng)。該間隙填充流體在具有第一前體和第二前體的等離子體中形成。和第二前體的等離子體中形成。和第二前體的等離子體中形成。

一種襯底支撐件包括加熱器主體、加熱器元件和加熱器端子。加熱器主體由陶瓷材料形成，并具有由厚度分開(kāi)的上表面和下表面。加熱器元件布置在上表面和下表面之間，并嵌入形成加熱器主體的陶瓷材料內(nèi)。加熱器端子布置在上表面和下表面之間，電連接到加熱器元...

一種設(shè)備可以提供諸如噴淋頭、管道、閥歧管或容器的部件，該部件具有固定到部件外表面的印刷加熱器。此外，印刷溫度傳感器可以固定到部件外表面。該設(shè)備還可以提供控制器，以根據(jù)從印刷溫度傳感器輸出的數(shù)據(jù)控制至印刷加熱器的功率。熱器的功率。熱器的功率。

公開(kāi)了用于在襯底表面上形成低k材料層的方法和系統(tǒng)以及使用該方法或系統(tǒng)形成的結(jié)構(gòu)和器件。示例性方法包括在反應(yīng)器系統(tǒng)的反應(yīng)室內(nèi)提供襯底，向反應(yīng)室提供一種或多種前體，以及提供高頻、高等離子體功率以聚合一種或多種前體，從而形成具有所需性質(zhì)的致密...

公開(kāi)了用于在襯底表面上形成低k材料層的方法和系統(tǒng)以及使用該方法或系統(tǒng)形成的結(jié)構(gòu)和器件。示例性方法包括在反應(yīng)器系統(tǒng)的反應(yīng)室內(nèi)提供襯底，向反應(yīng)室提供一種或多種前體，以及提供高頻、高等離子體功率以聚合一種或多種前體，從而形成具有所需性質(zhì)的致密...

一種半導(dǎo)體處理裝置，包括基座組件，該基座組件包括配置成支撐晶片的晶片支撐件。該晶片支撐件包括：晶片支撐件主體，配置成支撐晶片；吹掃通道，從晶片支撐件主體的內(nèi)部橫向延伸到晶片支撐件主體的外部；第一增壓通道，設(shè)置在晶片支撐件主體的外部并與吹...

一種半導(dǎo)體處理裝置，包括基座組件，該基座組件包括配置成支撐晶片的晶片支撐件。該晶片支撐件包括：晶片支撐件主體，配置成支撐晶片；吹掃通道，從晶片支撐件主體的內(nèi)部橫向延伸到晶片支撐件主體的外部；第一增壓通道，設(shè)置在晶片支撐件主體的外部并與吹...

公開(kāi)了一種氣體供應(yīng)單元。示例性氣體供應(yīng)單元包括設(shè)置有多個(gè)噴射孔的上板，該多個(gè)噴射孔包括中心噴射孔和多個(gè)外部噴射孔；分隔器板，其構(gòu)造和布置成抵靠著上板，以引導(dǎo)來(lái)自噴射孔的氣體流；流體聯(lián)接到中心注射孔的第一氣體管線；以及流體聯(lián)接到多個(gè)外部注...

提出了用于半導(dǎo)體襯底處理的設(shè)備和方法。對(duì)于諸如用于半導(dǎo)體襯底處理的閥的裝置，特別是像ALD這樣的過(guò)程，需要監(jiān)測(cè)和控制從信號(hào)到打開(kāi)和關(guān)閉閥所花費(fèi)的精確時(shí)間，以便可以控制延遲時(shí)間。在一實(shí)施例中，提出了一種包括反應(yīng)器、閥、過(guò)程控制器和閥監(jiān)測(cè)系...

提出了用于半導(dǎo)體襯底處理的設(shè)備和方法。對(duì)于諸如用于半導(dǎo)體襯底處理的閥的裝置，特別是像ALD這樣的過(guò)程，需要監(jiān)測(cè)和控制從信號(hào)到打開(kāi)和關(guān)閉閥所花費(fèi)的精確時(shí)間，以便可以控制延遲時(shí)間。在一實(shí)施例中，提出了一種包括反應(yīng)器、閥、過(guò)程控制器和閥監(jiān)測(cè)系...

本實(shí)用新型提供一種液體存儲(chǔ)裝置以及原子層沉積設(shè)備，該液體存儲(chǔ)裝置包括：儲(chǔ)液容器，包括容器壁且構(gòu)造為存儲(chǔ)液態(tài)的前驅(qū)體材料；液位傳感器，設(shè)置在所述儲(chǔ)液容器的容器壁上，且從所述儲(chǔ)液容器的外部延伸到所述儲(chǔ)液容器內(nèi)部，構(gòu)造為檢測(cè)所述儲(chǔ)液容器內(nèi)所述...

一種反應(yīng)器系統(tǒng)可以包括第一反應(yīng)室和第二反應(yīng)室。第一和第二反應(yīng)室可以各自包括封閉在其中的反應(yīng)空間、設(shè)置在反應(yīng)空間內(nèi)的基座和與反應(yīng)空間流體連通的流體分配系統(tǒng)。每個(gè)反應(yīng)室中的基座可以配置為支撐襯底。反應(yīng)器系統(tǒng)可以還包括第一反應(yīng)物源，其中第一反...

本文公開(kāi)了與使用固體源化學(xué)大容量填充容器的遠(yuǎn)程輸送系統(tǒng)相關(guān)的系統(tǒng)和方法。該輸送系統(tǒng)可以包括氣相沉積反應(yīng)器、遠(yuǎn)離氣相沉積反應(yīng)器的兩個(gè)或更多個(gè)大容量填充容器、互連管線、管線加熱器以及包括一個(gè)或多個(gè)閥的氣體面板。每個(gè)大容量填充容器配置為在其中...

一種反應(yīng)器可以包括反應(yīng)室、配置為在襯底支撐件的頂側(cè)支撐襯底的襯底支撐件以及設(shè)置在反應(yīng)室內(nèi)的細(xì)長(zhǎng)輸送裝置。襯底支撐件可以沿著反應(yīng)室內(nèi)的豎直軸線被致動(dòng)到上位置和下位置。襯底支撐件可以具有從豎直軸線沿著基本正交于豎直軸線的水平軸線的最大水平尺...

本公開(kāi)涉及一種包括噴淋頭的半導(dǎo)體處理室，噴淋頭包括用于將反應(yīng)物提供到處理室中的噴淋板。處理室還包括用于保持襯底的可移動(dòng)基座；其中處理室具有豎直延伸穿過(guò)噴淋板的噴淋板軸線；襯底軸線，其在將反應(yīng)物提供到處理室中期間襯底的中心配置和布置在的位...

公開(kāi)了用于沉積SiOC和SiOCN膜的方法。示例性方法利用包含碘和醇鹽的前體，并且可以用于使用無(wú)氧PEALD形成低k間隔物。于使用無(wú)氧PEALD形成低k間隔物。于使用無(wú)氧PEALD形成低k間隔物。

提供了一種選擇性地在具有第一和第二表面的基板上沉積材料的方法，其中所述第一表面不同于所述第二表面。在基板上沉積材料包括：向基板供給包含金屬原子、鹵素原子和至少一種不是金屬或鹵素原子的另外的原子的本體前體；和向基板供給反應(yīng)物。本體前體和反...

公開(kāi)了通過(guò)循環(huán)沉積過(guò)程相對(duì)于襯底的第二表面在襯底的第一表面上選擇性地沉積包含硅和氧的材料的方法和氣相沉積組件。該方法包括將襯底提供到反應(yīng)室中，將金屬或準(zhǔn)金屬催化劑以氣相提供到反應(yīng)室中，將包含烷氧基硅烷化合物的硅前體以氣相提供到反應(yīng)室中，...

一種閥組件可以提供包括底部和具有螺紋區(qū)域的頂部的主體、位于主體頂部上方的關(guān)閉機(jī)構(gòu)、與關(guān)閉機(jī)構(gòu)連通的致動(dòng)器、配置成附接到螺紋區(qū)域的螺母以及延伸到主體底部或螺母中的至少一個(gè)中的螺紋孔。至少一個(gè)中的螺紋孔。至少一個(gè)中的螺紋孔。

一種用于半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的襯底存儲(chǔ)架，包括底板、頂板和柱組件。頂板與底板間隔開(kāi)，柱組件將頂板連接到底板，并且球構(gòu)件被壓縮地安置在柱組件內(nèi)。球構(gòu)件在朝向頂板的方向上從柱組件突出，以將襯底支撐在襯底存儲(chǔ)架內(nèi)和球構(gòu)件上。還描述了半導(dǎo)體處理系統(tǒng)和...