提供了一種填充形成在襯底上的間隙的方法，該方法包括以下步驟：將襯底提供到反應室中的襯底支撐件上，在襯底上形成膜，包括以下步驟：向反應室供應第一氣體和向反應室供應第二氣體，以及處理在襯底上形成的膜，包括向反應室供應第三氣體和向反應室供應第...

本技術的各種實施例可以提供用于半導體制造工具中的蒸氣壓力監測的方法和裝置。該裝置可以包括含有化學物質的容器和連接到氣體管線的出口，其中氣體管線包括連接到反應器的第一部分和連接到排氣端口的第二部分。氣體管線還可以包括連接到壓力傳感器的第三...

用于半導體處理的方法、系統和設備，包括在第一反應室中的襯底支撐件上支撐包括設置在襯底上的一個或多個氧化物層的襯底，使襯底的一個或多個氧化物層的頂表面與受激物質接觸，在第二反應室中支撐襯底，以及在頂表面與受激物質接觸之后，在頂表面上沉積過...

一種襯底支撐設備，包括：基座，其配置用于放置襯底；以及移動機構，其連接到基座并配置成圍繞基座的中心軸線旋轉基座，該中心軸線在豎直方向上延伸，其中該移動機構配置成在垂直于中心軸線的假想水平面中延伸的方向上進一步移動基座。

公開了立式爐和用于在所述立式爐中處理多個襯底的方法。目前描述的立式爐的實施例包括處理室、加熱元件，該加熱元件配置為提供熱量以達到用于處理多個襯底的期望處理溫度。立式爐還可以包括熱分布構件，用于分布由加熱元件提供的熱量。目前描述的方法的實...

提供了一種能夠在具有高縱橫比的間隙結構的表面上形成具有改善的臺階覆蓋和/或改善的和/或更均勻的性質的膜的襯底處理方法。一種示例性襯底處理方法包括：提供間隙結構；將包括源氣體的氣體供應到間隙結構上；從源氣體產生活性物質；通過中和活性物質產...

提出了一種使用等離子體的晶片處理系統。該系統可以包括設置在平臺上的多個反應室，每個反應室配置為處理晶片；等離子體發生器，其單獨耦合到多個反應室，并配置為產生具有特定頻率和特定相位的等離子體，還配置為向多個反應室提供所產生的等離子體；以及...

在一實施例中，本公開涉及一種用于控制輸送到分布式電極的微波功率以改善分布式電極上電場的均勻性的系統。該系統包括RF源電路，該RF源電路包括至少一個RF發生器和多個RF源電路輸出，每個RF源電路輸出輸出具有至少300MHz頻率的RF源信號...

本公開涉及用于以下的示例方法、系統和設備：經由第一化學物質輸送管線將設置在襯底處理平臺上的第一位置的輸送容器耦合到設置在遠離襯底處理平臺的第二位置的遠程再填充容器；將化學物質以第一相存儲在遠程再填充容器中；將遠程再填充容器中的化學物質改...

本公開的各種示例涉及用于以下的方法、系統和設備：將設置在襯底處理平臺上的第一位置的輸送容器耦合到設置在遠離襯底處理平臺的第二位置的遠程再填充容器，將化學物質以第一相存儲在遠程再填充容器中，將遠程再填充容器中的化學物質改變為第二相，將處于...

一種制造半導體結構的方法包括：將襯底安置在室裝置內；將硼摻雜硅鍺層沉積到襯底上；并且將硼摻雜硅層沉積到硼摻雜硅鍺層上。沉積硼摻雜硅層包括：停止含硼前體向室裝置的流動；減少含鍺前體向室裝置的流動；增加含硅前體向室裝置的流動；在增加含硅前體...

提出了一種提供用于沉積設備的穩定連接器的方法。該方法可以包括在陶瓷材料內部形成圓頂形電極連接器，鉆出一部分陶瓷材料以及一部分圓頂形電極連接器以使電極連接器平整；并且將桿結合到電極連接器的剩余部分中。該方法將提供穩定的電極連接器，該電極連...

提供了在襯底上沉積包含鉬的層的方法和裝置，做法是在反應室中向襯底供給包含二氯二氧化鉬(VI)的前體及包含硼和氫的第一反應物以反應和形成鉬層。包含硼和氫的第一反應物可為乙硼烷。

公開了一種反應蓋和使用該反應蓋的具有遠程等離子體單元(RPU)的等離子體增強原子層沉積(PEALD)設備。反應蓋可以包括：氣體入口，其配置成使產生的等離子體和處理氣體流入晶片處理空間；頂部，其設置在氣體入口下方并具有截頭圓錐形狀，該頂部...

公開了晶片搬運組件、包括該晶片搬運組件的半導體處理設備以及在多個晶片上形成層的方法。所描述的晶片搬運組件的實施例包括晶舟和末端執行器，晶舟具有每個晶片三個晶舟支撐件，用于支撐晶舟中的晶片，末端執行器包括三個末端執行器支撐件，用于支撐末端...

提供了一種襯底處理裝置。該裝置可以包括：設備前端模塊(EFEM)，其包括由前壁、后壁、前壁和后壁之間的第一和第二側壁、頂壁和底壁界定的殼體；裝載端口，其連接到前壁并且配置成接收前開式晶圓傳送盒(FOUP)；裝載鎖室，其連接到后壁并且配置...

公開了形成包括硅鍺氧化物光致抗蝕劑底層的結構的方法以及包括光致抗蝕劑底層的結構。該方法還可以包括形成鈍化層和/或粘附層。

本公開涉及用于將包含硅和氮的材料選擇性地沉積到包含第一表面和第二表面的襯底上的方法和系統，其中沉積在襯底的第一表面上比在襯底的第二表面上發生得更多。更具體地，該方法和系統包括將包含第一表面和第二表面的襯底暴露于氯源和硅源，然后將襯底暴露...

本發明公開了一種熱屏蔽裝置，其通過在被加熱到高溫的室周圍形成一個或多個氣體絕緣層來屏蔽從室壁到外部的熱量，從而減少熱量損失、將室加熱到特定溫度時消耗的功率，最小化熱量對另一室的影響并減少安全問題，例如燒傷操作者。

公開了一種用于在襯底上外延形成外延疊層的方法。目前描述的方法的實施例包括執行多個沉積循環以形成外延疊層，由此每個沉積循環包括沉積脈沖以形成外延疊層的各個外延層。