提出了一種具有晶片溫度控制能力的裝置。該裝置包括：板，其配置為控制放置在其上的晶片的溫度；分別存儲冷流體和熱流體的冷罐和熱罐；分別冷卻和加熱冷罐和熱罐中的流體的冷卻和加熱裝置；出口開關閥，其配置為控制流出板的流體的方向；輸入開關閥，其配...

本技術的各種實施例可以提供用于蒸氣輸送系統的裝置。蒸氣輸送系統可以包括加熱元件和圍繞氣體管線的絕緣層。絕緣層可以具有空氣間隙，并且可以由聚醚醚酮形成。

公開了一種用于處理襯底的爐系統。該爐系統包括：處理管，其布置成用于接收支撐在晶片舟上的一個或多個襯底；用于加熱處理管的一個或多個加熱元件；用于將處理氣體流提供到處理管中的處理氣體流源；用于將吹掃氣體流提供到處理管中的吹掃氣體流源；以及溫...

用于在襯底上選擇性沉積的方法、系統和設備，包括在反應室中提供襯底，襯底包括第一表面和第二表面，其中第一表面與第二表面在材料上不同，其中第一表面是金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或金屬碳化物或者其組合，其中第二表面是電介質或金屬，并且...

公開了形成雙層硬掩模的方法以及使用這種雙層硬掩模形成半導體結構的方法。所公開的方法包括執行第一循環沉積過程以形成第一硬掩模層，以及執行第二循環沉積過程以直接在第一硬掩模層上形成第二硬掩模層。該方法還包括使用雙層硬掩模形成CMOS結構。

本公開涉及形成結構的方法、減小半導體襯底上的特征的間距的方法、圖案化目標層的方法、在間隙中沉積材料的方法以及半導體處理組件。該方法包括在反應室中提供包括間隙的圖案化襯底，其中間隙具有側壁，并且側壁覆蓋有間隔件材料。該方法還包括通過氣相沉...

本技術的各種實施例可以提供3D晶格結構，其包括具有第一體積的第一充氣室和與第一充氣室隔離的具有第二體積的第二充氣室。連續內部壁將第一充氣室與第二充氣室分開，并且外表面部分地包圍第一和第二充氣室。

提供了一種襯底轉移臂，更具體地，提供了一種襯底轉移臂，以防止襯底粘附至其，并在移動襯底轉移臂期間減少襯底轉移臂和襯底之間的污染物。在一個或多個實施例中，襯底轉移臂可以設置有主體單元、聯接到主體單元的多個襯底安裝單元，其中每個襯底安裝單元...

一種室裝置包括：室主體，該室主體具有設置在其中的襯底支撐件，以在將材料層沉積到襯底上期間將襯底安置在其上；上加熱器元件陣列，其支撐在室主體上方并配置為加熱襯底；以及上高溫計，其支撐在室主體上方并可操作地聯接到上加熱器元件陣列，以獲取襯底...

一種制造金屬制品的方法，包括：由塊狀金屬材料形成工件主體；通過將塊狀金屬材料暴露于臭氧(O<subgt;3</subgt;)，由塊狀金屬材料形成覆蓋塊狀金屬材料的金屬氧化物層；以及將陶瓷層沉積到金屬氧化物層上。塊狀金屬材料包...

公開了用于填充襯底表面上的間隙特征的方法、系統和設備，包括：在反應室中提供具有包括間隙特征的表面的襯底，利用第一循環沉積過程將第一材料層沉積到間隙特征中，利用循環蝕刻過程蝕刻第一材料層以在間隙特征的底部中形成基底，以及利用第二循環沉積過...

提供了一種在襯底上形成氧化硅膜的方法。該方法可以包括以下步驟：(a)將襯底放置在反應室中的基座上；其中襯底包括間隙；(b)沉積步驟，包括：向反應室提供連續含硅前體流；向反應室提供連續氧化氣體流；并且通過向含硅前體和氧化前體提供等離子體功...

公開了負載鎖定裝置、包括這種負載鎖定裝置的半導體處理系統以及用于在這種負載鎖定裝置內執行并行過程的相關方法。所公開的負載鎖定裝置包括對準組件，其設置在負載鎖定主體內，并且配置用于在降低負載鎖定主體內的壓力的同時對準負載鎖定主體的內部內的...

一種負載鎖定裝置包括負載鎖定主體，負載鎖定主體具有在上附件座孔處限定上附件座的上板、在中間附件座孔處限定中間附件座的與上板間隔開的中間板以及在下附件座孔處限定下附件座的通過中間板與上板分開的下板。第一附件板固定到上附件座，第二附件板固定...

本公開總體涉及含金屬和磷的薄膜以及用于形成所述膜的方法和系統，并且涉及包括所述膜的半導體器件結構。用于形成含金屬和磷的薄膜的示例性方法包括執行循環沉積過程的一個或多個沉積循環，包括將襯底表面的至少一部分順序暴露于金屬前體和磷前體，從而在...

提出了一種襯底預加熱模塊。根據本公開的實施例，該模塊包括：室，其配置成從設備前端模塊(EFEM)接收一個以上襯底；第一開口，其設置在鄰近EFEM的室的壁上；氣體入口，其配置為將第一氣體從外氣體源輸送到室中；第一閥，其設置在氣體入口處，并...

本文描述了可用于氣體再利用薄膜沉積設備的系統和方法。本公開的實施例尤其涉及一種或多種氣體比如前體、反應物和吹掃氣體的單獨收集和再循環中的一個或多個。

公開了用于沉積硼摻雜硅鍺層的方法及相關組合物。該方法包括通過采用包含碘硅烷前體的組合物的熱沉積過程來沉積硼摻雜硅鍺層。該方法還包括通過選擇性沉積過程沉積硼摻雜硅鍺層。

公開了支撐套筒和包括這種支撐套筒的半導體處理爐。所公開的支撐套筒包括用于支撐半導體處理爐內的處理容器的單個支撐表面。所公開的支撐套筒還包括多個內部氣體通道，其配置用于在支撐套筒和支撐在支撐套筒上的處理容器之間形成氣體密封。

提出了一種用于冷卻襯底的設備。該設備包括：室殼體；設置在第一壁中的第一端口，第一端口配置成可與第一環境密封隔離；設置在第二壁中的第二端口，第二端口配置成可與第二環境密封隔離；設置在室殼體的頂部和底部之間的第一支撐件；設置在第一支撐件和室...