提出了一種用于在襯底處理系統(tǒng)中輸送襯底的末端執(zhí)行器。末端執(zhí)行器包括槳葉，其配置為支撐襯底，并且槳葉是平坦的；葉片部，其在槳葉的第一端連接到槳葉，其中，葉片部的遠(yuǎn)端設(shè)置有用于定位襯底的前突起；以及多個墊，其設(shè)置在多個孔中的每個中，其中，多...

本公開總體涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及用于制造包括金屬氧化物膜和金屬膜襯里的電極接觸層的方法、用于制造該電極接觸層的相關(guān)裝置和系統(tǒng)。

提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括將襯底安置在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的第一室中，當(dāng)襯底安置在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的第一室中時沉積覆蓋襯底的第一層對，以及從第一室移除襯底。將襯底轉(zhuǎn)移至聯(lián)接到半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的第一室的第二室，安置在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的...

一種用于在襯底上的特征中沉積膜的方法，包括形成混合雙頻等離子體。形成混合雙頻等離子體包括在第一時間段內(nèi)以高RF頻率和低RF頻率形成連續(xù)等離子體，以及在第二時間段內(nèi)以低RF頻率形成脈沖等離子體，以將膜沉積到襯底上的特征中。

本公開的技術(shù)涉及電容器裝置領(lǐng)域。更具體地，公開了用于形成包括鉿鋯氧化物(HZO)層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括通過提供襯底并通過循環(huán)沉積過程在其上形成HZO層來制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步公開了用于形成鉿鋯氧化物層的系統(tǒng)，以及包括HZO層的...

公開了用于制造金屬?絕緣體?金屬(MIM)電容器的方法。該方法包括：在襯底的至少一部分上形成介電層，介電層設(shè)置在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，以及在介電層與一個或多個導(dǎo)電層之間形成第一偶極層或第二偶極層中的至少一個。所公開的第一偶極層和/...

用于光刻，特別是極紫外光刻(EUV)的方法、相關(guān)結(jié)構(gòu)和相關(guān)系統(tǒng)。本公開的方法可以包括形成具有高sp3碳含量的碳底層。本公開的方法可以包括通過循環(huán)沉積過程比如等離子體增強(qiáng)原子層沉積形成碳底層。

用于蝕刻的方法和相關(guān)系統(tǒng)。本公開的實(shí)施例包括通過執(zhí)行包括多個蝕刻循環(huán)的循環(huán)蝕刻過程來蝕刻可蝕刻層。來自多個蝕刻循環(huán)的蝕刻循環(huán)包括揮發(fā)反應(yīng)物脈沖，其包括將襯底暴露于揮發(fā)反應(yīng)物。

本公開涉及用于通過循環(huán)沉積過程在襯底上沉積準(zhǔn)金屬材料的方法和設(shè)備。該方法包括：在反應(yīng)室中提供襯底，以氣相將第一前體提供到反應(yīng)室中；以及以氣相將第二前體提供到反應(yīng)室中，以在襯底上形成準(zhǔn)金屬材料。第一前體和第二前體中的至少一個包括準(zhǔn)金屬化合物。

本公開涉及用于通過選擇性沉積過程在襯底上沉積含金屬材料的方法和設(shè)備。該方法包括在反應(yīng)室中提供襯底，以氣相將金屬醇鹽前體提供到反應(yīng)室中；以及以氣相將第二前體提供到反應(yīng)室中以在襯底上形成含金屬材料。根據(jù)本公開的第二前體包括硼烷化合物，并且襯...

本公開的技術(shù)總體涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及場效應(yīng)晶體管(FET)以及用于制造FET的系統(tǒng)和方法。FET包括：襯底；包括溝道材料的至少一個溝道層；與溝道層電接觸的源電極和漏電極；與柵極絕緣層接觸的至少一個柵極電極；至少一個遠(yuǎn)...

提供了一種填充間隙而在間隙內(nèi)沒有縫隙或空隙的方法。根據(jù)本公開的實(shí)施例，間隙填充方法包括在間隙的上部上形成第一抑制層，通過去除第一抑制層在間隙的上部上形成第二抑制層，形成含硅層并執(zhí)行后處理以從含硅層去除殘留雜質(zhì)，其中后處理包括第一處理和第...

一種基板處理，能夠最小化下部空間的填充氣體對基板處理的影響，包括：基板支撐單元；位于基板支撐單元上的處理單元；和排放單元，其連接到基板支撐單元和處理單元之間的反應(yīng)空間，其中反應(yīng)空間中的第一氣體和基板支撐單元下方的下部空間中的第二氣體在反...

本發(fā)明涉及一種用于在襯底上外延沉積半導(dǎo)體膜的反應(yīng)器的殼體組件。殼體組件包括由不透明和透明的石英制成并通過至少兩個凸緣連接的內(nèi)殼體和外殼體。本發(fā)明還涉及由所述殼體組件包圍的反應(yīng)室，以及采用至少一個所述反應(yīng)室的反應(yīng)器。

可以提出一種襯底處理設(shè)備。該設(shè)備包括配置為發(fā)射UV(紫外)光的燈單元、配置為容納一個或多個燈單元的燈隔室、具有基座并配置為處理襯底的處理室(基座配置為支撐用于處理的襯底)、設(shè)置在燈隔室和處理室之間并配置為對來自UV燈的光透明以到達(dá)襯底的...

提供了用于相對于介電表面在金屬或金屬性表面上選擇性沉積氧化硅膜的方法。可相對于金屬或金屬性表面選擇性地鈍化襯底的介電表面，如通過將襯底暴露于甲硅烷基化劑。然后，通過使金屬表面與金屬催化劑和包含硅烷醇的硅前體接觸來相對于經(jīng)鈍化的氧化物表面...

公開了一種襯底搬運(yùn)系統(tǒng)。該襯底搬運(yùn)系統(tǒng)包括：襯底搬運(yùn)機(jī)器人，用于在多個襯底站之間轉(zhuǎn)移襯底；以及激光雷達(dá)成像系統(tǒng)，其包括位于襯底搬運(yùn)機(jī)器人上的激光雷達(dá)圖像獲取模塊，激光雷達(dá)成像系統(tǒng)配置成獲取襯底和/或襯底站的至少一個3D圖像，并且基于至少...

一種在反應(yīng)器系統(tǒng)中使用的前體監(jiān)測組件，用于提供來自源容器的源材料的可用性的實(shí)時和直接測量。該組件包括定位在內(nèi)部托盤的底壁與外部壁(例如源容器的基部)之間和/或源容器外部的一個或多個力或負(fù)載傳感器，例如測力計。信號調(diào)節(jié)元件處理來自傳感器的...

公開了一種襯底處理設(shè)備。示例性襯底處理設(shè)備可包括多個退火室；共享RF發(fā)生器，其配置為向退火室產(chǎn)生等離子體；其中共享RF發(fā)生器經(jīng)由RF分頻器電聯(lián)接到退火室；其中RF分頻器設(shè)置有多個RF電纜，RF電纜中的每個分別電聯(lián)接到退火室中的每個。

本公開涉及用于前體再循環(huán)的方法和系統(tǒng)。具體地，本技術(shù)的各種實(shí)施例可以提供反應(yīng)器、具有聯(lián)接到反應(yīng)器的入口的入口的第一容器、具有聯(lián)接到反應(yīng)器的入口的入口的第二容器以及聯(lián)接到反應(yīng)器的出口、第一容器的入口和第二容器的入口的排氣管線。第一和第二容...