總的來說，本發明的技術的各個方面涉及半導體制造設備和過程，其可以包括彼此并聯連接的兩個或更多個收集器。該設備可以在該過程所采用的所述兩個或更多個收集器的上游具有固態前體升華器。

本公開涉及用于通過循環沉積過程相對于襯底的第二表面在襯底的第一表面上選擇性地沉積有機聚合物材料的方法和處理組件。該方法包括在反應室中提供襯底，將第一氣相有機反應物提供到反應室中，并將第二氣相有機反應物提供到反應室中。在該方法中，第一和第...

本發明涉及光刻系統和方法。本文公開的方法的實施例包括將襯底暴露于電場，同時將襯底暴露于電磁輻射。因此，可以獲得劑量減少。

襯底處理系統和方法包括襯底處理室的功能，由在遠程平臺計算機(例如隨設備前端模塊或負載鎖定模塊定位)上運行的各個襯底處理室的處理模塊軟件虛擬控制。平臺計算機包括存儲用于每個相關襯底處理室的處理模塊軟件的存儲器，并且基于由用于該襯底處理室的...

一種襯底處理設備，包括上室空間、下室空間、基座和流動控制環組件，該流動控制環組件包括密封環和具有圍繞基座的形狀的流動控制環，當基座處于第一位置時，流動控制環組件將上室空間相對于下室空間密封或基本密封。

公開了形成用于控制金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的閾值電壓的金屬硅酸鹽層的方法。該方法包括通過使襯底與包含有機硅烷醇前體或硅氧化物前體的前體接觸而在襯底上形成金屬硅酸鹽閾值調整層。

公開了用于填充間隙的方法和系統。示例性方法包括向反應室提供襯底。襯底包括間隙。該方法還包括用間隙填充流體至少部分地填充間隙。然后，該方法包括對間隙填充流體進行轉變處理，從而在間隙中形成轉變材料。該方法和系統例如在集成電路制造領域中是有用的。

本公開的技術總體涉及半導體器件領域。更具體地，包括偶極層的半導體結構及其制造方法，該偶極層包括含金屬和氮的膜。還描述了相關的方法、沉積系統和裝置。用于形成包括偶極層的半導體結構的方法包括以下步驟：向反應室提供襯底；通過將金屬前體引入反應...

公開了用于在襯底的凹陷中沉積氧化物的方法、系統和設備，包括：在室中提供襯底，襯底包括通向凹陷的至少一個開口，其中至少一個開口由鄰近凹陷且在凹陷外部的表面區域中的周界界定，其中凹陷包括內表面；將抑制劑脈沖到室中，以優先將抑制劑沉積在凹陷的...

本技術的各種實施例可以提供氣體管線矩陣和互換組件。其中互換組件包括第一多個氣體管線，其中每個氣體管線包括第一端和第二端，并且其中第一多個氣體管線的第一端在第一軸線上對準，第一多個氣體管線的第二端在第二軸線上對準，并且第一軸線垂直于第二軸線。

在一方面，公開了用于通過循環沉積過程在包括第一表面和第二表面的襯底上選擇性地沉積有機材料層的方法、系統和設備，該過程包括在反應室中提供襯底，在反應室中提供第一氣相前體，以及在反應室中提供第二氣相前體，其中第一和第二氣相前體相對于第二表面...

一種材料層沉積方法包括使含硅材料層前體流過室主體，并在室主體內形成含硅堆積物。將含氯氣(Cl<subgt;2</subgt;)填充物引入到室主體中，使用含氯氣(Cl<subgt;2</subgt;)填充物去除含硅...

提出了一種用于批量冷卻設備前端模塊中的襯底的非接觸冷卻組件。冷卻組件可以包括支撐梁和多個冷卻板，其中冷卻板水平堆疊布置并附接到支撐梁，并且其中支撐梁配置為水平移動以冷卻襯底。每個冷卻板可以利用熱電冷卻效應或冷卻流體來冷卻冷卻板，并且冷卻...

襯底處理系統和方法包括具有鎖定和/或掛牌控制和/或特征的選擇性地可激活的遠程計算機訪問。這種襯底處理系統可以包括：(a)包括輸入端口和輸出端口的第一網絡交換機；(b)包括與第一交換機輸出端口直接或間接連接的輸入/輸出端口的第二網絡交換機...

本公開涉及蝕刻材料的方法。該方法包括從材料的第一表面蝕刻材料的方法。在該方法中，將具有材料的第一表面的襯底提供到反應室中，并執行蝕刻步驟。蝕刻步驟包括通過執行多個蝕刻循環來蝕刻第一材料。每個蝕刻循環包括將襯底暴露于蝕刻反應物的蝕刻反應物...

一種用于襯底處理的方法、系統和設備，包括基座、設置在基座上方的熱保護板，熱保護板包括從熱保護板的頂表面延伸到熱保護板的底表面的第一提升銷通孔，基座包括第二提升銷通孔和板提升構件通孔，以及板提升構件，其配置為可滑動地接合板提升構件通孔。

一種形成半導體結構的方法包括：將襯底安置在布置在半導體處理系統的室裝置內的襯底支撐件上；以第一含硼前體質量流量將含硼前體流動到室裝置；以及使用含硼前體沉積第一SiGe:B層的第一部分。將含硼前體的質量流量增加至中間含硼前體流量；使用含硼...

公開了用于形成包括2D?過渡金屬二硫族化物層的半導體結構的方法、用于形成包括金屬性2D?過渡金屬二硫族化物層的柵極疊層的方法以及用于通過原子層沉積過程(ALD)形成三元相2D?過渡金屬二硫族化物層的方法。

本技術的各種實施例可以提供一種基座組件。基座組件可以包括基座板和設置在基座板表面上的蓋。蓋可以具有嵌入其內的電極。基座板可以具有嵌入其內的加熱元件。蓋可以通過由多個電介質間隔件形成的空氣間隙與基座板分開。多個電介質間隔件的尺寸可被設計成...

用于光刻，特別是EUV光刻的方法、系統和結構。本文公開的結構的實施例包括氧化鉿二次電子產生層，其可以有利地降低完全顯影EUV抗蝕劑的劑量需求。