提供了一種液體前體容器。液體前體容器包括內容器、外容器和擋板構件。內容器具有內基部、從內基部向上延伸的內中間部以及通過內中間部聯接到內基部的內蓋部。外容器具有與內容器的內基部間隔開的外基部和從外基部向上延伸并圍繞內容器的內中間部的外中間...

本文描述了用于在室中支撐襯底的示例、方法、系統和裝置，其中襯底包括表面，使襯底表面與室內的受激物質接觸，使襯底表面與室內的蝕刻劑物質接觸，以及響應于執行上述步驟從襯底表面去除有機殘余物或非有機殘余物或其組合。

一種液體前體容器包括內容器、外容器和擋板構件。內容器具有內基部、從內基部延伸的內中間部以及通過內中間部聯接到內基部的內蓋部。外容器包圍內容器并具有與內容器的內基部間隔開的外基部、從外基部延伸并圍繞內容器的內中間部的外中間部以及通過外容器...

公開了固體源化學蒸發器、固體源化學蒸發器組件、包括固體源化學蒸發器或組件的襯底處理系統以及形成層的方法。目前描述的固體源化學蒸發器的實施例包括容器、氣體入口、氣體出口和通道。

公開了形成包括粘合層的結構的方法和包括粘合層的結構。粘合層可以包括氮。該方法可以包括形成覆蓋粘合層并與之接觸的金屬氧化物抗蝕劑。示例性方法還包括形成光致抗蝕劑底層。

公開了化學蝕刻目標層的方法。具體地，公開了通過循環化學氣相蝕刻過程和原子層蝕刻過程蝕刻目標層的方法。還公開了用于執行化學蝕刻過程的示例性設備。

一種包括靜電卡盤的襯底處理設備，包括下電極、上電極、第一AC電源、連接到加熱器的第一濾波電路、通過第一濾波電路連接到加熱器的隔離變壓器、連接到隔離變壓器的第二AC電源、設置在下電極中的內部電極、第二濾波電路和DC電源，其中DC電源在恒流...

公開了結構、相關方法和相關系統。一種結構的實施例包括抗蝕劑和抑制層。EUV抗蝕劑包括暴露的抗蝕劑區域和未暴露的抗蝕劑區域。關于硬掩模的氣相沉積，抑制層相對于暴露的抗蝕劑區域抑制未暴露的抗蝕劑區域。

本公開涉及用于填充襯底上的間隙的方法和設備。該方法包括提供襯底，該襯底包括進入反應室的至少一個間隙；在襯底上沉積含硅的第一層；使第一層經受含磷化合物以形成可流動中間材料，該中間材料至少部分填充襯底上的至少一個間隙；以及形成包含硅的固體材料。

結構以及用于形成結構的相關方法和系統。結構包括近端觸點、遠端觸點、高k電介質以及近端勢壘和遠端勢壘中的至少一個。在一些實施例中，近端勢壘和遠端勢壘中的至少一個被構造和布置成當第一電場沿第一電場方向施加在近端觸點和遠端觸點之間時，抑制來自...

用于半導體制造系統中的材料層沉積方法的方法和設備。控制器可以將襯底安置在襯底支撐件上。可以將含硅材料層前體提供至遠程等離子體單元，遠程等離子體單元可以分解至少一部分含硅材料層前體。可以使用分解產物將包含硅的外延材料層沉積到襯底上。在給定...

提供了在襯底上沉積無定形氮化硼層的方法。示例性方法包括向反應室提供硼前體和向反應室提供氮活性物質。

公開了用于形成半導體結構的方法。該方法包括通過在包括第一區域和第二區域的襯底上沉積第一硬掩模層和第二硬掩模層來形成雙層硬掩模。形成的示例性結構可以包括CMOS器件結構。

公開了在表面上沉積氮化硅之前預處理表面的方法和系統。示例性方法包括在減少用于沉積氮化硅的培養時間的條件下，通過將表面暴露于由包含氮和氫的一種或多種氣體形成的活化物質來預處理表面。

外殼結構包括殼體，該殼體配置成封閉半導體制造組件的反應器的上室、相關噴淋頭和材料源或氣體管線。加熱元件和風扇葉輪位于殼體內部。馬達設置在殼體外部，并且可操作地聯接到風扇葉輪。控制器用于操作加熱元件和馬達中的一個或兩個，以產生在殼體內分布...

本文公開了一種半導體處理設備，該半導體處理設備包括歧管，該歧管包括配置為將氣體輸送到反應室的孔，歧管包括安裝到第二塊體的第一塊體，第一和第二安裝的塊體協作以至少部分地限定孔。歧管還可以包括圍繞第一塊體或第二塊體設置的絕熱體蓋。半導體處理...

本發明涉及一種注射器，其配置用于布置在襯底處理設備的反應室內，以將氣體注入反應室中。注射器可以沿著第一軸線伸長，并配置有沿著第一軸線延伸的內部氣體傳導通道，并設置有至少一個氣體入口和至少一個氣體出口。注射器可以具有沿著垂直于第一軸線的第...

提供了一種在襯底表面上形成介電材料層的方法。該方法可包括以下步驟：沉積步驟，包括：在第一反應室內提供襯底；向第一反應室提供乙烯基取代的環硅氧烷前體；向第一反應室提供反應物；以及向第一反應室提供脈沖等離子體功率；和固化步驟，包括：向襯底提...

本發明涉及具有受控環境的襯底處理系統，包括：一個或多個FOUP，配置成保持一個或多個襯底；襯底處理室，配置成處理一個或多個襯底；襯底搬運和運輸系統，配置成接收一個或多個FOUP并將一個或多個襯底轉移到襯底處理室和從襯底處理室轉移一個或多...

公開了一種化學容器，所述化學容器包括布置在結合到化學容器的殼體中的細長沉孔中的汲取管和液位傳感器管。化學容器可以構造成允許進行推回程序，由此化學容器中的液體液位降低到汲取管在汲取管內部或汲取管底部處沒有液體的點。一旦汲取管沒有液體，則可...