公開了用于填充間隙的設備和方法。示例性方法包括執行一個或多個沉積循環，并執行真空紫外輻射和可選的退火。

本文描述了用于形成包含堿土金屬和可選的過渡金屬的氧化物的方法和系統。合適的堿土金屬包括鍶。合適的過渡金屬包括鈮。

公開了負載鎖定組件、包括這種負載鎖定組件的半導體處理系統以及用于監測半導體處理系統的處理模塊內的過程漂移的相關方法。所公開的負載鎖定組件包括與反饋回路配置中的控制器通信的分度器機構和位置傳感器，以能夠基于負載鎖定組件內的襯底的重量或重量...

提供了一種在反應室中處理襯底的方法，更具體地，提供了一種增加SiCN層的濕蝕刻速率以從形成在階梯結構上的SiCN層減少突出物的方法。該方法包括在施加功率時同時供應含碳硅源和氮氣，隨后進行后處理，其中SiCN層的濕蝕刻速率由供應的氮源量調節。

公開了用于在襯底上形成鈍化層的方法和設備，包括：在反應室中提供襯底，襯底包括第一表面和第二表面；使襯底與包含胺化合物的第一前體接觸，胺化合物包含至少兩個胺基；以及使襯底與包含至少一種硫代酸酐的第二前體接觸，其中，使襯底與第一和第二前體接...

一種室主體包括陶瓷焊接件。陶瓷焊接件具有上壁、側壁、下壁和下壁肋段。側壁通過側壁與上壁焊接聯接到上壁，下壁通過側壁與下壁焊接聯接到側壁并限定通道，下壁肋段通過下壁肋段焊接聯接到下壁板。上壁具有上壁板部分和上壁肋部分，通過它們限定覆蓋通道...

提供了通過氣相沉積形成鎂銦鋅氧化物(MIZO)層的方法。在一些實施例中，用于形成MIZO層的循環沉積過程包括沉積循環，該沉積循環包括在反應室中交替且順序地使襯底與氣相銦前體、氣相鋅前體、氣相鎂前體和氧反應物接觸。

一種室主體包括具有上壁、側壁和下壁的陶瓷焊接件。上壁通過側壁與上壁焊接聯接到側壁，并且包括通過上壁肋段焊接聯接到上壁板的上壁肋段。側壁通過側壁與下壁焊接聯接到下壁。下壁具有下壁板部分和從其延伸的下壁肋部分，這兩部分都是使用減材制造技術由...

公開了一種具有檢測晶片在處理期間是否被松開的能力的襯底處理系統。本公開的系統的實施例包括：反應室，其設置有上電極和下電極，并配置為處理晶片；射頻發生器，其配置為產生高頻功率以在反應室中處理晶片；匹配單元，其設置在反應室和發生器之間，并配...

本技術的各種實施例可以提供具有聯接到基座軸的調節機構的基座。柔性旋轉軸可以聯接到調節機構，并且馬達可以連接到柔性旋轉軸以旋轉調節機構。調節機構可以是在水平方向上移動基座的機構，或者是在豎直方向上移動基座的機構。

本公開涉及形成含稀土層的方法、設備和結構。該方法包括在處理室內提供襯底，并在襯底上沉積含稀土層。沉積含稀土層的過程包括將稀土前體提供到處理室中，將金屬前體提供到處理室中，以及將一種或多種非金屬元素反應物提供到處理室中。該設備包括處理室、...

一種室主體包括具有下壁、側壁和上壁的陶瓷焊接件。側壁通過側壁與下壁焊接聯接到下壁，上壁通過側壁與上壁焊接聯接到側壁。上壁具有使用減材制造技術由單個石英工件形成的上壁板部分和從其延伸的上壁肋部分，上壁還具有覆蓋下壁的未焊接肋狀區域。還描述...

本技術的各種實施例可以提供基座和感測系統，該感測系統聯接到基座并配置成產生指示穿過基座和感測系統的空氣流動的多個傳感器輸出信號。控制器連接到感測系統，并配置為基于傳感器輸出信號檢測基座上的流動模式。

本公開涉及通過循環沉積過程在襯底上沉積含金屬磷化物材料的方法和設備。該方法包括在反應室中提供襯底，將金屬鹵化物前體以氣相提供到反應室中；以及將第二前體以氣相提供到反應室中，以在襯底上形成含金屬磷化物材料。

公開了用于在沉積設備和相關系統中吹掃的方法。本公開的實施例包括測量排氣流中的前體殘余物濃度，并且當排氣流中的前體殘余物濃度等于或低于參考前體殘余物濃度時，結束吹掃。

公開了一種用于襯底處理系統的等離子體調制裝置。該裝置包括：連接到N個不同網格的多個射頻(RF)路徑，其中襯底處理系統的基座被分成N個不同網格，N是等于或大于2的整數，其中，每個RF路徑包括：RF桿，其連接到網格，并配置為從網格傳輸RF信...

公開了一種半導體處理組件(10)，具有：?晶片搬運機器人(12)，其包括以末端執行器間距(EP)分布在基本豎直方向上的多個末端執行器(14)，并配置為運送晶片(80)；?晶片舟(20)，其具有在基本豎直方向上分布的舟槽(46)，并配置為...

提供了通過循環沉積工藝在反應室中的襯底上形成金屬硅酸鹽膜的方法。所述方法可以包括：在引入所述反應室之前，將過氧化氫前體的溫度調節至低于70℃的溫度；以及通過執行循環沉積工藝的至少一個單位沉積循環，將所述金屬硅酸鹽膜沉積在所述襯底上。還提...

提供了通過循環沉積工藝在反應室中的襯底上形成金屬硅酸鹽膜的方法。所述方法可以包括：在引入所述反應室之前，將過氧化氫前體的溫度調節至低于70℃的溫度；以及通過執行循環沉積工藝的至少一個單位沉積循環，將所述金屬硅酸鹽膜沉積在所述襯底上。還提...

提供了一種通過重復循環在反應室中的襯底的凹部上形成保形膜的方法，該循環包括形成第一膜，其包括供應硅源和反應物，并在供應硅源和反應物的同時從電源單元向反應室施加第一功率，通過在供應反應物的同時從電源單元向反應室施加第二功率來處理第一膜，其...