一種用于半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的源容器，通過提供對蒸氣壓的增強(qiáng)控制來供應(yīng)前體材料。源容器包括限定用于容納一定體積的液態(tài)前體的室的外殼或容器。源容器還包括溫度傳感器，其配置成檢測當(dāng)前包含在外殼的室內(nèi)的液態(tài)前體的表面溫度。溫度傳感器可以采用溫度測...

一種用于半導(dǎo)體襯底處理設(shè)備的盒蓋打開裝置，包括外殼、門組件、傳送機(jī)構(gòu)和至少一個(gè)懸架。外殼具有帶有相關(guān)壁開口的至少一個(gè)壁。門組件包括至少一個(gè)門板，其配置成基本封閉至少一個(gè)壁的相關(guān)壁開口。傳送機(jī)構(gòu)包括連接到門組件的托架并且配置成平行于至少一...

提供了一種用于處理多個(gè)襯底3的設(shè)備1。該設(shè)備可以具有形成處理室7的處理管5；圍繞處理管5的加熱器9；用于支撐處理管的凸緣11；以及門15，其配置為在處理室中支撐具有多個(gè)襯底3的晶片舟17，并密封處理室7。可提供可操作地連接到處理室7的排...

公開了一種用于沉積氮化硅膜的化學(xué)氣相沉積爐。該爐具有沿基本豎直方向伸長的處理室和用于在處理室中支撐多個(gè)晶片的晶片舟。處理室內(nèi)的處理氣體注射器設(shè)置有多個(gè)豎直間隔的氣體注射孔，以將在處理氣體注射器的內(nèi)部中的進(jìn)給端引入的氣體提供給處理室。連接...

公開了用于形成包含銦鎵鋅氧化物的層的反應(yīng)器系統(tǒng)和方法。包含銦鎵鋅氧化物的層可以使用處理模塊的一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)室來形成。使用處理模塊的一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)室來形成。使用處理模塊的一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)室來形成。

公開了用于在進(jìn)入反應(yīng)室之前混合兩種或更多種氣體的設(shè)備、包括該設(shè)備的反應(yīng)器系統(tǒng)以及使用該設(shè)備和系統(tǒng)的方法。這里描述的系統(tǒng)和方法可以用于例如將兩種或更多種前體的混合物脈沖到反應(yīng)室。物脈沖到反應(yīng)室。物脈沖到反應(yīng)室。

在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)內(nèi)減少失透的系統(tǒng)可以包括基座支撐環(huán)，該基座支撐環(huán)配置為位于室通道的氣體入口和氣體出口之間。示例系統(tǒng)還可以包括吸氣劑支撐件，該吸氣劑支撐件包括支撐基部和其中的一個(gè)或多個(gè)凹槽。一個(gè)或多個(gè)凹槽中的每個(gè)可布置成接收相應(yīng)的一個(gè)或...

一種反射器包括反射器主體，該反射器主體布置成與半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的反應(yīng)室重疊。反射器主體具有凹槽表面和在反射器主體的第一縱向邊緣與反射器主體的第二縱向邊緣之間延伸的反射表面，反射表面與凹槽表面間隔開反射器主體的厚度。凹槽表面和反射表面限定高...

公開了靜電卡盤和使用靜電卡盤的方法。示例性靜電卡盤包括陶瓷主體、嵌入陶瓷主體內(nèi)的加熱元件以及嵌入陶瓷主體內(nèi)的兩個(gè)或更多個(gè)溫度測量裝置。示例性方法包括使用兩個(gè)或更多個(gè)豎直間隔開的溫度測量裝置測量靜電卡盤內(nèi)的溫度。的溫度。的溫度。

描述了貴金屬襯墊和金屬

一種半導(dǎo)體襯底處理設(shè)備，設(shè)置有：反應(yīng)室(1)；加熱反應(yīng)室(1)的加熱器(2)；以及襯底支撐組件。該襯底支撐組件包括：襯底支撐件(3)，其限定用于在反應(yīng)室(1)中支撐襯底或襯底載體(7)的外支撐表面(5)；以及包括用于密封設(shè)備的反應(yīng)室(1...

公開了一種用于沉積氮化硅膜的化學(xué)氣相沉積爐。該爐包括沿基本豎直方向伸長的處理室和用于在處理室中支撐多個(gè)晶片的晶片舟。處理氣體注射器設(shè)置在處理室內(nèi)，其基本在晶片舟高度上沿基本豎直方向延伸，并且包括連接到硅前體源和氮前體源的進(jìn)給端和多個(gè)豎直...

本公開涉及在制造半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中用于在襯底上沉積含過渡金屬氮化物的材料的方法和設(shè)備。根據(jù)本公開的方法包括循環(huán)沉積過程，其中在反應(yīng)室中提供襯底，以氣相向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬過渡金屬前體，并且以氣相向反應(yīng)室中提供氮前體，以在襯底上形成過渡金屬...

一種用于處理晶片的分批爐組件，包括限定處理室并具有處理室開口的處理室殼體、限定晶片舟室的晶片舟殼體、門組件、差壓傳感器和控制器。門組件具有關(guān)閉位置，在該關(guān)閉位置，其關(guān)閉處理室開口。門組件在關(guān)閉位置限定門組件室，該門組件室具有用于向門組件...

本公開涉及一種用于在襯底上沉積材料的氣相沉積組件。氣相沉積組件包括用于處理來自沉積室的基座的處理室，該沉積室包括多個(gè)可移動(dòng)的基座。該組件還包括傳送系統(tǒng)，該傳送系統(tǒng)配置和布置成在沉積室和處理室之間移動(dòng)基座。本公開還涉及清潔基座的方法以及基...

一種反應(yīng)器系統(tǒng)的污染物捕集器系統(tǒng)可以包括擋板堆，該擋板堆包括至少一個(gè)擋板和主體部分，該擋板包括貫穿擋板的擋板主體的孔；以及至少一個(gè)互補(bǔ)擋板，其包括穿過互補(bǔ)擋板的互補(bǔ)擋板主體的互補(bǔ)孔和互補(bǔ)主體部分。至少一個(gè)擋板和至少一個(gè)互補(bǔ)擋板可以擋板順...

本公開涉及過渡金屬硫族化物阻擋層的沉積。沉積過渡金屬硫族化物阻擋層的方法包括：提供具有通向反應(yīng)室的開口的襯底，在反應(yīng)室中以氣相提供過渡金屬前體，以及在反應(yīng)室中提供反應(yīng)性硫族物質(zhì)。該方法可以是等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法。本公開還涉及包括過...

一種氣體系統(tǒng)包括外殼、處理氣體計(jì)量閥、截止閥和流量開關(guān)。處理氣體計(jì)量閥布置在外殼內(nèi)，以將處理氣體流動(dòng)到半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的處理室。截止閥連接到處理氣體計(jì)量閥，以將處理氣體計(jì)量閥與處理氣體源流體分離。流量開關(guān)可操作地連接到截止閥，以根據(jù)穿過流...

公開了用于在襯底上形貌沉積材料的方法和相關(guān)系統(tǒng)。襯底包括近端表面和間隙特征。間隙特征包括側(cè)壁和遠(yuǎn)端表面。示例性方法按給定順序包括：將襯底定位在反應(yīng)室中的襯底支撐件上的步驟；對襯底進(jìn)行等離子體預(yù)處理的步驟；以及在相對于側(cè)壁的近端表面和遠(yuǎn)端...

外延生長摻硼硅鍺層的方法和器件。這些層可以用作例如場效應(yīng)晶體管中的p型源極和/或漏極區(qū)。漏極區(qū)。漏極區(qū)。